View
9
Download
5
Category
Preview:
DESCRIPTION
practica
Citation preview
PRACTICA 4: RECTIFICADORES CON FILTRO CAPACITIVO
POR: CARLOS ANDRES GUERRA LUIS FERNANDO LUJN LOPEZ
PROFESORA: MARCELA VALLEJO
CIRCUITOS ELECTRONICOS I
FACULTAD DE INGENIERIAUNIVERSIDAD DE SAN BUENAVENTURA MEDELLIN2014
1. OBJETIVOS1.1) Estudiar los rectificadores de media onda y onda completa con filtro capacitivo.1.2) Comprobar que en un rectificador con filtro capacitivo los diodos conducen menos de 180 grados.1.3) Comprobar que a medida que aumenta el valor de C menor es el tiempo de conduccin de los diodos y mayor el pico de corriente por los mismos.1.4) Emplear software de simulacin para analizar el circuito.
2. MATERIALES Y EQUIPOSTransformador 5094 diodos de 2 Amperios/100VMultmetro digitalOsciloscopioBoardPuntas de osciloscopioResistencia de 100 a 10wResistencia de 0.1/0.5wFiltro de 47uF/25VFiltro de 100uF/25VFiltro de 220u/25VFiltro de 470uF/25VFiltro de 1000uF/25V3. MONTAJE EXPERIMENTALPara el desarrollo de la primera parte de este laboratorio se trabaj con el circuito de la figura 1. Primeramente se procedi a realizaron los clculos de voltaje promedio, voltaje mximo, voltaje mnimo y voltaje de rizado, estos se muestran en la tabla 1. Luego, con cada uno de los valores de condensadores dados se simul en Pspice para medir los parmetros solicitados, estas medidas se pueden ver en la tabla 2. Finalmente se procedi a montar el circuito fsico en la board, los resultados de las medidas se pueden ver en la tabla 3.
Figura 1: Circuito 1.
Para los circuitos que se observarn en la figuras 2 y 3, se realiz el mismo procedimiento que anteriormente se mencion. En las tablas 4 y 7 estn los clculos de voltaje promedio, voltaje mximo, voltaje mnimo y voltaje de rizado. Los valores medidos de los circuitos 2 y 3 montados en la board se pueden ver en las tablas 3, 6 y 9.Es necesario tener en cuenta que en los materiales suministrados por los laboratorios de la universidad no se encontraban capacitores del mismo valor que se solicitaban para el desarrollo de esta prctica, as que los procesos se desarrollaron con los valores ms cercanos que se encontraron (los valores que estn entre los parntesis de la columna C en las tablas 2, 3, 5, 6, 8 y 9 son los valores reales de capacitancia).
Figura 2: Circuito 2.
Figura 3: Circuito 3.
4. RESULTADOS4.1) Para el circuito de la figura 1:
Para Vo con:VAVG (V)VMAX (V)Vmin (V)Vrizado (V)
100uF8,331613,13,49,7
470uF8,1471612,819,313,5
1000uF8,013612,6111,6
Tabla 1: Clculos del circuito 1.
C(uF)VoMIN(Volt)VoMAX (Volt)Vrizado(VPP)(Volt)IPDIODOS(IRMS)(Amp)TCONDUCCION (ms)
0013,17913,180,06648,47
47(42,1)0,77613,17712,4010,11516,561
1003,651113,1629,51090,1916,72
2207,066513,1046,03850,29816,67
470 (460)9,51912,9193,40,35616,7
1000(1010)10,90512,5551,650,48716,64
Tabla 2: Valores medidos en la simulacin del circuito 1.
C(uF)VoMIN(Volt)VoMAX (Volt)Vrizado(VPP)(Volt)IPDIODOS(IRMS)(Amp)TCONDUCCION (ms)
001414,20,0478,04
47(42,1)0,813,8130,09216,68
1003,613,810,20,15716,72
2207,213,66,40,22616,67
470 (460)9,613,23,60,26416,7
1000(1010)10,812,820,29816,64
Tabla 3: Valores medidos en el montaje fsico del circuito 1.
4.2) Para el circuito de la figura 2:
Para Vo con:VAVG (V)VMAX (V)Vmin (V)Vrizado (V)
100uF8,268137,455,55
470uF8,1153612,7611,321,44
1000uF7,886412,411,90,5
Tabla 4: Clculos del circuito 2.
C(uF)VoMIN(Volt)VoMAX (Volt)Vrizado(VPP)(Volt)IPDIODOS(IRMS)(Amp)TCONDUCCION (ms)
0013,1813,180,0644398,325
47(42,1)4,6713,1778,5070,0971288,325
1007,69213,1625,470,13338,337
2209,97813,1043,1260,16778,337
470 (460)11,2912,9451,6550,18778,3
1000(1010)11,93912,7180,7790,199848,335
Tabla 5: Valores medidos en la simulacin del circuito 2.
C(uF)VoMIN(Volt)VoMAX (Volt)Vrizado(VPP)(Volt)IPDIODOS(IRMS)(Amp)TCONDUCCION (ms)
0013,813,80,0458,325
47(42,1)4,613,89,20,0788,325
100813,85,80,1158,337
22010,213,63,40,1448,337
470 (460)11,613,620,1648,3
1000(1010)12,413,410,1718,335
Tabla 6: Valores medidos en el montaje fsico del circuito 2.
4.3) Para el circuito de la figura 3:
Para Vo con:VAVG (V)VMAX (V)Vmin (V)Vrizado (V)
100uF8,268137,455,55
470uF8,1153612,7611,321,44
1000uF7,886412,411,90,5
Tabla 7: Clculos del circuito 3.
C(uF)VoMIN(Volt)VoMAX (Volt)Vrizado(VPP)(Volt)IPDIODOS(IRMS)(Amp)TCONDUCCION (ms)
0012,36812,3680,061668,325
47(42,1)4,312112,3628,050,0903528,325
1007,20912,3385,1290,124438,337
2209,35112,2572,9060,1938,337
470 (460)10,5712,061,490,2828,3
1000(1010)11,12611,8420,7160,3838,335
Tabla 8: Valores medidos en la simulacin del circuito 3.
C(uF)VoMIN(Volt)VoMAX (Volt)Vrizado(VPP)(Volt)IPDIODOS(IRMS)(Amp)TCONDUCCION (ms)
0013,413,60,0798,337
47(42,1)4,413,490,1048,325
1007,613,25,60,1358,325
2209,813,23,40,168,325
470 (460)1112,81,80,1728,325
1000(1010)11,612,610,1898,325
Tabla 9: Valores medidos en el montaje fsico del circuito 3.
5. ANALISIS DE RESULTADOS Y CONCLUSIONES.5.1) Graficas para el circuito de la figura 1 con respecto a la tabla 3:
Grafica 1: Vrizado vs C.
Grafica 2: Ip (diodos) vs C.
Grafica 3: Tconduccin vs C.
5.2) Graficas para el circuito de la figura 2 con respecto a la tabla 6:
Grafica 4: Vrizado vs C.
Grafica 5: Ip (diodos) vs C.
Grafica 6: Tconduccin vs C.
5.3) Graficas para el circuito de la figura 3 con respecto a la tabla 9:
Grafica 7: Vrizado vs C.
Grafica 8: Ip (diodos) vs C.
Grafica 9: Tconduccin vs C.
FALTAN LOS PUNTOS 6.3, 6.4 Y 6.5 DE LA GUIA