Presentación de la asignatura - Universidad de Sevilla · Universidad de Sevilla Objetivo de la...

Diseño de Circuitos Integrados (DCI)© Dpto Electrónica Y Electromagnetismo

Universidad de Sevilla

-- DCI DCI --DiseDiseñño de Circuitos Integradoso de Circuitos Integrados

33ºº curso de curso de I.T.I.SI.T.I.S..

PresentaciPresentacióón de n de la asignaturala asignatura

Diseño de Circuitos Integrados (DCI)© Dpto Electrónica Y Electromagnetismo

Universidad de Sevilla

El El profesorprofesor de DCIde DCI

Diego Vázquez García de la VegaLicenciado en Ciencias Físicas (Electrónica)

Dr. en Ciencias Físicas (Electrónica)

Profesor Titular de la Universidad de Sevilla

Dpto de Electrónica y Electromagnetismo

dgarcia@imse-cnm.csic.esDESPACHOS

Escuela: G0.68

IMSE-CNM-CSIC (Isla de la Cartuja)

TUTORÍAS(Cita Previa)Miércoles: 11:00h-14:00hViernes: 09:30h-12:30h

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AspectosAspectos sobresobre la la asignaturaasignatura• Es requisito necesario (aunque no suficiente)

un dominio adecuado de aspectos matemáticos.

• Planteamiento y resolución de sistemas de ecuaciones• Derivadas, integrales, etc.

• La materia del programa está diseñada con una estructura gradual.

• No son estrictamente necesarios, pero sí muy ventajosos, conocimientos previos en materia electrónica

• IMPORTANTÍSIMO:– Asistir a clase– Comprender las explicaciones (NO CALLAR!)

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AspectosAspectos sobresobre la la asignaturaasignatura

• Los problemas y prácticas de laboratorio se harán de forma integrada en las clases teóricas, mediante ejemplos de aplicación, casos prácticos, etc.

• Toda la información de la asignatura en webCT:– Programa y proyecto docente– Herramientas de trabajo– Calificaciones, etc.

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Objetivo de la asignatura:

Conocer las etapas del proceso de Diseño de CircuitosIntegrados, con especial énfasis en los circuitos digitales.

Para ello:

Nos centraremos en la tecnología MOS, la más utilizada en circuitos analógicos y digitales complejos.

Recorreremos las distintas etapas del proceso de diseño con ejemplos sencillos.

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UnaUna brevebreve visitavisita al al contenidocontenido……

• TEMA1: Introducción

– Terminología asociada a los CIs.– Evolución histórica.– Estado-del-arte de CIs.

etc

chip

yield

wafer

escaladolayout

pads

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• TEMA2: El transistor MOS

– Estructura física

– Comportamiento eléctrico

– Modelado y simulación

0 0.5 1 1.5 2 2.50

1

2

3

4

5

6x 10-4

VDS(V)

I D(A

)

VGS= 2.5 V

VGS= 2.0 V

VGS= 1.5 V

VGS= 1.0 V

ResistiveSaturation

VDS = VGS - VT

D

S

G

IDS= f(XXXX)

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• TEMA3: Proceso de fabricación

– Tecnología MOS

– Proceso fabricación

– Interfaz diseñador-fabricante

p-well n-well

p+

p-epi

SiO2

AlCu

poly

n+

SiO2

p+

gate-oxide

Tungsten

TiSi2

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• TEMA4: El inversor• TEMA5: Puertas Lógicas

– Nivel eléctrico, lógico, layout (inversor)

– Ecuaciones de diseño (inversor)

– Diseño puertas complejas

N1 N2

VG

Puertas lPuertas lóógicas gicas complejascomplejas

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UnaUna brevebreve visitavisita al al contenidocontenido……

• TEMA?: Estructuras de Entrada/Salida• TEMA?: Memorias (ROM, RAM, etc.)• TEMA?: Metodologías de diseño• TEMA?: xxxxxxxxxx

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PrPráácticascticas………………....

• Simulador eléctrico: PSPICE

• Herramienta de Layout: MAGIC En horas de clase y en casa

Casos prácticosTrabajo final….

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EvaluaciEvaluacióónn………………....

ALTERNATIVA• Asistencia y rendimiento en clase• Ejercicios prácticos• TRABAJO FINAL / EXAMEN FINAL

TRADICIONAL• EXAMEN FINAL