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LOS CIRCUITOS INTEGRADOS
PROCESO DE FABRICACIÓN
ÍNDICE
I. Fabricación de la obleaII. Oxidación térmica III. Proceso de dopadoIV. Fotolitografía V. Eliminación de película delgada VI.Deposición de película delgada VII.Secuencia
de procesos CMOS (flujo de procesos)
FABRICACIÓN DE LA OBLEA
La producción de obleas se lleva a cabo en tres pasos:• Refinado del silicio.• Crecimiento del cristal: Método de Czochralski.• Formación de la oblea: 1 mm de espesor (El espesor puede
incrementarse con el diámetro de la oblea).
ÍNDICE
OXIDACIÓN TÉRMICA
Al exponer silicio en presencia de un oxidante a elevada temperatura se formará una capa delgada de óxido de silicio (SiO2) sobre toda la superficie expuesta.
ÍNDICE
PROCESO DE DOPADO
La difusión de impurezas que se obtiene es directamente proporcional al gradiente de la concentración de dopantes presentes y a la energía térmica del proceso
ÍNDICE
FOTOLITOGRAFÍA
Proceso usado para seleccionar las zonas de una oblea que deben ser afectadas por un proceso de fabricación determinado.
ÍNDICE
ELIMINACIÓN DE PELÍCULA DELGADA
ÍNDICE
DEPOSICIÓN DE PELÍCULA DELGADA
Son los métodos utilizados para depositar películas delgadas de materiales como aislante, conductor o semiconductor en la superficie de la oblea
ÍNDICE
SECUENCIA DE PROCESOS CMOS (FLUJO DE PROCESOS)
ALEJANDRA JUÁREZ SANTIAGO
ELABORADO POR:
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