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AMPLIFICADOR CON BJTMODELOS DE SEGUNDO ORDEN
2015-1
Prof. Gustavo Patiño. M.Sc. Ph.DMJ 12- 1404-06-2015
MODELOS HIBRIDO Π
Un modelo alternativo al empleo de la fuente de corriente dependiente de la corriente incremental de base, es sustituirla por una fuente de corriente dependiente de la tensión incremental base-emisor
iehr
ibm h
g1
MODELOS HIBRIDO Π
Los dos modelos alternativos que podemos emplear en el análisis de circuitos incrementales con transistores ideales:
vπ = vbevπ = vbe
MODELO HIBRIDO Π DEL BJT(…CONT)
Modelo ideal, sin considerar efectos secundarios.•Dicho modelo considera que el transistor está previamente polarizado en un punto de operación dentro de la Región Activa.
Siempre que se cumpla que la excursión del Punto de Operación es lo suficientemente pequeña como para considerar que rπ permanece constante, el modelo incremental de alterna para el transistor bipolar ideal, ya sea npn o pnp será:
QPuntoBE
B
tv
ti
r
)(
)(1
CQ
T
BQ
T
I
V
I
Vr
CIRCUITO EQUIVALENTE HÍBRIDO
Útil para análisis en alta frecuencia cuando se considera también las capacitancias parasitas del transistor. Sin dichas capacitancias el modelo híbrido es útil
sólo para análisis en baja frecuencia.
ibm h
g1
o
CE hr
1
iehr
MODELO HIBRIDO DEL TRANSISTOR BIPOLAR CONSIDERANDO EFECTOS SECUNDARIOS
Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia. 2015-1
EFECTO EARLY, RESISTENCIA DE SALIDA
La ganancia βF depende también del valor de VCE, según la expresión:
BFVv
BCEc iiviA
CE 1,
Fue Early el que estudiando este efecto, observó y comprobó que todas las características de salida en la Región Activa, tendían a converger en un punto del eje de abscisas , -VA En el circuito incremental equivalente, el citado efecto se
modela por una resistencia en paralelo con la fuente de corriente.
EFECTO EARLY, RESISTENCIA DE SALIDA (…CONT)
Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia. 2015-1
BFVv
BCEc iiviA
CE 1,
CQ
Ao
A
CQBQ
AIVCE
C
o I
Vr
V
II
Vv
i
rCQCEQ
,
1
RESISTENCIA DE BASE, COLECTOR Y EMISOR
Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia. 2015-1
MODELO ESTÁTICO DE SPICE PARA EL BJT, INCLUYENDO LOS EFECTOS
SECUNDARIOS
γvce recoge el efecto de la realimentación interna de salida a entrada.
EFECTO DE REALIMENTACIÓN INTERNA DE LA SALIDA A LA ENTRADA
CQ
Ao I
Vr
EFECTO DE REALIMENTACIÓN INTERNA DE LA SALIDA A LA ENTRADA (…CONT)
Al igual que en los diodos, en las dos uniones del transistor bipolar aparecen los mismos fenómenos de acumulación de cargas, las llamadas capacidades de difusión y de deplexión, predominando la de difusión en las uniones que estén polarizadas directamente, y la de deplexión en las que las uniones estén polarizadas inversamente .
El concepto de capacidades incrementales de difusión y de deplexión es perfectamente aplicable aquí.
CAPACIDADES PARÁSITAS
El circuito de la figura es el modelo dinámico del transistor bipolar, donde aparece también la capacidad de deplexión entre colector y sustrato en circuitos integrados.
MODELO DINÁMICO DEL TRANSISTOR BIPOLAR
MODELO DE ALTA FRECUENCIA DEL TRANSISTOR BIPOLAR
rb resistencia del bloque de base.rμ efecto de realimentación interna (normalmente
despreciable).cπ Capacidad incremental de difusión.
(La unión base-emisor polarizada directamente).cμ Capacidad incremental de deplexión .
(La unión base-colector polarizada inversamente)
rμ
rb
APORTE DEL ESTUDIANTE
Para el estudiante: En tu tiempo extra-clase, de qué manera puedes
complementar el contenido dado en esta clase ? Qué información adicional complementa y ayuda a
comprender mejor el contenido de estas diapositivas ?
Qué preguntas te surgen de esta clase? Qué respuestas le das a dichas preguntas?
Busca más bibliografía e información adicional que complemente tus respuestas y el contenido de esta clase. Consulta oportunamente al profesor del curso para
complementar tus respuestas y resolver tus dudas restantes.
Electrónica Analógica I. Facultad de Ingeniería. Universidad de Antioquia. 2015-1
