cap 4 CIJTMP 2015 (1)

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)

http://slidepdf.com/reader/full/cap-4-cijtmp-2015-1 1/70

4.1 Tehnologia BiCMOS. Avantaje / Limitari

4.2 Porţi inversoare BiCMOS 4.2.1 Poarta inversoare BiCMOS standard

4.2.2 Poarta inversoare BiCMOS im!natati 4.2." Poarta inversoare BiCMOS #! e$#!rsie

#om%leta

4." &e'erinte de joasa tensi!ne

4.4 Staili(atoare L)O

4.* Am%li+#atoare Cas#od BiCMOSCIJTMP

Capitolul IV

CIJTMP BiCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


04/10/16 CIJTMP 2

CMOS. Tehnologia CMOS

Fig. 4.1.1

4.1 Avantajele circuitelor BiCMOS. Tehnologia BiCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Caracteristicile tehnologiei Bi-CMOS

1. In raport cu CMOS• viteza mai mare• performante sporite pt. CI anao!ice• variatii cu temperatura mai scazute

• "ispersie te#noo!ica mai re"usa• "epen"enta re"usa pe sarcini capacitive

2. In raport cu te#noo!ia $ipoara

• putere "isipata mai mica• incapsuare mai simpa

CIJTMP

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

4.1 Tehnologii BiCMOS. Avantaje. Liit!ri

%i!. 4.1.2

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


m&2.1 µ ×= E A

100= FE h

'(z)ma* =T f

+,0 =CE BV

+60 = EB BV

Ω= &&0br n"p"n

Ω= 6er

Ω= )0cr

f%2)= jeC

f%26= jcC

f%110= subC

CIJTMP

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


04/10/16 CIJTMP 6

BiCMOS. Tehnologia BiCMOS

Fig. 4.1.3

4.1 Avantajele circuitelor BiCMOS. Tehnologia BiCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)





#om%leta




Capitolul IV

CIJTMP BiCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

4.2.1 Inversorul BiCMOS standard

Fig. 4.2.2

4.2 Inversoru -iCMOS stan"ar".Comparatie cu Inversoru CMOS

Q1

Q2

N1

P1

+VDD

Vin

N3

OUT

-

+

+

N2

Vbe1

Vbe2

Vo

-

N

P

IN OUTOUT

+VDD

Fig. 4.2.1

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

Fig. 4.2.3


8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

Fig. 4.2.4


8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

Fig. 4.2.5

4.2.1 Inversorul BiCMOS

standard

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

Fig. 4.2.#

Fig. 4.2.$

4.2.2Inversorul M -BiCMOS

l i

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

4.2.2 Inversorul M - BiCMOS

Fig. 4.2.%

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


tranzistoare npn

CIJTMP

4.#.$ I%V&'SO' BiCMOS C( &)C(SI& COMPL&TA SI T'A%*ISTOA'& npn

Fig. 4.2.1&

i l t i

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


excursie completa sitranzistoare npn• 1 Tranzitie 031

C V V = 0 F V =

CIJTMP

50... / 5 ...0 " ' ( V V V V V ⇒ ⇒Z ]

& 6 2/ / / 7 ) ) ) * +FF +' →

2 4 & 5 50... ' '

BE , , BE +' V V ' V = = Z

& 6 2 2

) )

B C + " " " " " = = =Z Z

5 ...0+ ++ - +

V V " C V V

t t = − ⇒ − ⇒Z ]

& 2

'

B " " = − Cin82 se "escarca prin 9&

2 & 5 5 ...0 ' BE , BE +' V V V = ] 2 7 5 * +' sat +FF →

5 ...0 ( V V ]

50... 50... ) C V V V V ⇒Z Z

i l t i

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


excursie completa sitranzistoare npn• 2 :e!im stationar 1 5a I9

• 81 82 91 P1;O%%

0+

V

= F

V V =

CIJTMP

Tranzitie 130

5 ...0 / 50... " ( ' V V V V V ⇒] Z

P1 P481 O%%3O9

1 4 1 1

) )

B C " " " " = = Z Z

++ -

V " C

t − = − +

+

V V

t Z Z

i l t i

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


excursie completa sitranzistoare npn

1 4 0, ,V V ≈ ≈

1 5 ...2 ! B V V V V ⇒ Z

CIJTMP

C scurtcircuit

Fig. 4.2.11

i l t i

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


excursie completa sitranzistoare npn

4 ) )

B B V V V = =

1 5

5 ... ) B / +'

V V V V V

+Z

! n+

1 5 5 5 + B BE +' / +' BE +' V V V V V V V = − = + − <

CIJTMP

<3a

+J5O9 = tensiunea in con"uctie pe >onctiunea "rena/sursa =

su$strat a P/P4

+-?5O9 = tensiunea in con"uctie pe >onctiunea emitor$aza a

81/82

n !+

5 5 BE +' / +' V V >

5 n A !

' ' + +>

i l t i

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


excursie completa sitranzistoare npn 4 0 B B, V V = =

1 5 ... B BE +' V V V V +Z

1 5 + B BE +' V V V V = − =

CIJTMP

<3$

e*cursie competa

C se "escarca prin P1 P4 81 "e a +C@+AA a +CB+-?5O9

nMOS pMOS

eff 0.6&Dm 0.6&Dm

+T0 0.,+ 0.,&+

IAsat E&DF/Dm 1)0DF/Dm

npn

FJ? 0.,G4DmH

% 100

f T 11'(z

4 2 3 Inversor BiCMOS cu excursie completa si tranzistoare npn

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

4..2.3 Inversor BiCMOS cu excursie completa si tranzistoare npn

Fig. 4.2.12

4 2 3 Inversor BiCMOS cu excursie completa si tranzistoare

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

4.2.3 Inversor BiCMOS cu excursie completa si tranzistoarenpn

Fig. 4.2.13

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)





#om%leta




Capitolul IV

CIJTMP BiCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


04/10/16 Master Microsisteme24

4.$. 'e+erin,e -e joaa teniune /01V4..1 :eferina "e $an"a interzisK stan"ar"

%i!.4..1

1 1 0 BE V "0 V = + 1 2 0 0 " " BE BE V V V V 0 " + −− = − − ≈

( )11 2 1

0

0 BE BE BE

0V V V V

0= − +

2 2

1 1

, E

, E

" An

" A= =

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


04/10/16 Master Microsisteme2&

Curentul e colector

0

E V

=

1 1 21 0

0 0 1 0

n n E 0 BE BE th th a

E

0 0 A " V V V V V V

0 0 A " T = + ∆ = + +

e*p

BE

C , th

V

" " V

= ÷ Curentu "e saturatie

Aepen"enta curentuui "e coector "e tensiunea $enzii interzise

Tensiunea "e referinK

2 0e*p e*p , E i E E

th

E V " A n A A

3T V

− = − ÷ ÷

: :

0 e*pa BE +

C

th

V V " " T

V

−= ÷

4.4 Reerinte !e "oasa tensiune

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

4.4 Reerinte !e "oasa tensiune

Fig. 4.3.2

Copenarea in teperatura

( )11 2 1

0

1 11 1

0 0

n

0 BE BE BE

0 BE BE th BE

0V V V V

0 0 0

V V V V n V 0 0

= − +

= ∆ + = +

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


04/10/16 Master Microsisteme2E

'e+erin,a -e 2an-a inter3i! tan-ar-

?*empu numeric

1

0

,01/&

0 3 0 3

Ω=Ω

( )11 2 1

0

1 11 1

0 0

n

0 BE BE BE

0 BE BE th BE

0V V V V 0

0 0V V V V n V

0 0

= − +

= ∆ + = +

2 2

1 1

24, E

, E

" An

" A= = =

1 0.E, BE V V =

1.22& 0V V =

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


4.3.2 !e"erinta e ten#iune $ 1% cu co&'en#are (nte&e'ratur) *varianta 1+

%i!.4..

21 " " " == 12 0 0 =

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Ten#iunea e re"erinta

( )

1 2 0 0 0 0

0 1 2 1 20

1 11 2 0

1 1 0

1

1 0

0 " " BE BE BE

BE

)TAT C C

BE BE BE 0

0 0 BE BE

V V V V 0 " V 0 "

V " " " " 0 0

0

V V V " " " "

0 0 0

0 0V 0 " V V 0 0

− +− = − − ≈ ⇒ ∆ =

∆

= = = = =∆

= = = + = +

= = + ∆

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


04/10/16 Master Microsisteme0

'e+erin,a -e 2an-a inter3i! cu V'&01V

%i!.4..4

1

1 11 0 1 0 0 0 BE BE BE BE

0 0 0 0V 0 " V V V V

0 0 0 0

= = + ∆ = × + ∆

÷

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Ten#iunea e re"erin,)

21 2

1 2 1

6 6 6 1

1 11 0 1 0

6 6 60

1 0 1 1 0

2 2

1 1

n n n n

n n

n n

, BE th BE th BE th th

, , ,

0 BE th BE th

0 th th a E

, E

, E

" " " V V V V V V V n

" " "

0 0 0 0

V V V n V V n 0 0 0 0

0 0 0 " V V V n V

0 0 0 A / T

" A n " A

= = ⇒ ∆ = =

= + = + ⇒ ÷ ÷ ÷ ÷

= + +

= =

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


A&'li-catorul O'erational

Fv"@!m-T/!mMOS

%i!.4..&

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Circuitul e 'ornire

%i!. 4..6

1 2 392I I I A µ = = =0,53

R V V =

1DD

V V = 300d

P W µ ≈

4 3 3 ! " i t t i 1% (

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


4.3.3 !e"erinta e ten#iune $1% cu co&'en#are (nte&'eratur)

Compensarea #n temperatură

CIJTMP

BE & & BE & th

& &

T T V T V V V T a b V ln

T T

= − − × − − × × ÷

11

1 0

n 0EF BE th

0 0V V V n

0 0

= + ÷ ÷

÷

%i!.4..4

Curentu forat 5"e circuitu e*terior sK

varieze cu Tb

C C&

&

T " "

T

= × ÷

C "

10 0 1 0

1 0 0 0 0

5 5 5 n n n 0EF BE th th th

0 0T T T V V V V T a b V V n cV

0 T T 0 T

= − − × − − × × + + ÷ ÷ ÷ ÷

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


4.3.3 !e"erinta e ten#iune $1% cu co&'en#are (nte&'eratur) *varianta 1+

%i!. 4..E

C4 AB BE4 BE3 th

C3

" V V V V ln

" = − = ×

C 4 )TAT C 3 )TAT CTAT & " " " " " " const.cuT = = + = =

%i!. 4..

Se conecteazK Ln casca"K ceue5%i!.4..E cu no"u - a ieirea referinei "in %i!.4..

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Compensarea #n temperatură

CIJTMP

C1 C&

&

T " "

T

= × ÷

Curentu crete iniar cu T 5b1

BE1C1 1 1 CTAT )TAT

1

V " " " " "

0

= − = − =

11

1 0

n 0EF BE th AB 0 0V V V n V 0 0

= + + ÷ ÷ ÷

C 4 )TAT AB th th th

C 3 & &

" " T V V ln V ln V ln 7

" " T = × = × =

C1 "

10 0 1 0

1 0 0 0 0

5 5 5 1 n n n 0EF BE th th th

0 0T T T V V V V T a V V n 3V 7

0 T T 0 T

= − − × − − × × + + ÷ ÷ ÷ ÷

Compensarea termenior proportionai cu T

10 1 0 0

0

5 n n BE th 0V V T V n 7 0

− = + ÷

Compensarea termenior proportionai cu lnT

( )3

1

0a 1

0− =

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

%i!. 4..,

4..4 :eferinta "e tensiune B1+ cu compensare Ln temperaturK 5varianta 2

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Co&'en#area (n te&'eratur)

CIJTMP

Curentu forat 5"e circuitu e*terior sK varieze cu T

⋅⋅−−⋅−−=

&th

&& BE && BE

T

T lnV ba

T

T T V V V T V

BE1 BE 3 '-

4

V V "

0

−=

'- th

4 &

1 T " V ln

0 T

= × × ÷

th BE1 0 '-

1 &

V l n n V " "

0 0== + +

b

C C&

&

T " "

T

= × ÷

C1 " Curentu crete iniar cu T 5b1

C

"

Curentu practic nu variazK cu T 5b&C 3 0 " " =

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


!eultate e/'eri&entale

CIJTMP

%i!. 4..)

%i!. 4..10

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


0aoutul circuitului

CIJTMP

%i!. 4..11

Te#noo!ie -iCMOS 0,um

Fria c#ipuui =

24 pini a"itionai

2377

!e ultate e 'eri&entale

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


!eultate e/'eri&entale

CIJTMP

Ta$eu. 4..1

Ta$eu. 4..2

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Otinerea !ei#ten,elor

CIJTMP

%i! 4..12

Ri$%2& Ω ' R

C$2& Ω ' pentru R

o$%3'(& Ω '

Ri$3)& Ω ' R

C$4& Ω ' pentru R

4*(+$32'2(& Ω '

" i i (

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


4.3. !e"erinta e ten#iune $1% cu co&'en#are (nte&'eratur) *varianta 3+

%i!. 4..1 '-5 )TAT 2C " " " " +==

nln V 0

1

0

V V " " th

22

2 BE 1 BE 2C )TAT ⋅⋅=

−=≅

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

Co7!ensarea 8n te7!eratur9

Fig. 4.3.14

CTAT 5 " " <

& " '- =T 5,5, V V V −<

T 6 ,5, V V V <=

CTAT )TAT '- " " " −=

BE

0EF V )TAT '- " " " " = + +

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

Fig. 4.3.15

'-6 )TAT 6 5CTAT 6 54 0EF " 0 " 0 0 " 0 0 0 V ⋅+⋅++⋅++=

:eferinta "e tensiune cu compensare "e or"inu "oi

,che7a co7!let9

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


CIJTMP

'-6 )TAT 6 5CTAT 6 54 0EF " 0 " 0 0 " 0 0 0 V ⋅+⋅++⋅++=

BE1 0EF 4 5 6 5 6 th

1 2

V 1V 0 0 0 0 0 V ln n

0 0= + + × + + × × ×

BE1 0EF 4 5 5 6 th

1 2

V 1V 0 0 0 2 0 V ln n 0 0

= + × + + × × × ×

R%$())& Ω ' R

2$R

3$,)& Ω ' R

4$%))& Ω ' R

(

$%()& Ω 'R

,$%)& Ω '

B%*/

) + $ )'0' n$%, i

O

$)'2 .

IC/1/ $%'41 :i I/1/ $%'%(1 R5 $)'((( +

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Sche&a re"erin,ei

4E

%i!. 4..16

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Ten#iunea e re"erin,) "unc,ie e te&'eratur)* valori &a#urate+

04/10/164,

%i!. 4..1E

0EF V &;5%5V =& & & 0EF

0EF

V < T 2& !!7 < C T 15 C....%& C

V

∆∆ ≤ = −

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


5er"or&an,ele re"erin,ei* valori &a#urate+

04/10/164)

Ta$eu 4..

+ref@&)&m+

C it l l IV

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)





#om%leta




Capitolul IV

CIJTMP BiCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Fig. 4.4.1

C?%

4.4 Sta$iizatoare cu "iferenK "e tensiune intrareieire re"usK 5AO

4.4.1 Sc#eme "e sta$iizatoare AO

( )+ +(

+ BE CE ;sat

" "

V 2V V 1;5...2V

=

= + =+ +(

+ EC ;sat

" "

V V &;1...&;4V =

= =

*1 5 mic

Sta$iitate un C e!at a no"u "e ieire 5"e mare rezistenK

Intrarea inversoare a FO e!atK a :?%

F β

Tranzistor !n!

ta atoareT i t

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Fig. 4.4.2

C?%

. ta atoare

Protecie a supracurent 5*3 ; 03

Protecie a supratensiune 5 *4 ;04

β

F F 1 F 2β β β ≅

Tranzistor su!er

5*1

; *2

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Fig. 4.4.3

C?%

Fr#itectura stan"ar" sta$. iniare inte!rate

Cone*iune Aarin!ton !n!=n!n

( )+ +(

+ BE EC ;sat " "

V V V &;#...1V =

= + =

F F 1 F 2β β β ≅5*1 ; *2

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Fig. 4.4.4

C?%

Tranzistor ! (+, 5*1 ; 03

+ +( + , ;sat " "

V V &;&5...&;2V =

= =

Tranzistor !(+,

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Fig. 4.4.5

C?%

PompK "e sarcinK pentru poarizarea porii n(+,

+ +( + , ;sat " "

V V &;&5...&;2V =

= =

Tranzistor n(+,

4 4 2 S $ii AO i E0,

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

4.4.2 Sta$iizator AO inte!rat cu E0,=!n! e*tern

Fig. 4.4.6

• tensiunea "e ieire7 V +@3;3V

• curentu "e ieire ma*im7 " +( 5&&7A

• V +;7@&;2V a " +( 5&&7A

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

• V +;7@&;&2V a " +( 1&7A

• V +;7@&;&5V a " +( 1&&7A

• V +;7@&;2V a " +( 5&&7A

Caracteristica "e transfer

Fig. 4.4.#

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

• Fmpificarea/Casti!u N 60"-• %aza 10 !ra"e

Aia!rama -o"e

Fig. 4.4.$

4 4 St $ii t AO i t t (i l B t

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

4.4. Sta$iizator AO inte!rat (icrel cu !n! su!er Beta

su!er Beta

Fig. 4.4.%

• protectie a supracurent• protectie a supratensiune• protectie a supratemperatura

4 4 St $ii t AO i t t (i l

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

4.4. Sta$iizator AO inte!rat (icrel

•

• tensiunea "e ieire7 V +@3;3V>5V>12V etc

• curentu "e ieire ma*im7 " +( @ $&7A ....#;5A• curentu "e poarizare7 " bias?1@ " +(

• tensiunea "e intrare7 V ";7@3V V ";( ?2%V

• V +;7B &;3V a " +(

F 1 1&&β ≥

4 4 St $ii t AO i t t (i l (+, t

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

4.4. Sta$iizator AO inte!rat (icrel cu n(+, e*tern

• pompK "e curent 5intrenKpentru tensiunea pe poarta n(+, e*tern

• tensiunea "e ieire7 V +@3;3V>5V>12V

• curentu "e ieire ma*im7 " +( @ 1&A

•V +;7@ &;31V a " +(

Fig. 4.4.1&

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


St $ii t AO i t t CAT621%

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


Fig. 4.4.12

C?%

• tensiunea "e ieire7 V [email protected];2V

• variaia Ln temperaturK74& !!7<gra

• curentu "e ieire ma*im7 " +( 5&&7A

• tensiunea "e intrare7 V ";7@2;5V V ";( @5;5V

• V +;7@&;3V a " +( 5&&7A

• curentu ma*im consumat7$5A

Sta$iizator AO inte!rat = CAT621%

Fig. 4.4.13

St $ii t AO i t t CAT621%

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

Sta$iizator cu tensiune re!a$iK 7 V +@ 2V...5;2V

• "in 01 :i 02

• V 0EF 1;24V

Sta$iizator AO inte!rat = CAT621%

Fig. 4.4.14

1+ 0EF

2

0V V 1

0

= × + ÷

Capitolul IV

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)





#om%leta



4.* Am%li+#atoare Cas#od BiCMOS

CIJTMP

Capitolul IV

CIJTMP BiCMOS

4 & 1 Casco"u -iCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

4.&.1 Casco"u -iCMOS

Fig. 4.5.1

( ) oo 72 be2 o2 o be2 71 i o1 be2

-

i g g g g

0= + + = − = −

( )

71 -

71 -o2 -

o1 72 o2

g 0

A g 01 g 01

r g g = − ≅ −++

+

( ) ( ) -

& 71 o1 72 o2 &1 &2 0 A g r g g 1 A A

→∞ = − × + = ×

Fmpificarea

Fmpificarea intrinsecK

Casco"u -iCMOS

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

Con"uctana ec#ivaentK

Casco"u -iCMOS

:ezistena "e ieire

( )o

o 717 71

i &

o1 72 o2

i g g 1

1r g g

=

= = ≅+

+

( )

i

oo o1 72 o2 o1 &2

o &

0 r g r 1 r A

i=

= = + = ×

Fmpificarea

( ) 7 o - A 0 0= − 3

4 & 2 Casco" -iCMOS piat

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

4.&.2 Casco" -iCMOS piat

Fig. 4.5.2

( )

71 -

o2 -D o1 72 o2

g 0 A1 g 0

1r g g

= −+

++

D o1 o1 o1 o;2" r r r 0→ = 3

4 & Casco" -iCMOS cu rezistenK "e ieire mKritK

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


C?%

4.&. Casco" -iCMOS cu rezistenK "e ieire mKritK

Fig. 4.5.4

( )

( )

o 73 gs3 o3 gs3 o

72 be2 o2 gs3 be2

o71 i o1 be2

-

i g g

g g

g g

0

= + +

= + − +

= − = −

4 & Casco" -iCMOS cu rezistenK "e ieire mKritK

8/18/2019 cap 4 CIJTMP 2015 (1)


4.&. Casco" -iCMOS cu rezistenK "e ieire mKritK

( ) ( )

71 - 71 -

o3 -

o1 72 o2 o2 73 o3

g 0 A g 01 1 g 0

1 1r g g r g g

= − ≅ − +

+ + ÷ ÷+ +

Fmpificarea intrinsecK

Fmpificarea

( ) ( ) ( ) -

& 71 o1 72 o2 73 o3 &1 &2 &3 0 A g r g g 1 g g 1 A A A

→∞ = − × + × + = × ×

( ) ( )i

oo o1 72 o2 73 o3 o1 &2 &3

o &

0 r g r 1 g r 1 r A A

i=

= = + × + = × ×

:ezistena "e ieire

Documents

cap 4 CIJTMP 2015 (1)