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1. ¿Cuántos protones contiene el núcleo de un átomo de cobre?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
2. La carga resultante de un átomo neutro de cobre es
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
3. Si a un átomo de cobre se le extrae su electrón de valencia, la carga
resultante vale:
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
4. La atracción que experimenta hacia el núcleo el electrón de valencia de un
átomo de cobre es:
a. Ninguna
b. Débil
c. Fuerte
d. Imposible de describir
5. ¿Cuántos electrones de valencia tiene un átomo de silicio?
a. 0
b. 1
c. 2
d. 4
6. El semiconductor mas empleado es:
a. Cobre
b. Germanio
c. Silicio
d. Ninguno de los anteriores
7. ¿Qué numero de protones posee un átomo de silicio?
a. 4
b. 14
c. 29
d. 32
8. Los átomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el
nombre de:
a. Enlace covalente
b. Cristal
c. Semiconductor
d. Orbital de valencia
9. Un semiconductor intrínseco presenta algunos huecos a temperatura
ambiente causados por:
a. El dopaje
b. Electrones libres
c. Energía térmica
d. Electrones de valencia
10.Cada electrón de valencia en un semiconductor intrínseco establece un:
a. Enlace covalente
b. Electrón libre
c. Hueco
d. Recombinación
11.La unión de un electrón libre con un hueco recibe el nombre de:
a. Enlace covalente
b. Tiempo de vida
c. Recombinación
d. Energía Térmica
12.A temperatura ambiente un cristal de silicio intrínseco se comporta como:
a. Una batería
b. Un conductor
c. Un aislante
d. Un hilo de cobre
13.El tiempo que transcurre entre la creación de un hueco y su desaparición se
conoce como:
a. Dopaje
b. Tiempo de vida
c. Recombinación
d. Valencia
14.Al electrón de valencia de un conductor se le denomina también por:
a. Electrón ligado
b. Electrón libre
c. Núcleo
d. Protón
15.¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
16.¿Cuántos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
17.Cuando se aplica una tensión a un semiconductor, los huecos circulan:
a. Distanciándose del potencial negativo
b. Hacia el potencial positivo
c. En el circuito externo
d. Ninguna de las anteriores
18.¿Cuántos huecos presenta un conductor?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Solo los producidos por la energía térmica
d. El mismo numero que de electrones libres
19.En un semiconductor intrínseco el numero de electrones libres es
a. Igual al numero de huecos
b. Mayor que el numero de huecos
c. Menor que el numero de huecos
d. Ninguna de las anteriores
20.La temperatura del cero absoluto es igual a
a. -273ºC
b. 0ºC
c. 25ºC
d. 50ºC
21.A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrínseco presenta:
a. Pocos electrones libres
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
d. Ni huecos ni electrones libres
22.A temperatura ambiente un semiconductor intrínseco tiene:
a. Algunos electrones libres y huecos
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
d. Ningún hueco
23.El numero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrínseco
aumenta cuando la temperatura:
a. Disminuye
b. Aumenta
c. Se mantiene constante
d. Ninguna de las anteriores
24.El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos
circulan hacia:
a. La izquierda
b. La derecha
c. En cualquier dirección
d. Ninguna de las anteriores
25.Los huecos se comportan como:
a. Átomos
b. Cristales
c. Cargas negativas
d. Cargas positivas
26.¿Cuántos electrones de valencia tienen los átomos trivalentes?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
27.¿Qué numero de electrones de valencia tiene un átomo donador?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
28.Si quisiera producir un semiconductor tipo p, ¿Qué emplearía?
a. Átomos aceptadores
b. Átomos donadores
c. Impurezas pentavalentes
d. Silicio
29.Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo:
a. Extrínseco
b. Intrínseco
c. Tipo n
d. Tipo p
30.¿Cuántos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Solo los producidos por la energía térmica
d. El mismo numero que de huecos
33. Una fuente de tensión es aplicada a un semiconductor tipo p. Si en el
izquierdo el cristal es positivo, ¿en qué sentido circularán los portadores
mayoritarios?
R. Hacia la derecha
34. ¿Cuál de los siguientes conceptos está menos relacionado con los otros
tres?
a) Conductor
b) Semiconductor
c) Cuatro electrones de valencia
d) Estructura cristalina
35. ¿Cuál de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la
temperatura ambiente?
a) 0 º C
b) 50 º C
c) 25 º C
d) 75 º C
36. ¿Cuántos electrones hay en la orbital de valencia de un átomo de silicio
dentro de un cristal?
R. 8
37. Los iones positivos son átomos que:
R. Han perdido un electrón
38. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo n?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos huecos
39. Un semiconductor tipo p contiene huecos y:
R. Iones negativos
40. ¿Cuál de los siguientes conceptos describe un semiconductor tipo p?
a) Neutro
b) Cargado positivamente
c) Cargado negativamente
d) Tiene muchos electrones libres
41. ¿Cuál de los siguientes elementos no se puede mover?
a) Huecos
b) Electrones libres
c) Iones
d) Portadores mayoritarios
42. ¿A qué se debe la zona de deplexión?
R. A los iones
43. La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es de
R. 0.7 V
44. Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la
tensión aplicada debe superar:
R. 0.7 V
45. En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmente:
R. Muy pequeña
46. La corriente superficial de gas es parte de:
R. La corriente inversa
47. La tensión que provoca el fenómeno de avalancha es:
R. La tensión de ruptura
48. La difusión de electrones libres a través de la unión de un diodo produce:
R. Polarización directa
49. Cuando la tensión inversa crece de 5V a 10V, la zona de deplexión:
R. Crece
50. Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinación de electrones
libres y huecos puede producir:
R. Calor, Luz, Radiación
51. Si aplicamos una tensión inversa de 20 V a un diodo, la tensión en la zona de
deplexión será:
R. 0.7V
52. Cada grado de aumento en la temperatura en la unión decrece la barrera de
potencial en:
R. 2mV
53. La corriente inversa de saturación se duplica cuando la temperatura de la
unión se incrementa:
R. 10 º C
54. La corriente superficial de fugas se duplica cuando la tensión inversa aumenta:
R. 7 por 100
PROBLEMAS
1. ¿Cuál es la carga neta de un átomo de cobre si gana tres electrones?
R. La carga es -3
2. ¿Cuánto vale la carga neta de un átomo de silicio si pierde todos sus electrones
de valencia?
R. La carga neta es +4
3. Clasifique cada uno de los siguientes como conductor o semiconductor:
a) Germanio: Semiconductor
b) Plata: Conductor
c) Silicio: Semiconductor
d) Oro: Conductor
5. Clasifique cada uno de los siguientes como semiconductor tipo n o tipo p:
a) Dopado por un átomo aceptador: Tipo p
b) Cristal con impurezas pentavalentes: Tipo n
c) Los portadores mayoritarios son huecos: Tipo p
d) Se añadieron átomos donadores al cristal: Tipo n
e) Los portadores minoritarios son electrones: Tipo p
Preguntas de entrevista de trabajo.
2.- ¿En qué se diferencia un semiconductor de un conductor?
Debido a su estructura atómica de cada material se puede clasificar como
conductor o semiconductor o aislante, los mejores conductores cuentan con un
electrón de valencia mientras que los mejores aislantes cuentan con 8, un
semiconductor debe estar en un 1 medio entre los dos mencionados, es decir
cuenta con 4 electrones en su capa valencia.
4.- De la idea básica de semiconductores dopados.
Se añaden átomos de impurezas a un cristal intrínseco para modificar su
conductividad eléctrica.
6.- Diga porque hay una corriente muy pequeña en un diodo polarizado en inversa:
La energía eléctrica crea continuamente pares de electrones libres y huecos, lo
que significa que en ambos lados de la conexión P-N, existen pequeñas
concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de estas se
recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hayan dentro de la
zona de deflexión pueden vivir lo suficiente para cruzar la unión. Cuando esto
sucede, por el circuito externo circula una pequeña corriente.
8.-¿ Por qué un diodo emisor de luz produce luz?
La tensión aplicada eleva los electrones a niveles superiores de energía, cuando
estos electrones caen de nuevo a niveles de energía inferiores desprenden
energía, en forma de luz en el caso del diodo emisor de luz (led).
10.- ¿Qué es la corriente superficial de fugas?
Es una pequeña corriente que circula sobre la superficie del cristal. Es causada
por impurezas en la superficie del cristal.
12.-¿En qué se diferencian el silicio extrínseco y el intrínseco?
Como intrínseco el silicio se comporta como aislante en el extrínseco se le agrega
un electrón de valencia haciéndolo actuar como conductor.
14.- En la unión pn de un diodo ¿Cuáles son las cargas portadoras que se
mueven, huecos o electrones libres?
Los huecos son las cargas portadoras que se mueven.
PROBLEMAS RESUELTOS
2-6 Un diseñador debe utilizar un diodo de silicio entre las temperaturas de 0C a
75c. ¿Cuáles serán los valores mínimo y máximo de la barrera de potencial?
Vmax= (-2x10-3)(0ᵒC-25ᵒC)
Vmax= 50mV
Vb= 0,7V+0,05V= 0,75V
Vmin= (-2x10-3)(75ᵒC-25ᵒC)
Vmin= -100mV
Vb= 0,7-0,1=0,6V
2-7 Un diodo de silicio tiene una corriente de saturacion de 10nA a 25ᵒC. Si debe
funcionar en el rango de 0ᵒC a 75ᵒC, cuales serán los valores máximos y minimos
de la corriente de saturación?
El cambio de temperatura es:
∆T= 0ᵒC -25ᵒC= -25ᵒC
∆T= 75ᵒC-25ᵒC= 50ᵒC
Según la ecuación(2-5), la corriente se dobla siete veces entre 5ᵒC y 80ᵒC
Is= ( )(10nA)= 1280nA
Y tomando como referencia la ecuación (2-6) hay cinco adicionales entre 5 y 80
Is= (1,0 )(1280)1795nA
2-7 Si la corriente superficial de fugas es 2nA para una tensión inversa de 25V
¿Qué valor toma la corriente superficial de fugas para una tensión inversa de 35V?
IsL = = 2,8nA
1.- Cuando la representación de la corriente en función de la tensión es una línea
recta, el dispositivo se conoce como: LINEAL
2.- ¿Qué clase de dispositivo es una resistencia? LINEAL
3.- ¿Qué clase de dispositivo es un diodo? NO LINEAL
4.-¿Cómo esta polarizado un diodo que no conduce? INVERSAMENTE
5.- Cuando la corriente por el diodo es grande, la polarización es?DIRECTA
6.- ¿La tensión umbral de un diodo es aproximadamente igual a: LA BARRERA
DE POTENCIAL
8.- En la segunda aproximación, ¿Qué tensión hay en un diodo de silicio
polarizado en directo? 0,7V
9.- En la segunda aproximación, ¿Qué corriente hay en un diodo de silicio
polarizado en inversa? 1mA
13.- El diodo ideal es generalmente adecuado para: HACER CALCULOS
PRECISOS
14.- La segunda aproximación funciona bien para:DETECCION DE AVERIAS
15.- La única ocasión en la es necesario utilizar la tercera aproximación es
cuando: NINGUNA DE LAS ANTERIORES