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Diapositivas de Transistores de Efecto Campo
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República Bolivariana de Venezuela
Instituto Universitario Politécnico
“Santiago Mariño”
Extensión Maturín
TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
Profesora: Mariangela Pollonais
Bachilleres:Jhonn López
María fuentesOriana Ruiz
CONTENIDO
Transistor De Efecto Campo
Estructura De Los Transistores De Efecto De Campo
Tipos De Transistores
Polarización De Los Transistores De Efecto De Campo
TRANSISTOR DE EFECTO CAMPO
Son dispositivos semiconductores de tres terminales muy utilizados en circuitos digitales y analógicos.
ESTRUCTURA DE LOS TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO
TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO
1) Transistor JFET
3)Transistor
MESFET
2) Transistor
MOSFET
TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO
Fue ideado teóricamente
por el austrohúngaro Julius
von Edgar Lilienfeld en
1930.
El MOSFET
El MOSFET (Transistor de
Efecto de campo metal-
oxido semiconductor).
TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO
Existen cuatro tipos de transistores MOS:
1. Enriquecimiento de canal N
2. Enriquecimiento de canal P
3. Empobrecimiento de canal N
4. Empobrecimiento de canal P
TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO
Simbología
TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO
El JFET
El JFET (Transistor De Efecto De
Campos De Unión).
Los valores de entrada son
las tensiones eléctricas.
Según el valor de entrada, la salida
del transistor presentará una curva
característica.
TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO
El MESFET(Transistor de efecto de campo metal-
semiconductor) fue propuesto por Mead en 1966.
Puede operar a frecuencias bastante altas en la
región de las microondas.
El electrodo esta formado por una unión metal-
semiconductor .
El MESFET
TIPOS DE TRANSISTORES DE EFECTOS DE CAMPO
Transistor MESFET
Transistor MOSFET
POLARIZACIÓN DE UN JFET
Exige que las uniones p-n estén
inversamente polarizadas.
La tensión de drenado debe ser
mayor que la de la fuente.
La puerta debe tener una tensión
mas negativa que la fuente.
CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN JFET
Rango de corte
Región Lineal
Región de saturación
Región de ruptura
POLARIZACIÓN DE UN MOSFET
Al aplicar una tensión positiva en la puerta se induce cargas
negativas en la superficie del substrato .
La tensión mínima para crear esa capa de inversión se
denomina tensión umbral.
Los valores típicos de esta tensión son de 0.5 V a 3 V
CURVAS CARACTERÍSTICAS DE UN MOSFET
Rango de corte
Región Lineal
Región de saturación
Región de ruptura
Gracias por su Atención
