Estado actual de las memorias · 017 DDR2 SDRAM Micron ofrece memorias DDR2 SDRAM que duplica la velocidad de acceso de las DDR, permitiendo cuatro transferencias de Datos por cada

Estado actual de las memorias enSILICA

Enero 2007

02

Características de las Memorias

Una Memoria es un dispositivo de Almacenamiento de Datos binarios, del tipo código, datos o parámetros.

La capacidad de información que puede almacenar se mide en bits.

Según el método de acceso puede ser de acceso Aleatório o de acceso Serie.

Según las características físicas puede ser Volátil o No Volátil, es decir, que la volátil pierde la información al desconectar la alimentación y la no volátil ls mantiene.

03

Tipos de memorias

Memorias

Volátiles No Volátiles

DRAMRAM Dinámicas

SRAMRAM Estáticas

Tecnologíaactual

NuevasTecnologías

SDRAM

DDRAM

Asíncronas SRAM

Síncronas SRAM

Dual Port SRAM

FIFO SRAM

Flash

Eeprom

MROM

PROM

EPROM

MRAM

NVRAM

SRAM Serie

PSRAM

LPSDRAM

DDR2 SRAM

04

Principales funciones de las memorias

RotatorioNo VolátilRAMMemorias

Memoria de trabajo

Parámetros

Código + Parámetros

Código

Código + Datos

Datos

ODD

HDD

FLASHCARD

NANDFLASH

NORFLASH

EPROMEEPROMNVRAMSRAMDRAMPSRAM

Uso posible

Aplicación típica

La siguiente tabla permite identificar cada memoria con su función en un sistema

05

Memorias dentro de un Procesador

CPU

SRAM

FLASHPeripherals

Peripherals

• Cada día más los procesadores (microcontroladores o DSPs) incluyen más periféricos y uno de ellos son las memorias.

• Empezaron con las SRAM, Eprom, OTP, Eeprom, Flash….. •Estas simplemente hay que fijarse en las características propias del procesador correspondiente.

06

Memorias externas Serie

CPU

SRAM

FLASHPeripherals

Peripherals

SRAM/EEPROMEEPROM

Flash

SPI o MicrowireI2C

Las memorias externas pueden ser con interfaz serie y paralelo, las que usan una interfaz serie más utilizadas son via SPI, I2C y Microwire.

• La ventaja es la reducción de pistas y tamaño del circuito impreso.

• La desventaja del uso de las memorias serie es la velocidad de acceso, con I2C hasta 400kHz, con SPI/Microwire hasta 10MHz, con Flash hasta 50MHz.

07

Memoria Boot Flash Serie

SRAM

Peripherals

SDR SDRAM32-bit

SPI FLASH(NOR)

CPU

Peripheral8-bit

SPI Bus 25 - 50 MHz 4/

Shared SDRAM/Async Bus

SRAM

Peripherals

SPI FLASH(NOR)

CPU

SPI Bus 25 - 50 MHz 4/

SDRAM Bus

Async bus for Peripherals

08

Memorias externas a un Microprocesador

CPU

SRAM

FLASHPeripherals

PeripheralsSDRAM16-bit

FLASH(NOR)16-bit

Peripheral8-bit

SDRAM32-bit

D[31;24]D[31:16]D[31:0]D[31:16]Data

B 3B[3:2]B[3:0]B[3:2]Byte Select

A[19:0]A[19:0]A[19:0]A[19:0]Address

PeripheralFlashSDRAM32-bit

SDRAM16-bit

Component

09

Memorias externas con Bus Unificado

SRAM

Peripherals

SDR SDRAM32-bit

Boot FLASH(NOR)

8-bit or 16-bit

CPU Bus Unificadocon SDRAMy Boot Flash

B 3

D[31:24]

A[19:0]

Boot Flash8-bit

B[3:0]

D[31:0]

A[19:0]

SDR SDRAM32-bit

D[31:16]Data

B[3:2]Byte Select

A[19:0]Address

Boot Flash16-bit

Component

010

Memorias con Split Bus

SRAM

Peripherals

Boot FLASH(NOR)

8-bit or 16-bit

CPU Split BusData

AddressControl

Control

Data

DDR1 SDRAM16-bit

B 2

D[15:8]

A[19:0]

Boot Flash8-bit

B[0:1]

D[31:16]

A[15:0]

DDR1 SDRAM16-bit

D[15:0]Data

B[2:3]Byte Select

A[19:1]Address

Boot Flash16-bit

Component

011

Memorias externas con Buses dedicados

SRAM

Peripherals

CPU

DDR1/SDR SDRAM16-bit

Boot FLASH(NOR)8-bit

Peripheral8-bit


FlexBus - 32-bit muxed Addr/Data, or non-muxed 24 Addrr / 8 Data

Dedicated SDRAM Bus

B 3

D[31:24]

A[19:0]

Boot Flash8-bit

SDDM[3:0]

SDDATA[31:0]

SDDQS[3:0]

SDADDR[12:0]

DDR1 SDRAM16-bit

D[31:24]Data

B 3Byte Select

A[19:0]Address

Peripheral8-bit

Component

012

Memorias externas - Buses dedicados 2

SRAM

Peripherals

CPU


Boot FLASH(NOR)16-bit

FPGA


Non-multiplxed Bus, 32 Addr / 32 Data

Dedicated SDRAM Bus - 133MHz (CPU frequency/2)

Bus completamente no multiplexado

SRAM32-bit

B[3:0]

D[31:0]

A[19:0]

FPGA

B 3

D[31:16]

A[19:0]

Boot Flash16-bit

SDDM[3:0]

SDDATA[31:0]

SDDQS[3:0]

SDADDR[12:0]

DDR1 SDRAM16-bit

D[31:0]Data

B[3:0]Byte Select

A[19:0]Address

SRAM32-bit

Component

Memorias DRAM

DRAM

SDRAMMicron

DDR SRAMMicron

PSRAMMicron - Cypress

Módulos de MemoriaMicron

DDR2 SRAMMicron

RLDRAMMicron

014

DRAM (Dynamic Random Access Memory)

Memoria Dinámica de Acceso Aleatorio Es un tipo de RAM que almacena cada bit de Datos en la capacidad

parásita de puerta de un transistor mosfet, que tiene que ser recargado periódicamente, operación que se denomina “refresco”.

Si se deja de aplicar alimentación se pierden los datos. La celda de memoria DRAM es mucho más sencilla, lo que permite

construir matrices de memoria muy grandes por chip, a un coste por bit muy menor que la de las memorias SRAM. Por el contrario, necesitan una circuitería de refresco. El tiempo de acceso a una DRAM es algo menor que en una SRAM, pero consumen menos.

Tipos: SDRAM (Memoria RAM Dinámica de Acceso Síncrono): Es capaz

de leer o escribir a un ciclo de reloj por acceso, es decir, sin estados de espera intermedios. Trabaja a la velocidad del bus del sistema.

DD SRAM (Double Data Rate SDRAM): Es una memoria síncrona, envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. Trabaja al doble de la velocidad del bus del sistema.

015

SDRAM

La familia SDRAM de Micron consiste de 64Mb, 128Mb, 256Mb y 512Mb.

Interface síncrono a 3V3. Encapsulados en TSOP o FBGA Familia MT48LCxxx SDRAM (hasta 200Mhz) y Mobile SDRAM (hasta 133MHz) que son

las más conocidas.

Nomenclatura, ejemplos y encapsulados MT48LC128M4 (128Mb x 4bits de ancho de bus) MT48LC16M16 (16Mb x 16bits de ancho de bus) P y T = TSOP F y B = FBGA

www.micron.com http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides

016

DDR SDRAM

Micron ofrece memorias DDR SDRAM con una amplia variedad de capacidades, velocidades y configuraciones.

Desde 128Mb hasta 1Gb Ancho de bus x4, x8, x16 Alimentación 2,5V Encapsulados TSOP y FBGA hasta 300MHz

DDR Mobile de 128Mb hasta 256Mb x16 y x32, encapsulado en VFBGA hasta 166MHz

Nomenclatura, ejemplos y encapsulados MT46Vxx, MT46V16M16 16Mb x 16 de ancho de bus Tipos B y F encapsulados FBGA Tipos P y T encapsulados en TSOP


017

DDR2 SDRAM

Micron ofrece memorias DDR2 SDRAM que duplica la velocidad de acceso de las DDR, permitiendo cuatro transferencias de Datos por cada ciclo de reloj.

Capacidades desde 256Mb hasta 2Gb.

Ancho de bus x4, x8 y x16

Alimentación a 1,8V

Encapsulados en FBGA y VFBGA.

DDR3 duplica la velocidad de la DDR2, disponibles hasta 1Gb.

Nomenclatura, ejemplos MT47Hxxx, MT47H128M16 128Mbits x 16 de ancho de bus


018

RLDRAM II

RLDRAM II ™ (Reduncy Latency DRAM II) arquitectura de altas prestaciones (hasta 4,6GB/s) para aplicaciones de networking, caché de nivel 3 y graficos. Desde 256Mb hasta 576Mb Ancho de bus x9, x16, x18, x32 y x36 Encapsulado T-FBGA. I/O Votage 1.5V/1.8V. Hasta 533MHz

Nomenclatura: MT49Hxx, MT49H16M18BM33 FBGA 144, 16Mbits, ancho de bus

x18, 1V5, www.micron.com http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides

019

PSRAM (PSeudo SRAM)

PSRAM (PowerSaving SRAM) que internamente es una DRAM con interface de SRAM Desde 8Mb hasta 256Mb Ancho de bus x16 y x32 Encapsulado VFBGA. I/O Voltage1.70V-3.30V. Hasta 133MHz

Nomenclatura: MT45Wx, MT45W1MW16BDG708WT 1Mbit x16 VFBGA 70ns

www.micron.com

http://www.micron.com/support/designsupport/documents/guides

020

PSRAM (PSeudo SRAM)

1.8VInd (-40 to 85 C)70nsUltra Low Power48 VFBGA1Mb x 1616MbCYU01M16SFE

3VInd (-40C to 85C)70nsUltra Low PowerFBGA1 Mb X 1616MbCYU01M16SCG3VInd (-25 to 85 C)55ns, 70nsUltra Low Power48 FBGA512Kb x 168MbCYK512K16SCCA3VInd (-25 to 85 C)55ns, 70nsUltra Low Power48 VFBGA256Kb x 164MbCYK256K16SCCB3VInd (-25 to 85 C)55ns, 70nsUltra Low Power48 VFBGA256Kb x 164MbCYK256K16MCCB3VInd (-25 to 85 C)55ns, 70nsUltra Low Power48 VFBGA128Kb x 162MbCYK128K16SCCB3VInd (-25 to 85 C)55ns, 70nsUltra Low Power48 VFBGA128Kb x 162MbCYK128K16MCCB3VInd (-25 to 85 C)70nsUltra Low Power48 FBGA1Mb x 1616MbCYK001M16ZCCA3VInd (-25 to 85 C)55ns, 70nsUltra Low Power48 FBGA1Mb x 1616MbCYK001M16SCCA

VccTemp rangeAccessPowerPackagesOrganizationMemoryPSRAM

Cypress ofrece las memorias que denomina Specialty DRAM, las Pseudo SRAM que internamente es una DRAM con interface de SRAM Capacidades: desde 1Mbits hasta 16Mbits Compatibles con SRAM pero mas baratas Están destinadas, principalmente, al mercado de teléfonos móviles.

No SAP

021

Módulos de Memoria

Micron ofrece módulos DIMM, MiniDIMM (244pins) y SODIMM (200pins) de SDRAM, DDR y DDR2 con capacidades hasta 4GB y velocidades hasta PC2-6200 en rango comercial e industrial.

Tipos y Nomenclatura: FBDIMM (Fully Buffered DIMM), UDIMM (Unbuffered DIMM), VLPDIMM (VeryLowProfile DIMM), VLPminiDIMM (VeryLowProfile miniDIMM),RLDIMM (ReducedLatency DIMM), Mini DIMM, SODIMM (SmallOutline DIMM) UDIMM MT18HTF12872 128Mbits x72 DDR2 UDIMM MT9HTF6472 64Mbits x72 DDR2 SODIMM MT16HTF12864 128Mbits x64 DDR2 MiniDIMM MT9HTF6472Y40 64Mbits x72

MiniDIMM

SODIMM

DIMM

Memorias SRAM

SRAMRAM Estática

SíncronasCypress

AsíncronasCypress

Dual PortCypress

FIFOCypress

FAST SRAMCypress - Renesas

LowPower SRAMCypress - Renesas

SRAM SerieNXP

023

SRAM (Static Random Access Memory)

Memoria Estática de Acceso Aleatorio La palabra “estática” indica que la memoria retiene el contenido

mientras se le aplica alimentación. "Acceso aleatorio" significa que la localización de las posiciones en la

memoria no siguen ningún orden donde los datos serán leídos o escritos.

Las celdas de almacenamiento son registros o biestables (flip-flop).

Tipos Asíncronas SRAM: Independientes de la frecuencia de reloj; los

Datos de entrada y los Datos de salida están controlados por la transición de las Direcciones.

Síncronas SRAM: Todas las sincronizaciones se inician por el tiempo de subida y de bajada del reloj. Las Direcciones, Datos de entrada y otras señales de control están asociadas con las señales del reloj.

024

SRAM Asíncronas

Distinguimos 2 tipos: Fast: debajo de 25ns Micropower o Slow: 45ns y superior

Cypress es el líder en SRAM y concretamente en las FAST SRAM, con un ancho catálogo de dispositivos.

Capacidades desde 4 Kb hasta 32 Mb, en varias opciones de voltage, ancho de bus, y encapsulados, con un tiempo de acceso muy rápido.

Fast Asynchronous SRAMs estan fabricadas usando tecnología CMOS de Cypress, uno de los más antiguos fabricantes de Fast Asynchronous SRAM.

Las aplicaciones de las Fast Asynchronous SRAMs es muy amplio, desde switches y routers, teléfonos IP, IC-Testers, DSLAM Cards, Automoción o cualquier aplicación que requiera estas características.

Nomenclatura: Tabla siguiente página

025

Fast SRAM Asíncronas

532Kb x8256KbCY7C199C5512Kb x84MbCY7C1049B

5256Kb x1256KbCY7C197BN3.31Mb x44MbCY7C1046CV33

564Kb x4256KbCY7C194BN51Mb x44MbCY7C1046B

564Kb x4256KbCY7C1923.3256Kb x164MbCY7C1041CV33

564Kb x164KbCY7C1875256Kb x164MbCY7C1041B

58Kb x864KbCY7C1853.3256Kbx246MbCY7C1034DV33

54Kb x416KbCY7C168A3.3128Kb x243MbCY7C1024DV33

516Kb x116KbCY7C167A3.364Kb x161MbCY7C1021CV33

516Kb x464KbCY7C1662.664Kbx161MbCY7C1021CV26

516Kb x464KbCY7C164564Kb x161MbCY7C1021B

54Kb x44KbCY7C1483.3256Kb x16512KbCY7C1020DV33

3.332Kb x8256KbCY7C1399B3.332Kb x16512KbCY7C1020CV33

52Kb x816KbCY7C128A2.632Kb x16512KbCY7C1020CV26

5128Kb x81MbCY7C109B532Kb x16512KbCY7C1020B

51Mb x11MbCY7C107B3.3128Kb x81MbCY7C1019CV33

5256Kb x41MbCY7C106B5128Kb x81MbCY7C1019B

3.32Mb x816MbCY7C1069AV333.3128Kb x81MbCY7C1018CV33

3.3512Kb x3216MbCY7C1062AV333.3512Kb x2412MbCY7C1012AV33

2.5512Kb x3216MbCY7C1062AV253.3128Kb x162MbCY7C1011CV33

3.31Mb x1616MbCY7C1061AV333.3256Kb x82MbCY7C1010CV33

3.31Mb x88MbCY7C1059DV335128Kb x81MbCY7C1009B

3.3512Kb x168MbCY7C1051DV3351Mb x11MbCY7C1007B

3.3512Kb x84MbCY7C1049CV335256Kbx41MbCY7C1006D

VccOrganizationMemory VccOrganizationMemory

026

Fast SRAM

QDR SRAM QDR™ (Quad Data Rate) SRAMs, son ideales para las aplicaciones de la siguiente generación de comunicaciones. Las QDRs están organizadas x9, x18 y x36 en BGA 165, con una rango de frecuencias desde 167MHz hasta 333MHz, a 1,8V. Aplicaciones: Network switches, routers y otras soluciones de comunicaciones basadas en diseños LA-1 (Look-Aside Interface). Estan especialmente diseñadas a los estándars de network como OC-48, OC-192 y OC-768. Nomenclatura: HM66AQB9402BP-60 36Mbit 4Mbitx9 BGA 1,8V

Network SRAM Es una compatible ZBT™ (Zero Bus Turnaround™ (ZBT®) *1), son de 18 Mbits. Nomenclatura: HM5M5V5A36GP-85 18Mbit 512kbitx36 TQFP100 3V

Late Write Synchronous SRAM Se usan especialmente como “cache” y “buffer”, son de 16Mb, con ancho x36, BGA 119, 2,5 V (I/O a 1.5V.), 300MHz. Nomenclatura: HM64YGB36100BP-33 32Mbit 1Mbitx36 BGA 119 3V

Asynchronous SRAM Se usan en aplicaciones industrial y comunicaciones, 4Mb SRAM asíncronas, organizadas x4, x8, y x16 Nomenclatura: R1RW0416DSB-2PR 4Mbit 256kbitx16 TSOP 3V

http://www.renesas.com/

Ningunaen SAP

027

LowPower SRAM

MicroPower SRAM Cypress's MoBL(TM) SRAMs domina el mercado “low-power” con dispositivos desde 64 Kb

hasta 64 Mb con diferentes opciones de tensiones y ancho de bus, tiempos de acceso de 45 ns, con una disipación muy baja en “standby”, se ofrecen en opciones de encapsulado estandard (RoHS) y en rangos de temperatura Industrial y de Automocion. Las MoBL SRAMs en combinacion con baterias y controlador de memoria, como circuiteria de seguridad, forma una “Super-Fast Non-Volatile-SRAM” para salvaguardar datos como una memoria no-volatil con una vida entre 7 – 9 años.

Ideales en aplicaciones de altas prestaciones y alimentadas con baterias como teléfonos móviles, PDAs, terminales Punto de Venta (POS), maquinas de juego portables, Automoción, Audio portables, Navegación y sistemas Telemáticos.

Nomenclatura: CY62xxx, CY62128 128Kbits x8, CY62157EV30LL-45 256Kbits x16 3V 45ns TSOP Terminaciones: V 3V, V30 3V, V18 1,8V

028

LowPower SRAM

Renesas ofrece memorias Low Power SRAM Desde 256Kb hasta 32Mb) Alimentación a 5V, 3V, 1,8V Ancho de bus x8, x16 Encapsulados en SOP/TSOP/STSOP/FBGA

Nomenclatura: R1LV0408CSB-5SI 4Mbit 256Kbitsx8 TSOP 3V M5M51008DVP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 TSOP 5V M5M51008DFP-70HI 1Mbit 128Kbitx8 SOP 5V

http://www.renesas.com/

029

SRAMs Síncronas Cypress ofrece SRAM síncronas de alta velocidad que incluyen “pipelined” síncrono estándard,

NoBusLatency™ (NoBL™), QuadDataRate™(QDR™), TagRAM, y Doble Data Rate (DDR) SRAMs, que se usan típicamente en aplicaciones de redes. Adicionalmente, Cypress es líder en el mercado de memorias síncronas de 72-Mbits, dispositivos NoBL, QDR-II, y DDR-II SRAM.

Tipos: Synchronous SRAM: SDR y DDR.

Single Data Rate Synchronous SRAM (SDR SRAM) Pipelined Sincrona SRAM: memoria con registros en la entrada y en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de

reloj y la lectura en dos ciclos. Flowtrough: no tiene registros en la salida. La escritura se realiza en un ciclo de reloj y la lectura, también en uno. Burst SRAM: característica que permite obtener datos de posiciones contiguas a partir de una dada. Los datos se

consiguen con cada ciclo de reloj. Doble Data Rate Synchronous SRAM (DDR SRAM)

QDR: Poseen dos puertos separados (para operaciones de lectura y escritura) que pueden correr independientemente a doble velocidad (hasta 2 palabras pueden ser escritas y dos pueden ser leídas al mismo tiempo; el resultado son 4 datos por ciclo de reloj)

DDR: Como QDR pero un único puerto.

Nomenclatura: CY7C11xx No SAP CY7C12xx CY7C13xx CY7C14xx CY7C15xx

www.cypress.com/dualport

No usuales

030

Dual Port SRAM

Cypress ofrece más de 160 dispositivos de memoria Dual Port síncronas o asíncronas, en densidades desde 8Kb hasta 36Mb y velocidades de hasta 250 MHz.

Las memorias Dual-Port son ideales para interconectar procesadores, DSPs o FPGAs para su comunicación o compartición de Datos.

Capacidades: 8 Kb hasta 36 Mb

Alimentación: 5V, 3.3V, 1.8V y 1.5V

Operación: Síncronas y asíncronas

Ancho de Bus: x8, x9, x16, x18, x36, y x72

Nomenclaturas: Familias: CY7C0xx, CY7C1xx, CYD0xx, CYD18Sxx, CYD3x

www.cypress.com/dualport

031

FIFO SRAM

FIFO (First In, First Out): Primero en Entrar, Primero en Salir, es decir el primer Dato que se escribe es el primero que se lee.

Esta memoria se puede utilizar para comunicar dos sistemas con diferentes velocidades, por ejemplo donde el sistema transmisor envía Datos a una velocidad superior a la que el receptor la puede aceptar.

Las memorias FIFO se usan comúnmente como “buffer” y en control de flujo, como en Video, comunicaciones de Datos, Telecomunicaciones, Network switching/routing.

Las memorias FIFO pueden ser:

Síncronas: Una FIFO síncrona usa el mismo reloj tanto para leer como para escribir la memoria.

Asíncronas: Una FIFO asíncrona usa diferentes relojes leer y para escribir la memoria. Existen en una variedad de velocidades y ancho de bus, densidades y encapsulados. También tener las siguientes configuraciones:

Unidireccionales Bidireccionales Tri-bus Doble sincronismo.

www.cypress.com/fifo

032

SRAM I2C

NXP (antes Philips) ofrece una única memoria RAM serie I2C, el PCF8570, de muy bajo consumo, organizada como 256 palabras de 8-bits.

Las direcciones y los Datos son transferidos vía serie a un bus de dos líneas bidireccional (I²C-bus). El registro de direcciones se incrementado automáticamente después de cada byte escrito o leído. Los tres pins de direcciones, A0, A1 y A2 se usan para definir las direcciones hardware, permitiendo usar hasta 8 dispositivos iguales conectados al bus sin hardware adicional.

Alimentación: 2.5 a 6.0 V Muy bajo Voltaje para retención de Datos; mínimo 1.0 V Muy baja corriente en standby; máximo 15 µA Modo power-saving; 50 nA I²C-bus 3 pins de direcciones hardware Incremento automático de dirección Encapsulados en DIP8 y SO8.

www.nxp.com/I2C

Memorias No Volátiles RAM

NVRAM

BBSRAMSTM

NVSRAMCypress

Texas Instruments

MRAMFreescale

034

NVRAM (Ram No Volátil)

STM BBSRAM (Battery-Backed Static RAM):Consiste en una SRAM, una batería y una circuitería de control. SRAM Tiempo de acceso: 70/100 ns Retención de datos: 10 años Desde 16kbits hasta 16 Mbits Opciones con RTC (Real Time Clock) Circuito de control de fallo de alimentación Batería para no perder la información BUS PARALELO….

Dos tipos: ZEROPOWER®: dispositivos NVRAM desde 16Kbits hasta 32Mbits, TIMEKEEPER®: dispositivos que incluyen RTCs (Real-Time Clocks) y un

rango desde 1Kbit hasta 4Mbits.

http://www.st.com/stonline/products/families/memories/nvram/nvram.htm

035

NVRAM (Timekeeper)

NoYes5.54.51Kb (128 x 8)PDIP 24 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48T86

YesYes5.54.564Kb (8K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48T59Y

NoNo5.54.564Kb (8K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48T58Y

NoNo5.54.7564Kb (8K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWERM48T58

YesNo5.54.54Mb (512K x 8)HYBRID MODULE 32LM48T512Y

YesYes5.54.5256Kb (32K x 8)SO44.350 BATT Cu w/socketM48T37Y

YesYes3.63256Kb (32K x 8)SO44.350 BATT Cu w/socketM48T37V

NoNo5.54.5256Kb (32K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48T35Y

NoNo3.63256Kb (32K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48T35AV


NoNo5.54.54Mb (512K x 8)HYBRID MODULE 32LM48T251Y



NoYes5.54.51Mb (128K x 8)HYBRID MODULE 32LM48T129Y

NoYes3.631Mb (128K x 8)HYBRID MODULE 32LM48T129V



NoNo5.54.564Kb (8K x 8)SO 28 BATTERYM48T08Y



Yes-3.6332Mb (1M x 32)PBGA 44.5X44.5 168 MODULE 1.27M440T1MV

WDTProgrammable AlarmMax VMin VMemoryPackagePart Number

036

NVRAM (Zero Power)

5.54.564Kb (8K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48Z58Y

5.54.7564Kb (8K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWERM48Z58

5.54.54Mb (512K x 8)HYBRID MODULE 32LM48Z512AY

5.54.754Mb (512K x 8)HYBRID MODULE 32LM48Z512A

5.54.5256Kb (32K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48Z35Y

3.63256Kb (32K x 8)PDIP 28 .7 ZERO POWER; SO 28 BATTERYM48Z35AV


3.63256Kb (32K x 8)SO 44 .350 BAT Cu wo/socketM48Z32V

5.54.516Mb (2Mb x 8)HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWERM48Z2M1Y

3.6316Mb (2Mb x 8)HYBRID MODULE 36L .6 ZEROPOWERM48Z2M1V


3.631Mb (128K x 8)HYBRID MODULE 32LM48Z129V

5.54.51Mb (128K x 8)HYBRID MODULE 32LM48Z128Y

5.54.751Mb (128K x 8)HYBRID MODULE 32LM48Z128




Max VMin VMemoryPackagePart Number

037

NVRAM (RAM No Volátil)

Texas Instruments NVSRAM Consta de una SRAM, una célula de

Litio y una circuitería de control. Vida: 10 años de retención de Datos Desde 64kbytes hasta 2048kbytes. Zócalo compatible con SRAM y

Eeprom.

Opción dos chips, el controlador y la SRAM BQ2201: Controlador externo para

SRAM y batería.

038

NVSRAM

256Kx8 Nonvolatile SRAM, 10% Voltage Tolerance

20.0032DIP MODULE

5Yes 2048BQ4014Y


20.0032DIP MODULE

5Yes 2048BQ4014


9.5032DIP MODULE

5Yes 1024BQ4013Y


9.5032DIP MODULE

5Yes 1024BQ4013


7.5028DIP MODULE

5Yes 256BQ4011Y


7.5028DIP MODULE

5Yes 256BQ4011


6.5028DIP MODULE

5Yes 64BQ4010Y


6.5028DIP MODULE

5Yes 64BQ4010

SRAM Nonvolatile Controller IC for 4 SRAM Banks

2.3016PDIP 16SOIC

5 BQ2204A

SRAM Nonvolatile Controller IC for 1 SRAM Bank

1.858PDIP 8SOIC

5 Yes BQ2201

Description Price1KU(US$)

Pin/Package SupplyVoltag

e (V)

Mod.

Controller

Memory

(Kb)

PartNumber

039

NVSRAM (Ram No Volátil)

Cypress NVSRAM (No Volatil Static RAM):Consiste en una SRAM, una Eeprom y una circuitería de control. SRAM + Eeprom 16k, 1Mbit Interface: SRAM Alimentación: 3V y 5V Tiempo de acceso: 15/25/35/45 ns Retención de datos: 20 años a 85ºC Opciones con RTC (Real Time Clock) Condensador para no perder la información cuando se pasa la información de la SRAM a la Eeprom

SOIC, 25ns/35ns 52Kb x8CY22E016L



SSOP, SOIC, 25ns/35ns 332Kb x8CY14B256L

SSOP, 25ns/45nsRTC332Kb x8CY14B256K

SSOP, 25ns 3128Kb x8CY14B101L

SOIC, 35ns 3128Kb x8CY14B101L

SSOP, 25ns/45nsRTC3128Kb x8CY14B101K

Package - accessRTCVccMemoryNVSRAM

040

MRAM (Magnetoresistive Random Access Memories)

Freescale (MRAM) Usa materiales ferromagnéticos (Ni, Fe, Co) para producir dos capas magnéticas

que contienen un estado “1” o “0”. Las capas están separadas por un fino dieléctrico de óxido de aluminio.

Una capa es magnéticamente fija, mientras que la otra puede conmutar en orientación polar.

La capa libre tiene la habilidad de orientar los momentos magnéticos en el material en la misma dirección (paralela) que la orientación de la placa fija o con la orientación opuesta (antiparalela).

Ambos estados son estables, pero se diferencian en la resistencia. La información se almacena como polarización magnética y detectada como un cambio en la resistencia.

Vida muy alta, de rápida programación. Programable byte a byte Se necesita baja energía en la programación comparado con la Flash y la Eeprom. El tamaño del bit de la celda competitiva con la eDRAM. Competitiva en velocidad con la SRAM (excepto con las más rápidas).

N SS N S N

S NCapa LibreCapa fija

Alta Resistencia = “1” Baja Resistencia = “0”

041

Freescale MRAM

Memoria MRAM MR216ATS35C 4Mbits organizado (256Kx16bits) Alimentación: 3.3V Tiempo de acceso: 25ns r/w. Pinout como una Fast SRAM (alimentación y

masa en el centro). Rango de Temperatura Comercial (0-70°C) Encapsulado TSOP tipo-II. Bus de Datos flexible (acceso 8/16-bits) LVI previene perdidas de escrituras I/O compatible TTL Operación completamente estática. 10 años en retención de Datos. Vida: >1016

44434241403938373635343332313029282726252423

12345678910111213141516171819202122

A15A14A13GUBLBDQU15DQU14DQU13DQU12VSSVDD

DQU11DQU10DQUS9DQU8NCA9A8A7A6A5

A16A17A10A11A12

EDQL0DQL1DQL2DQL3

VDDVS S

DQL4DQL5DQL6DQL7

WA0A1A2A3A4

EEPROM

EEPROMSerie

I2C™STM - NXPMicrochip

SPI™STM

Microchip

Microwire®STM

Microchip

043

Eeprom Eeprom o E2Prom (Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory)

Es una memoria programable y borrable eléctricamente. Se pueden conectar a un bus paralelo o serie (I2C, SPI, Microwire ™) Se puede escribir byte a byte

STM, Microchip y Philips (NXP) ofrecen EEPROMs con un ancho rango de tamaños de memoria y de comunicaciones serie. Desde 1kb hasta 512kb. 3 tipos de buses: I2C, SPI, Microwire Varios rangos de alimentación (5.5V, 2.5V, 1.8V) Encapsulados muy pequeños en 8-pins.

www.st.com/eeprom/

www.microchip.com/eeprom

www.nxp.com/i2c

044

EEPROM I2C™

103240100055.52.564Kb x8M34D64-W

23240100055.52.564Kb x8M24C64-W

0.232401000105.51.864Kb x8M24C64-R

23240100055.52.532Kb x8M24C32-W

0.232401000105.51.832Kb x8M24C32-R

0.51640100055.52.516Kb x8M24C16-W

0.316401000105.51.816Kb x8M24C16-R

0.5-2.01640100055.52.58Kb x8M24C08-W

0.316401000105.51.88Kb x8M24C08-R

0.5-2.01640100055.52.54Kb x8M24C04-W

0.316401000105.51.84Kb x8M24C04-R

0.5-2.01640100055.52.52Kb x8M24C02-W

0.316401000105.51.82Kb x8M24C02-R

0.51640100055.52.51Kb x8M24C01-W

0.316401000105.51.81Kb x8M24C01-R

21284010055.52.5512Kb x8M24512-W

212840100105.51.8512Kb x8M24512-R

26440100055.52.5256Kb x8M24256-BW

564401000105.51.8256Kb x8M24256-BR

26440100055.52.5128Kb x8M24128-BW

164401000105.51.8128Kb x8M24128-BR

Standby(uA)

Page Size(byte)

Data Retention

(years)

Erase/write(Kcycles)

Write CycleTime (ms)

Max VMin VMemory Part Number

045

EEPROM I2C™

Microchip ofrece una familia de Eeprom serie I2C compatible con un rango de capacidad desde 128 bits hasta 1Mbit. 1.000.000 ciclos, >200 años retención.

Familia 24xx

Nomenclatura: 24AAxx 1,5V a 5V (1,8V 100kHz, 5V 400kHz) 24LCxx 2,5V a 5V 24Cxx 5V

Xx = 00 128bit, 01 1kbit, 02 2Kbit, 04 4kbit, 08 8kbit,… 16, 32, 64, 128, 256, 512,…. 1025 1Mbit.

046

EEPROM I2C™

NXP (antes Philips) ofrece Eeprom I2C y con tecnología CMOS con muy bajo consumo.

Se pueden reprogramar como mínimo 1millon de veces (a 25ºC). Escritura byte a byte o páginas de 8 bytes. Lectura secuencial o aleatória.

047

EEPROM Microwire®

540100055.52.54Kb x16SO8M93S66-W

1540100055.54.54Kb x16SO8M93S66

540100055.52.52Kb x16SO8M93S56-W

1540100055.54.52Kb x16SO8M93S56

540100055.52.51Kb x16SO8M93S46-W

1540100055.54.51Kb x16SO8M93S46

540100055.52.516Kb x8; 16Kb x16PDIP8; SO8; TSSOP8M93C86-W

1540100055.54.516Kb x8. 16Kb x16SO8M93C86

540100055.52.58Kb x8; 8Kb x16SO8; TSSOP8M93C76-W

1540100055.54.58Kb x8. 8Kb x16SO8M93C76


2401000105.51.84Kb x8; 4Kb x16UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitchM93C66-R

1540100055.54.54Kb x8. 4Kb x16SO8M93C66


2401000105.51.82Kb x8; 1Kb x16; 2Kb x8; 2Kb x16

SO8M93C56-R

1540100055.54.52Kb x8. 2Kb x16SO8M93C56

540100055.52.51Kb x8; 1Kb x16PDIP8; SO8; TSSOP8M93C46-W

1540100055.54.51Kb x8. 1Kb x16PDIP8; SO8M93C46

Standby (uA)

Data Retention (years)

Erase/w rite Kcycles

Write Cycle Tim e (ms)

Max VMin VMem ory PackagePart Num ber

048

EEPROM Microwire®

Microchip ofrece una familia de Eeprom serie Microwire compatible con un rango de capacidad desde 1Kbit hasta 16Kbit. 1.000.000 ciclos, >200 años retención.

Familia 93xx

Nomenclatura: 93AAxx 1,5V a 5V 93LCxx 2,5V a 5V 93Cxx 5V

xx 46 1kbit, 56 2Kbit, 66 4kbit, 76 8kbit, 86 16Kbit.

Letra final A 8bit, B 16bit, C 8/16bit de tamaño de “word”

049

EEPROM SPI™

1.0-2.040100055.52.564Kb x8SO8; TSSOP8M95640-W

140100055.51.864Kb x8SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitchM95640-R

240100055.52.564Kb x8SO8M95640

24010055.52.5512Kb x8SO8; TSSOP8M95512-W

34010055.51.8512Kb x8SO8; TSSOP8M95512-R

1.0-2.040100055.52.532Kb x8SO8; TSSOP8M95320-W

140100055.51.832Kb x8SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitchM95320-R

240100055.54.532Kb x8SO8M95320

140100055.52.5256Kb x8SO 08 WIDE .208 (EIAJ); SO8; TSSOP8M95256-W

-------SO8; TSSOP8M95256

1.0-2.040100055.52.516Kb x8SO8; TSSOP8M95160-W

0.5-5.040100055.51.816Kb x8SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitchM95160

140100055.52.5128Kb x8SO8M95128-W

0.540100055.51.8128Kb x8SO8; TSSOP8M95128-R

1.0-2.040100055.52.58Kb x8SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitchM95080-W

0.5-2.040100055.51.88Kb x8SO8; TSSOP8; UFDFPN 2x3x0.6 8L 0.5MM pitchM95080

1.0-2.040100055.52.54Kb x8SO8; TSSOP8M95040-W

0.5-5.040100055.51.84Kb x8SO8; TSSOP8M95040

140100055.52.52Kb x8SO8M95020-W

140100055.52.52Kb x8TSSOP8M95020

140100055.52.51Kb x8SO8; TSSOP8M95010-W

140100055.51.81Kb x8SO8; TSSOP8M95010

Standby (mA)

Data Ret. (years)

Erase/write Kcycles

Write Cycle Time (ms)

Max

V

Min V

Memory PackagePart Number

050

EEPROM SPI™

Microchip ofrece una familia de Eeprom serie SPI con un rango de capacidad desde 1Kbit hasta 256Kbit. 1.000.000 ciclos, >200 años retención. 10MHz.

Familia 25xx

Nomenclatura: 25AAxxxA 1,5V a 5V 25LCxxxA 2,5V a 5V

xxx 010 1kbit, 020 2Kbit, 040 4kbit, 080 8kbit, 160 16Kbit, 320 32Kbit, 640 64Kbit, 256 256Kbit.

Memorias FLASH

Flash

NOR FLASHSTM – Spansion

INTEL

NAND FLASHSTM

INTELFLASH CARD

FLASH SPISTM

SpansionIntel

Kripto FLASHSTM

052

Memorias Flash NAND y NOR

NAND Flash es una memoria no volátil que tiene la capacidad de mantener y almacenar Datos incluso sin alimentación. Funcionalmente una NAND Flash puede ser vista como una pequeña unidad de disco duro en versión silicio.

NAND Flash almacena Datos en una larga serie de transistores. Cada transistor puede

almacenar un bit de Datos (nota: la celda multi-nivel (MLC) NAND puede almacenar dos bits de Datos en cada celda). NAND Flash ha ganado la gran popularidad de las tradicionales memorias NOR Flash, porque pueden tener muchas más celdas en la misma área de silicio. Esto da a las NAND Flash ventajas en densidad y coste sobre otras memorias no volátiles. NAND Flash permite estas ventajas compartiendo algunas áreas comunes del transistor de almacenaje, que crea cadenas de transistores conectados en serie (en NOR Flash, cada transistor está solo). Esta arquitectura de celdas sucesivas dan el nombre a este tipo de dispositivos: NAND (Not AND) es la referencia de lógica de Boole a como la información es leída de estas celdas.

NAND vs. NOR NOR - Está diseñada para ser un dispositivo de acceso aleatorio, la celda utilizada para

almacenar un bit es mayor que en la NAND, el tiempo de lectura es mas rápido y es la mejor manera para almacenar y ejecutar código en la memoria. Las aplicaciones de almacenar código incluyen Set-Top Boxes, PCs, y teléfonos celulares....

NAND - Es un dispositivo de acceso secuencial (serie), tiempo de lectura lento, célula de almacenado mas pequeña que en NOR por lo que suelen ser mas baratas y es la mejor manera de manejar el almacenaje de Datos como fotos, música o ficheros de Datos. Es la memoria utilizada en las MultimediaCard, SDcard.

Los sistemas de archivos para estas memorias están en pleno desarrollo aunque ya en funcionamiento como por ejemplo JFFS originalmente para NOR, evolucionado a JFFS2 para soportar además NAND o YAFFS, ya en su segunda versión, para NAND. Sin embargo, en la práctica se emplea un sistema de archivos FAT por compatibilidad, sobre todo en las tarjetas de memoria extraíble.

053

Comparación NOR Flash / NAND Flash

RápidaLentaEscrituraRápida (3ms)Muy lenta (5s)Borrado

Muy bajoAltoPrecio

SecuencialAleatorioMetodo de Acceso

Teniendo accesos de 512 bytes; mapa de I/OComo la SRAM, mapa de

memoriaInterface

100,000 a1,000,00010,000 a 100,000Rango de ciclos de

borrado

10% más que la mayor vida esperadaDireccionable cada byteDurabilidad

RápidaRápidoLectura

NoSi

Ejecución de código XIP (Ejecution In Place)

8 a 128 Mbytes1 a 16 MbytesCapacidad

NAND FlashNOR FlashPARAMETRO

054

Spansion ofrece memorias Flash tipo NOR en dos tecnologías: Floating gate – Tecnología tradicional. Almacena un único bit por célula. Tiempo

de acceso mas rápido. Altas prestaciones. Desde 1Mb hasta 128Mb. MirrorBit® – Innovadora tecnología de Spansion capaz de almacenar dos bits

independientes en una única célula. Mas bajo coste. Alimentación 3 V. Desde 16Mb a 1Gb.

Todas las Flash de Spansion soportan XIP (execution in place) y todas las MirrorBit® soportan lecturas en modo pagina.

Memorias NOR Flash

Tecnología MirrorBit®: La célula MirrorBit® de doble la densidad intrínseca,

almacenando dos bits físicos distintos en los lados opuestos de la célula de la memoria.

Cada bit dentro de una célula sirve como una unidad binaria de Datos (por ejemplo, 0 o 1) que está directamente en el mapa de memoria.

La lectura o la programación de un lado de la célula de memoria ocurre independientemente de que cualquier Dato sea almacenado en el lado opuesto de la célula.

055

NOR Flash

2005

2006

2007

BL

FL

GL

GL

LV

FL (small sectors)

AL

CD

F

JL

GL

AL

PL

JL = 3V floating gate, simul R/WPL = 3V floating gate, page mode + simul R/WCD = 3V floating gate, burst mode + simul R/WBL = 3V floating gate, burst modeF = 5V floating gate, standard

GL = 3V MirrorBit, page-modeLV = 3V floating gate, standardAL = 3V floating gate, standardFL = 3V MirrorBit, serial peripheral interface

256 Mb 512 Mb128 Mb64 Mb32 Mb16 Mb8 Mb2 Mb1 Mb 4 Mb 1 Gb

230+ nm200 nm130 nm110 nm90 nm

056

NOR FLASH

To4Gb

To4Gb

Los encapsulados de Spansion permite la máxima libertad entre densidad, familia de producto y proceso de tecnología

S29AL004D

S29AL004D S29AL008D S29AL016D

S29AL032D

S29AL032D

S29GL032A

S29GL128N

S29GL016A

S29GL016A

S29GL032A

S29JL032H

S29GL064A

S29GL064A

S29GL032A

8 Mb 16 Mb 32 Mb 64 Mb4 Mb 128 Mb 256 Mb 512 Mb

S29GL256N S29GL512N

S29GL128NS29GL064AS29GL032A S29GL256N S29GL512N

S29PL032J S29PL064J

S29AL008D S29AL016DS29GL016A S29GL064A

S29JL064H

48 FBGA(0.8 mmpitch)

64-Ball Fortified BGA (1 mm pitch)

48 TSOP

56 TSOP

1 Gb

S29GL01GP

S29GL01GP

057

Codificación de las NOR FLASH

1. Codificación Base

2. Opciones +

Tecnología

DensidadFamiliaSeriePref ijo

987654321

N215LG92S

1716151413121110Tipo

Encapsulad

o

Número deModelo

Rango

TempEncapsulado/

libre PbVelocidad de

Acceso

020IAT11200 nm MirrorBit™ A

200 nm Floating Gate D

110 nm MirrorBit™ N

130 nm Floating Gate H

170 nm Floating Gate G

230 nm MirrorBit™

110 nm Floating Gate

Tecnología

M

J

Designaciónde Tecnología

058

ORNAND FLASH

Nueva tecnología de Spansion que aprovecha lo mejor de las NOR y de las NAND. Optimizada para aplicaciones que requieran gran capacidad de almacenar datos.

Alta capacidad (1Gb, 1.8v - 2Gb, 3.0v) en 90nm

Tecnología MirrorBit®

Rápida escritura y lectura.

Ambos software y hardware interface (NOR y NAND)

Bajo coste.

Capaces de ejecutar código.Product Description Sample Availability Production Release

S30ML512P 512Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ® Now Dec'06S30ML256P 256Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ® Feb'07 Q1'07S30ML128P 128Mb 3V ORNAND, 90nm MirrorBit ® Feb'07 Q1'07

059

NOR FLASH StrataFlash™

StrataFlash™: Es una memoria Flash con tecnología de célula multinivel (MLC Multil Level Cell), de Intel que almacena 2 o 3 bits por célula, en lugar de un bit. El voltaje a través de cada célula está dividido en cuatro niveles, permitiendo cualquiera de las combinaciones posibles de dos bits: 00, 01, 10 o 11. Tres bits por célula se logran con ocho niveles de voltaje.

Serie P30 64Mbit hasta 512Mbit, 1,8V (I/O 3V) Boot Block, x16 Nomenclatura: JS28F128P30B85 (56 TSOP) o PC28F128P30B85 (64BGA)

Serie P33 64Mbit hasta 512Mbit, 3,3V Boot Block, x16 Nomenclatura: JS28F128P33B85 (56 TSOP) o PC28F128P33B85 (64 BGA)

Serie J3 32Mbit hasta 128Mbit, 3V, x8 o x16. Son de sectores iguales (no son Boot Block). Nomenclatura: JS28F256J3 o PC28F256J3

Letra B es “bottom” JS28F128P30B85, Letra T es “top” JS28F128P30T85

http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm

060

NOR FLASH Boot Block

Este tipo de memoria tiene un área reservada para el arranque o “boot”, normalmente de menor tamaño que el resto de sectores. Dependiendo de si esta área está al principio o al final del mapa de memoria, será Top o Bottom.

Boot Block: Es un área de la Flash para la carga y ejecución del sistema operativo necesario para arrancar la aplicación. Este sector es más pequeño

Son las más normales. No son Strataflash con tecnología MLC

Desde 16Mbits hasta 32Mbit, Alimentación 3V, x16 56 TSOP y 64 BGA

Serie C3

http://www.intel.com/design/flash/nor/index.htm

061

NOR FLASH

STM ofrece varias familias de NOR FLASH estándar en la industria.

Nomenclaturas NOR FLASH de 5V 29Fxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32Mbit), x8, x16, 45ns, PLCC, TSOP, SOIC

Nomenclaturas NOR FLASH de 3V M29Wxxx (1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit) M29DWxxx (32, 64, 128Mbit) TSOP48 y TFBGA63 hasta 64Mbit,

TSOP56 y TBGA64 para 128Mbit, 70/90ns M58BWxxx (16, 32Mbit), x32 M28Wxxx (16, 32, 64Mbit), x16, TBGA, Boot Block

www.st.com/flash

062

NOR Flash Secure o Kripto™ Flash

Es una NOR Flash que incluye seguridad, procurando una autentificación entre la Flash y la CPU, con prevención de cualquier operación ilegal por un procesador no autorizado o memoria Flash conectada en paralelo.

El sistema de seguridad incluye también un mecanismo de protección de lectura con la reactivación automática. Esto decir, contra la prevención de la lectura no autorizada de la memoria o la duplicación de sus datos en dispositivos piratas, tanto para salvaguardar la Propiedad intelectual (IP) y el código de programa almacenado.

Solo las hacen en BGA

La diferencia en la nomenclatura con las NOR Flash de STM normales es que incluyen las letras FS y en la última letra si el block es: T(Top), B(Bottom) o U(Uniform). M28W320FSB 32Mbits, 2Mbx16, B(Bottom) M28W640FST 64Mbits, 4Mbx16, T(Top)

http://www.st.com/stonline/products/families/memories/fl_nor_emb/fl_secure.htm

063

NAND FLASH

STM ofrece memorias NAND Flash Nomenclaturas Flash NAND SLC Small Page

Tamaño de pàgina: 528 bytes NANDxxx (128, 256, 512Mbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND128W3A TSOP48, USOP48, VFBGA63

Nomenclaturas Flash NAND SLC Large Page Tamaño de pàgina: 2112 bytes NANDxx (1, 2, 4, 8Gbit), x8, 1,8 y 3V. Ejemplo: NAND01GW3B TSOP48, USOP48, VFBGA63

Flash NAND MLC Large Page Tamaño de pàgina: 2112 bytes NANDxx (4, 8Mbit), x8, 3V. Ejemplo: NAND04GW3C2A TSOP48

www.st.com/nand

064

NAND FLASH

Intel ofrece memorias NAND FLASH. Single Level Cell (SLC). Desde 2 Gbits hasta 16 Gbits Alimentación 3V3 Ancho de bus: x8 Encapsulado 48 TSOP

Nomenclatura JS29Fxx, ejemplo JS29F04G08

www.intel.com/design/flash/nand/

065

NAND FLASH

Production0C to +70C

Yes48L TSOP

Single

3.3Vx816 GbJS29F16G08FANB1


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx88 GbJS29F08G08CANB1


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx84 GbJS29F04G08AANB1

Intel® SD74 NAND Flash Memory - SLC


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx88 GbJS29F08G08FANB3


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx84 GbJS29F04G08BANB3


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx82 GbJS29F02G08AANB3

Intel® SS72 NAND Flash Memory - SLC


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx88 GbJS29F08G08FANA2


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx84 GbJS29F04G08BANA2


Yes48L TSOP

Single

3.3Vx82 GbJS29F02G08AANA2

Intel® SS92 NAND Flash Memory - SLC

StatusTempRoHSPackagePlaneVoltageBusDensityPart Number

066

NAND FLASH

Micron ofrece únicamente memorias NAND FLASH.

NAND Flash desde 1Gb hasta 8Gb...x8 y x16 en encapsulados TSOP y VFBGA. a 1.8V y 3.3V

0C to +70CCommon48-pinTSOP3.3Vx81Gb8GbMT29F8G08DAAWP

0C to +70CCommon48-pinTSOP3.3Vx8512Mb4GbMT29F4G08AAAWP

0C to +70CCommon48-pinTSOP3.3Vx8256Mb2GbMT29F2G08AACWP

0C to +70CCommon48-pinTSOP3.3Vx82Gb16GbMT29F16G08FAAWP

Op. Temp.

I/O Pin Count

Package

Voltage

Width

Depth

Density

Part

067

Flash Serie (SPI)

Las Flash Serie de ST están diseñadas para almacenar código, datos y parámetros, permitiendo una reducción de tamaño de circuito impreso y simplificando el trazado de pistas, siendo de alta velocidad y bajo consumo, encapsulados en 8 pins SO8, TSSOP8, MLP8, Interface SPI, 3V

La serie M25 es pin compatible con las Eeprom serie SPI, la serie M45 no. La serie P es para código, la serie PE es perfecta para guardar datos y parámetros.

Nomenclaturas M25Pxxx (512Kbit, 1, 2, 4, 8, 16, 32, 64, 128Mbit), 50MHz, Sector erase. M25PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase, H/W Prot M45PExxx (1, 2, 4, 8, 16Mbit), 33-50MHz, Page erase

068

Flash Serie (SPI)

Spansion también ofrece memorias FLASH con interface serie SPI. Encapsulados muy pequeños (SOIC8 / 16, WSON..). Desde 4Mb hasta 64MB. 50Mhz.

MirrorBit™

Nox8/x16

512Mb1Gb

1.8 Volts

SerialS30MS-P

MirrorBit™NoUniformx164Mb3 VoltsSerialS25FL064A

MirrorBit™NoUniformBoot Sector

x14Mb3 VoltsSerialS25FL040A




TechnologyMCPSector TypeBus WidthDensityVoltageInterfaceProduct Number

069

Flash Serie (SPI)

Intel ofrece memorias Flash serie de 16Mb, 32Mb y 64Mb. 3V. Incluyen seguridad, con un espacio OTP: Identificador único de 64

bits de factoría, 64 bits OTP programable por el usuario, 3920 bits OTP adicionales programable por el usuario.

Nomenclatura: Familia S33 QH25F320S33B8

016 = 16 Mbit, SOIC-8160 = 16 Mbit, SOIC-16320 = 32 Mbit640 = 64 MbitLetra B “bottom”, letra T “top”.

http://www.intel.com/design/flash/index.htm

Memorias PROM

PROM

OTP EPROMSTM MROM

071

EPROM

EPROM(Erasable Programmable Read Only Memory), memoria que puede ser programada y se puede borrar para volver a usar.

Para borrarla se necesita poner luz ultravioleta que se aplica en la ventana de cuarzo que hay en la parte superior de la Eprom.

Nomenclaturas EPROM 5V M27Cxxx (64, 256, 512kbits, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 5V M27Cxxx (4Mbit), x16, 5V M27Cxxx (16, 32Mbit), x8 x16 5V

Nomenclaturas EPROM Low Voltage M27Wxxx (256, 512kbit, 1, 2, 4, 8Mbit), x8, 3V M27Wxxx (4Mbit), x16, 3V3 M27Vxxx (16, 32Mbit), x8 x16, 3V3

072

Convenciones

Conventions 0x: Hexadecimal prefix 0b: Binary prefix K: 1,000 M: 1,000,000 Nibble: 4 bits Byte: 8 bits Word: 16 bits Kword: 1,024 words Kb: 1,024 bits KB: 1,024 bytes Mb: 1,048,576 bits MB: 1,048,576 bytes Brackets: Square brackets ([]) will be used to designate group membership or to define a group of signals with similar function (i.e. A[21:1], SR[4,1] and D[15:0]). 00FFh: Denotes 16-bit hexadecimal numbers 00FF 00FFh: Denotes 32-bit hexadecimal numbers

Otros tipos de memorias

074

PBSRAM

PB SRAM Siglas de Pipeline Burst SRAM. Se llama 'pipeline' a una

categoría de técnicas que proporcionan un proceso simultáneo, o en paralelo dentro de la computadora, y se refiere a las operaciones de solapamiento moviendo datos o instrucciones en una 'tuberia' conceptual con todas las fases del 'pipe' procesando simultáneamente. Por ejemplo, mientras una instrucción se está ejecutándo, la computadora está decodificando la siguiente instrucción. En procesadores vectoriales, pueden procesarse simultáneamente varios pasos de operaciones de coma flotante

La PB SRAM trabaja de esta forma y se mueve en velocidades de entre 4 y 8 nanosegundos.

075

VRAM

VRAM : Siglas de Vídeo RAM, una memoria de propósito especial

usada por los adaptadores de vídeo. A diferencia de la convencional memoria RAM, la VRAM puede ser accedida por dos diferentes dispositivos de forma simultánea. Esto permite que un monitor pueda acceder a la VRAM para las actualizaciones de la pantalla al mismo tiempo que un procesador gráfico suministra nuevos datos. VRAM permite mejores rendimientos gráficos aunque es más cara que la una RAM normal.

076

Memoria Caché

Memoria Caché ó RAM Caché : Un caché es un sistema especial de almacenamiento de alta velocidad. Puede ser tanto un

área reservada de la memoria principal como un dispositivo de almacenamiento de alta velocidad independiente. Hay dos tipos de caché frecuentemente usados en las computadoras personales: memoria caché y caché de disco. Una memoria caché, llamada tambien a veces almacenamiento caché ó RAM caché, es una parte de memoria RAM estática de alta velocidad (SRAM) más que la lenta y barata RAM dinámica (DRAM) usada como memoria principal. La memoria caché es efectiva dado que los programas acceden una y otra vez a los mismos datos o instrucciones. Guardando esta información en SRAM, la computadora evita acceder a la lenta DRAM.

Cuando un dato es encontrado en el caché, se dice que se ha producido un impacto (hit), siendo un caché juzgado por su tasa de impactos (hit rate). Los sistemas de memoria caché usan una tecnología conocida por caché inteligente en el cual el sistema puede reconocer cierto tipo de datos usados frecuentemente. Las estrategias para determinar qué información debe de ser puesta en el caché constituyen uno de los problemas más interesantes en la ciencia de las computadoras. Algunas memorias caché están construidas en la arquitectura de los microprocesadores. Por ejemplo, el procesador Pentium II tiene una caché L2 de 512 Kbytes.

El caché de disco trabaja sobre los mismos principios que la memoria caché, pero en lugar de usar SRAM de alta velocidad, usa la convencional memoria principal. Los datos más recientes del disco duro a los que se ha accedido (así como los sectores adyacentes) se almacenan en un buffer de memoria. Cuando el programa necesita acceder a datos del disco, lo primero que comprueba es la caché del disco para ver si los datos ya estan ahí. La caché de disco puede mejorar drásticamente el rendimiento de las aplicaciones, dado que acceder a un byte de datos en RAM puede ser miles de veces más rápido que acceder a un byte del disco duro.

077

SIMM – DIMM - DIP

SIMM : Siglas de Single In line Memory Module, un tipo de encapsulado consistente en una

pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, y que se inserta en un zócalo SIMM en la placa madre o en la placa de memoria. Los SIMMs son más fáciles de instalar que los antiguos chips de memoria individuales, y a diferencia de ellos son medidos en bytes en lugar de bits.

El primer formato que se hizo popular en los computadores personales tenía 3.5" de largo y usaba un conector de 32 pins. Un formato más largo de 4.25", que usa 72 contactos y puede almacenar hasta 64 megabytes de RAM es actualmente el más frecuente.

Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits y un bit de paridad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad. En el primer caso los ocho primeros son para datos y el noveno es para el chequeo de paridad.

DIMM : Siglas de Dual In line Memory Module, un tipo de encapsulado, consistente en una

pequeña placa de circuito impreso que almacena chips de memoria, que se inserta en un zócalo DIMM en la placa madre y usa generalmente un conector de 168 contactos.

DIP : Siglas de Dual In line Package, un tipo de encapsulado consistente en almacenar un chip

de memoria en una caja rectangular con dos filas de pines de conexión en cada lado.

078

FPM - EDO

FPM Siglas de Fast Page Mode, memoria en modo paginado, el diseño más comun de chips de

RAM dinámica. El acceso a los bits de memoria se realiza por medio de coordenadas, fila y columna. Antes del modo paginado, era leido pulsando la fila y la columna de las líneas seleccionadas. Con el modo pagina, la fila se selecciona solo una vez para todas las columnas (bits) dentro de la fila, dando como resultado un rápido acceso. La memoria en modo paginado tambien es llamada memoria de modo Fast Page o memoria FPM, FPM RAM, FPM DRAM. El término "fast" fué añadido cuando los más nuevos chips empezaron a correr a 100 nanoseconds e incluso más.

EDO Siglas de Extended Data Output, un tipo de chip de RAM dinámica que mejora el

rendimiento del modo de memoria Fast Page alrededor de un 10%. Al ser un subconjunto de Fast Page, puede ser substituida por chips de modo Fast Page.

Sin embargo, si el controlador de memoria no está diseñado para los más rápidos chips EDO, el rendimiento será el mismo que en el modo Fast Page.

EDO elimina los estados de espera manteniendo activo el buffer de salida hasta que comienza el próximo ciclo.

BEDO (Burst EDO) es un tipo más rápido de EDO que mejora la velocidad usando un contador de dirección para las siguientes direcciones y un estado 'pipeline' que solapa las operaciones.

Flash CARD

FLASHCARD

Compact Flash PCMCIA SD SMART MEDIA Especiales

MiniSD XD Picture Card

MULTIMEDIA CARD

Mini SD Memory Stick

080

Compact Flash

CompactFlash (CF) fue originalmente un tipo de dispositivo de almacenamiento de datos, usado en dispositivos electrónicos portátiles. Principalmente hay dos tipos de tarjetas CF, el Tipo I y el Tipo II,

ligeramente más grueso. Hay dos velocidades de tarjetas (CF original y CF de Alta Velocidad (usando CF+/CF2.0), pero pronto pasarán a ser tres cuando se incluya el estándar CF3.0 más rápido incluso que los anteriores, que está previsto ser adoptado en 2005. La ranura CF de Tipo II es usada por Microdrives y algunos otros dispositivos.

El conector mide de ancho unos 43 mm y la carcasa tiene 36 mm de profundidad y está disponible en dos grosores diferentes, CF (3,3 mm) y CF II (5 mm). Sin embargo, ambos tipos son idénticos. Las tarjetas CF I pueden ser usadas en las ranuras para CF II, pero las tarjetas CF II son demasiado gruesas para poder encajar en las ranuras para CF I. Las tarjetas de memoria son habitualmente del tipo CF I.

http://www.compactflash.org/

081

PCMCIA

Una tarjeta PCMCIA es un dispositivo normalmente utilizado en computadoras portátiles para expandir las capacidades de este.

Estas tarjetas reciben su nombre del estándar PCMCIA (Personal Computer Memory Card International Association), asociación de la industria de fabricantes de hardware para ordenadores o computadores portátiles encargada de la elaboración de estándares. Se usan para ampliar capacidades en cuanto a memoria, disco duro, tarjeta de red, capturadora de radio y TV, puerto paralelo, puerto serie, puerto USB, etc.

Las tarjetas PCMCIA de 16 bits pueden recibir el nombre de PC Card y las de 32 bits el de Card BUS.

Hoy día existe una evolución de dichas tarjetas, son las llamadas Express Card, son más finas pero mantienen las mismas funciones.

http://www.pcmcia.org/ http://www.expresscard.org/

082

MMC (Multi Media Card)

Multimedia Card (MMC) es un tipo de tarjeta de memoria, presentes en muchos dispositivos electrónicos, como cámaras digitales. Su forma es prácticamente igual a la SD, la diferencia más palpable es que carecen de una pestaña para evitar sobrescribir la información en ella contenida. Su forma está inspirada en el aspecto que presentan los antiguos discos de 3' 1/2.

Ancho de Bus x1, x4, x8 bits

Trabajando a 52 MHz en modo x8 bit de ancho de bus, los Datos se pueden transferir hasta 52MB/s, (o 416 Mbits/s)

http://www.mmca.org/

083

Secure Digital SD

Segure Digital (SD) es un formato de tarjeta de memoria Flash. Se utiliza en dispositivos portátiles como cámaras fotográficas digitales y ordenadores PDA. Las tarjetas SD se basan en el formato precedente MultiMediaCard (MMC), pero físicamente son un poco más gruesas, su tasa de transferencia de datos es más alta, disponen de un interruptor en un lateral para evitar sobrescrituras accidentales y tienen funciones de DRM (poco usadas).

Las tarjetas SD miden 32 mm x 24 mm x 2,1 mm. Existen dos tipos: unos que funcionan a velocidades normales, y las tarjetas de alta velocidad que tienen tasas de transferencia de datos más altas.

Los dispositivos con ranuras SD pueden utilizar tarjetas MMC, que son más finas, pero las tarjetas SD no caben en las ranuras MMC. Las tarjetas SD se pueden utilizar directamente en las ranuras de CF o de PC Card con un adaptador. Las tarjetas MiniSD y MicroSD se pueden utilizar directamente en ranuras SD con un adaptador. Hay algunas tarjetas SD que tienen un conector USB integrado con un doble propósito, y hay lectores que permiten que las tarjetas SD sean accesibles por medio de muchos puertos de conectividad como USB, FireWire y a un común puerto paralelo.

084

MiniSD

MiniSD es un formato de tarjeta de memoria flash. Presentada por primera vez por SanDsik en CeBIT 2003, el miniSD se unió a la Memory Stick Duo y xD-Picture en cuanto a dispositivos pequeños.

La tarjeta miniSD fue adoptada en 2003 por la Asociación SD como una extensión de tamaño ultra-pequeño para el estándar de tarjeta SD.

Dado que las nuevas tarjetas se diseñaron especialmente para ser usadas en teléfonos móviles, están envueltas por un adaptador miniSD que permite la compatibilidad con todos los dispositivos equipados con una ranura de tarjeta SD.

También tiene interface SPI.

http://www.sandisk.com/

085

MicroSD

microSD (Micro Secure Digital / Transflash) Transflash; Formato de tarjeta de memoria flash más

pequeña que la MiniSD, desarrollada por SanDisk; adoptada por la Asociación de Tarjetas SD (SD Card Association) bajo el nombre de microSD en Julio de 2005. Tarjeta que mide 15 milímetros por 11 por 1, lo cual le da un área de 165 milímetros cuadrados. Esto es tres y media veces más pequeña que la miniSD, que era hasta ahora el formato más pequeño de tarjetas SD, y es alrededor de un décimo del volumen de una SD card.

También tienen interface SPI

www.transflash.org

086

Comparativa de memorias SD

8 pines9 pines11 pinesNúmero de pines

NoSíNoProtectores de terminal

NoSíNoInterruptor de protección contra escritura

2,7 - 3,6V2,7 - 3,6V2,7 - 3,6VVoltaje de funcionamiento

< 1g aprox.2g aprox.1g aprox.Peso

165mm³1,596 mm³589 mm³Volumen de la tarjeta

1mm2,1mm1,4mmGrosor

11mm32mm21,5mmLargo

15mm24mm20mmAncho

Tarjeta MicroSDTarjeta SDTarjeta miniSD

087

SmartMedia Card

Tarjeta de memoria. Uno de los estándares de almacenamiento de imágenes más difundido junto con las tarjetas "Compact Flash". Por el diferente voltaje al que trabajan se pueden diferenciar dos tipos de tarjeta: 3.3V y 5V. Actualmente la más utilizada es la de 3.3V, con una capacidad máxima de 128 MB.

Interface 8 bits (16 bits en algunos casos). 2MB/s

Este formato de tarjetas fue desarrollado por Toshiba y destaca por su poco espesor, son muy usadas en reproductores MP3 y PDA. Las medidas son 45mm x 37mm x 0,76mm

http://ssfdc.or.jp/english/

088

Memory Stick

Memory Stick es un formato de tarjeta de memoria extraíble (memoria flash), comercializado por Sony en 1998. El término también se utiliza para definir a la familia entera de estos dispositivos de memoria (Memory Stick). Dentro de dicha familia se incluye la Memory Stick Pro, una versión posterior que permite una mayor capacidad de almacenamiento y velocidades de transferencia de archivos más altas, y la Memory Stick Duo, una versión de menor tamaño que el Memory Stick.

Normalmente, la Memory Stick es utilizada como medio de almacenamiento de información para un dispositivo portátil, de forma que puede ser fácilmente extraído para tener acceso a un ordenador. Por ejemplo, las cámaras digitales de Sony utilizan la tarjeta Memory Stick para guardar imágenes y videos. Con un lector de Memory Stick (normalmente una pequeña caja conectada vía USB o alguna otra conexión de serie) una persona puede transferir las imágenes tomadas con la cámara digital Sony a su ordenador.

http://www.memorystick.com/

089

XD Picture Card

Tipo de tarjetas propietaria de Olympus que utilizan para sus cámaras de fotos digitales. Actualmente se las puede encontrar en 8 diferentes modelos: 16MB, 32MB, 64MB, 128MB, 256MB, 512MB, 1GB y 2GB.

Al ser una tarjeta propietaria solamente funciona con cámaras Olympus y Fujifilm, pero puede ser utilizada por otros dispositivos utilizando adaptadores provistos por el fabricante, los cuales posibilitan su uso como disco USB o que pueda ser conectado a una computadora portátil mediante un adaptador de tarjeta PCMCIA.

http://www.olympusamerica.com/cpg_section/cpg_xd.asp

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Estado actual de las memorias · 017 DDR2 SDRAM Micron ofrece memorias DDR2 SDRAM que duplica la velocidad de acceso de las DDR, permitiendo cuatro transferencias de Datos por cada