FORMATO - Tareas o Talleres - Individuales o Grupales1

7/30/2019 FORMATO - Tareas o Talleres - Individuales o Grupales1

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UNIVERSIDAD ESTATAL PENNSULA DE SANTA ELENAFACULTAD DE SISTEMAS Y TELECOMUNICACIONESESCUELA DE ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONESCARRERA DE INGENIERA ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

ASIGNATURA: Electrnica FECHA: 30/11/12

ESTUDIANTE: HOLGER CHAMBA GONZAGA PROFESORA: MSC. SILVIA TEJADA

CURSO: 4/1 Semestre TEMA: Cuestiones

CUESTIONES

1. Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre?a) 1 c) 18

b) 4 d) 29

2. La carga resultante de un tomo de cobre esa) 0 c)-1b) +1 d)+4

3. Si a un tomo de cobre se le extrae su electrn de valencia, la carga resultante vale?a) 0 c)-1

b) +1 d)+4

4. La atraccin que experimenta hacia el ncleo el electrn de valencia de un tomo de cobrea) Ningunab) Dbilc) Fuerted) Imposible de describir

5. Cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?a) 0 c) 2b) 1 d) 4

6. El semiconductor mas empleado esa) Cobre c) Siliciob) Germanio d) Ninguna de las anteriores

7. Qu nmero de protones posee un tomo de silicio?a) 4 c) 29b) 14 d) 32

8. Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que recibe el nombre de?a) Enlace covalenteb) Cristalc) Semiconductord) Orbita de valencia


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9. Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura causados pora) El dopaje

b) Electrones Libres

c) Energa Trmica

d) Electrones de valencia

10.Cada electrn de valencia en un semiconductor establece una) Enlace covalenteb) Electrn Librec) Huecod) Recombinacin

11.La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre dea) Enlace covalenteb) Tiempo de vidac) Recombinacind) Energa Trmica

12.A temperatura ambiente un cristal de silicio se comporta comoa) Una baterab) Un conductorc) Un aislanted) Un hilo de cobre

13.El tiempo que trascurre entre la creacin de un hueco y su desaparicin se conoce comoa) Dopajeb) Tiempo de vidac) Recombinacind) Valencia

14.Al electrn de valencia de un conductor se la denomina tambin pora) Electrn ligadob) Electrn Librec) Ncleod) Protn

15. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?a) 1b) 2c) 3d) 4


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16.Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?a) 1b) 2c) 3d) 4

17.Cuando se aplica un tensin a un semiconductor, los huecos circulana) Distancindose del potencial negativob) Hacia el potencial positivoc) En el circuito externod) Ninguna de las anteriores

18.Cuntos huecos presenta un conductor?a) Muchosb) Ningunoc) Solo los producidos por energa trmicad) El mismo nmeros de electrones libres

19.En un semiconductor intrnseco, el numero de electrones libres esa) Igual al nmero de huecosb) Mayor que el numero de huecosc) Menor que el numero de huecosd) Ninguna de las anteriores

20.La temperatura de cero absoluto es igual aa) b) c) d)

21.A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco presentaa) Pocos electrones libresb) Muchos huecosc) Muchos electrones libresd) Ni huecos ni electrones libres

22.A la temperatura ambiente un semiconductor intrnseco tienea) Algunos electrones libres y huecosb) Muchos huecosc) Muchos electrones libresd) Ningn Hueco

23.El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor intrnseco aumenta cuando la temperaturaa) Disminuyeb) Aumentac) Se mantiene constante


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d) Ninguna de las anteriores24.El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los huecos circulan hacia

a) L a izquierdab) La derechac) En cualquier direccind)

Ninguna de las anteriores

25.Los huecos se comportan comoa) tomosb) Cristalesc) Cargas negativasd) Cargas positivas

26.Cuntos electrones de valencia tienen los tomos trivalentes?a) 1b) 3c) 4d) 5

27.Qu numero de electrones de valencia tiene un tomo donador?a) 1b) 3c) 4d) 5

28.Si quisiera reproducir un conductor tipo p, que empleara?a) tomos aceptadoresb) tomos donadoresc) Impurezas Pentavalentesd) Silicio

29.Los huecos son minoritarios en los semiconductores tipoa) Extrnsecob) Intrnsecoc) Tipo nd) Tipo p

30.Cuntos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?a) Muchosb) Ningunoc) Solo los producidos por energa trmicad) El mismo nmero que de huecos


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31.La plata es el mejor conductor. Cul es el nmero de valencia que tiene?a) 1b) 4c) 18d) 29

32.Si un semiconductor intrnseco tiene un billn de electrones libres a la temperatura ambiente, Cuntospresentara a la temperatura de ?

a) Menos de un billnb) Un billnc) Ms de un billnd) Imposible de contestar

33.Una fuente de tensin es aplicada a un semiconductor tipo p. Si el extremo del cristal es positivo, en qusentido circularan los portadores mayoritarios?

a) Hacia la izquierdab) Hacia la derechac) En ninguna direccind) Imposible de contestar

34.Cul de los siguientes conceptos estn menos relacionados con los otros tres?a) Conductorb) Semiconductorc) Cuatro electrones de valenciad) Estructura cristalina

35.Cul de las siguientes temperaturas es aproximadamente igual a la temperatura ambiente?a) b) c) d)

36.Cuntos electrones hay en la orbital de valencia de un tomo de silicio dentro de un cristal?a) 1b) 4c) 8d) 14

37.Los iones positivos son tomos quea) Han ganado un protnb) Han perdido un protnc) Han ganado un electrnd) Han perdido un electrn


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38.Cul de los siguientes semiconductores describe un semiconductor tipo n?a) Neutrob) Cargado positivamentec) Cargado negativamented) Tiene muchos huecos

39.Un semiconductor tipo p contiene huecos ya) Iones positivosb) Iones negativosc) tomos pentavalentesd) tomos donadores

40. Cul de los siguientes semiconductores describe un semiconductor tipo p?a) Neutro

b) Cargado positivamente

c) Cargado negativamente

d) Tiene muchos electrones libres

41.Cul de los siguientes elementos no se puede mover?a) Huecosb) Electrones libresc) Ionesd) Portadores mayoritarios

42.A qu se debe la zona de deplexin?a) Al dopajeb) A la recombinacinc) A la barrera de potenciald) A los iones

43.La barrera de potencial de un diodo de silicio a temperatura ambiente es dea) 0,3Vb) 0,7Vc) 1Vd)

44.Para producir una gran corriente en un diodo de silicio polarizado en directa, la tensin aplicada debesuperar

a) 0Vb) 0,3Vc) 0,7Vd) 1V


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45.En un diodo de silicio la corriente inversa es normalmentea) Muy pequeab) Muy grandec) Cerod) En la regin de ruptura

46.La corriente superficial de fuga es parte dea) La corriente de polarizacin directab) La corriente de ruptura en polarizacin directac) La corriente inversad) La corriente de ruptura en polarizacin inversa

47.La tensin que provoca el fenmeno de avalancha esa) La barrera de potencialb) La zona de deplexinc) La tensin de codod) La tensin de ruptura

48.L a difusin de electrones libres a travs de la unin de un diodo producea) Polarizacin directab) Polarizacin inversac) Rupturad) La zona de deplexin

49.Cuando la tensin inversa crece de 5 a 10 v, la zona de deplexina) Se reduceb) Crecec) No le ocurre nadad) Se rompe

50.Cuando un diodo es polarizado en directa, la recombinacin de electrones libres y huecos puede producira) Calorb) Luzc) Radiacind) Todas las anteriores

51.Si aplicamos una tensin inversa de 20V a un diodo, la tensin en la zona de deplexin sera) 0Vb) 0,7Vc) 20Vd) Ninguna de las anteriores


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52.Cada gramo de aumento de temperatura en la unin decrece la barrera de potencial ena) 1mVb) 2mVc) 4mVd) 10mV

53.La corriente inversa de saturacin se duplica cuando la temperatura de la unin se incrementaa) b) c) d)

54.La corriente superficial de fuga cuando la tensin inversa aumentaa) 7 por 100b) 100 por 100c) 200 por 100d) 2mV


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ESCUELA DE ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONESCARRERA DE INGENIERA ELECTRNICA Y TELECOMUNICACIONES

ASIGNATURA: Programacin Avanzada

ESTUDIANTE(S): FECHA:

CURSO: 2/1 Semestre TEMA:

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