85

Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

  • Upload
    others

  • View
    4

  • Download
    0

Embed Size (px)

Citation preview

Page 1: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación
Page 2: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  2 

Edición: Junio-2015

No está permitida la reproducción total o parcial de este libro, ni su tratamiento informático,ni la transmisión de ninguna forma o por cualquier medio, ya sea electrónico, mecánico o por fotocopias.

Edita:Fundación Rogelio Segovia para el Desarrollo de las TelecomunicacionesCiudad Universitaria, s/n28o4o-Madrid

Imprime:E.T.S.I. TelecomunicaciónCiudad Universitaria, s/n28040-Madrid

ISBN: 978-84-7402-407-4

Page 3: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  3 

Prólogo / Foreword 

Estimados participantes en la XII Reunión Nacional de Electrocerámica 

En 1990, se constituyó  la sección de Electrocerámica, dentro de  la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio, con  la participación mayoritaria de Centros de Investigación en Materiales, la mayor parte de ellos del CSIC (Inst. de Cerámica y Vidrio, Inst. de Materiales de Madrid o Inst. de Materiales de Aragón) y con la presencia de Centros de Ingeniería (UPM, UPC o Inst. de Acústica e Ins. Automática Industrial CSIC).  

En estos 25 años, especial relevancia ha tenido la participación de la ETSI de Telecomunicación de Madrid. Ya en 1999, organizó la IV Reunión Nacional, y la II Reunión Iberoamericana de Electrocerámica. En esta reunión se crearon los premios Epsilon de Oro, que desde entonces se conceden de manera regular en todas las reuniones, junto con los premios a los jóvenes investigadores.  

En una fecha tan significativa en la que coinciden el 25 aniversario de la sección de Electrocerámica, junto con el 50 aniversario de la sede actual de la ETSI de Telecomunicación de la Universidad Politécnica de Madrid, creemos que es una buena oportunidad celebrar la XII Reunión Nacional de Electrocerámica, con una mayor participación de la Ingeniería en las jornadas, compartiendo los últimos avances científicos y tecnológicos en este encuentro, y promoviendo en todo momento  la participación multidisciplinar dentro de uno de  los foros de discusión más  importantes sobre  los avances más recientes y  las tendencias emergentes en este campo. 

Con este espíritu  la XII Reunión Nacional de Electrocerámica  se va a desarrollar en  la ETSI de Telecomunicación de  la UPM, en el Campus de Excelencia Internacional de Moncloa, los días 17 a 19 de junio de 2015. 

Esperamos que disfrutéis de la estancia con nosotros y os agradecemos profundamente vuestra asistencia.

El Comité Organizador 

Page 4: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  4 

Page 5: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  5 

Indice 

1. Comitésa. ComitédeHonor………………………………………………………………….…………. 6 b. ComitéCientífico……………………………………………………………………………. 6 c. ComitéOrganizador……………………………………………………………………….. 6 

2. InformaciónPráctica 9 a. CómollegaralaETSIT……………………………………………………………………. 9 b. CenadelCongreso…………………………………………………………………………. 10

3. Programaa. Resumendelprograma………….…………………………………………………………. 11b. Miércoles17………………………………….…………………………………………………. 13c. Jueves18………………………………………………………………………………………. 13 d. Viernes19………….……………………………………………………………………………. 15e. SesióndePoster………………………………………………………………………………. 17

4. Conferenciantesinvitados. 19 a. Curriculum………...……………………………………………………………………………. 21b. Conferenciasinvitadas…………………………………………………..…………………. 33

5. ComunicacionesOrales………………………………………………………………..…………. 45

6. ComunicacionesenformadePoster………………………………………………………. 65

7. Indice de autores………………………….....................................……………………………. 83

Page 6: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  6 

Page 7: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  7 

εlectrocerámica 2015 / εlectroceramics 2015 Comité de Honor

D. Miguel Campos Vilanova, Presidente de la Sociedad Española de Cerámica y Vidrio Roberto Prieto López, Vicerrector de Investigación UPM y Coordinador General CEI MONCLOA Dña. Marina Pilar Villegas Gracia, Directora General de Investigación Científica y Técnica Dña. Alicia Castro Lozano, Vicepresidenta de Investigación Científica y Técnica, CSIC D. Félix Pérez Martínez, Director ETSIT‐UPM D. Javier Sánchez Herencia, Vicepresidente Adjunto de Programación Científica, CSIC D. José Manuel Otón, Director CEMDATIC‐UPM 

Comité Científico 

D. M. A. Alario‐Franco, UCM  Dña. C. Aragó, UAM D. H. Beltrán , UJI D. A. C. Caballero, ICV‐CSIC D. A. Caballero, Director ICMS‐US D. E. Calleja, Director ISOM‐UPM Dña. M. L. Calzada, ICMM‐CSIC D. J. J. Campo, Director CEQMA D. C. Cañizo, Director IES‐UPM Dña. M. Castellote, Directora IETCC D. J. C. Diez, ICMA‐UZ D. R. Diez, Director UFM‐EHU D. J. F. Fernández, ICV‐CSIC D. D. Fernández, INAEL SA, ULPGC D. G. F. de la Fuente, ICMA‐CSIC D. J. M. González, Coordinador MATERIALES CEI‐UCM D. J. L. González, Director CENIM D. F. M. B. Marques, U. Aveiro Dña. R. I. Merino, ICMA‐CSIC D. F. Montero de Espinosa, CAEND D. E. Morán, UCM D. X. Obradors, Director ICMAB‐CSIC 

Dña. L. Pardo, ICMM‐CSIC D. J. Y. Pastor, Coordinador MATERIALES CEI‐UPM D. M. A. de la Rosa, Director CICIC‐US D. F. Rubio, Director ICV‐CSIC D. J. Santamaría, UCM Dña. M. Segarra, UB Dña. M. A. Señarís, UDC D. F. J. Soria, Director ICMM‐CSIC D. J. A. Varela, IC‐UNESP D. A. Várez, UC3M Dña. M. E. Villafuerte‐Castejón, UNAM Dña. M. P. Villar, UCA D. A. R. West, U. Sheffield

Comité Organizador Presidente: D. José de Frutos Vaquerizo , ETSIT‐UPM Vicepresidente: D. Federico A. Cebollada , CEMDATIC‐UPM Tesorera: Dña. Begoña Ferrari , ICV‐CSIC Secretario Administrativo: D. Jesús Martínez , SECV Vocales: D. Amador González Crespo , ETSIST‐UPM D. Fco Javier Jiménez Martínez, ETSIST‐UPM Dña. Esperanza Menéndez , IETCC‐CSIC D. Miguel Angel de la Rubia López , ETSIT‐UPM Dña. Teresa Jardiel , ICV‐CSIC D. David G. Calatayud , ICV‐CSIC 

Page 8: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  8 

Page 9: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  9 

Información Práctica / Practical Information Cómo llegar a la ETSIT 

La Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación (ETSIT), se encuentra localizada en la "Ciudad Universitaria", campus universitario situado en la zona noroeste de Madrid La dirección completa de la ETSIT‐UPM es:  Escuela Técnica Superior de Ingenieros de Telecomunicación Avenida Complutense nº 30 Ciudad Universitaria 28040 Madrid GPS: 40.452165,‐3.726103,17 

Se puede llegar a la ETSIT en autobús, en metro o en taxi. La línea F de autobús viene desde "Cuatro Caminos" (ver mapa)  

La  parada  de metro  "Ciudad Universitaria",  de  la  línea  6,  es  la más cercana a la ETSIT (está aproximadamente a 1 km , 10 minutos a pie).  

Cuatro Caminos  y Moncloa  tienen  también paradas en  la  línea 6 de metro.  Para mayor  información  se  puede  ver mapa.  Saliendo  de  la parada de  "Ciudad Universitaria"  se  cogen  los  autobuses  82, G  y U, que paran en la entrada de la ETSIT 

Cómo llegar desde el aeropuerto En taxi.  Tarifa 3.  30 € En metro: Línea 8 metro hasta Nuevos Nuevos Ministerios ‐> Transbordo a Linea 6 (Circular) Dirección Moncloa ‐> hasta Ciudad Universitaria. 58 min. Información adicional sobre transportes: http://www.etsit.upm.es/index.php/es/la‐escuela/sobre‐laescuela/como‐llegar 

Page 10: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  10 

Cena del Congreso Jueves 18, a las 21 horas.

Restaurante La Leñera Calle de Hernani, 60 28020 Madrid 

Page 11: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  11 

εlectrocerámica 2015Resumen del programa / Program Overview

Miércoles 17 de Junio de 2015  

14:30‐18:00 

Inscripción y entrega de documentación Electrocerámica y 50 aniversario de la ETSIT en el Campus de 

Moncloa 

15:15‐16:45 

Bienvenida y apertura del congreso  y Sesión 1

16:45‐17:00  Pausa 

17:00‐18:15 

Sesión de inauguración del congreso 

Jueves 18 de Junio de 2015  

9:30-11:00 Sesión 2 

Materiales ferroeléctricos y piezoeléctricos 

11:00-12:00 Pausa café / Sesión póster  

12:00-14:00 Sesión 3 Materiales magnéticos y multiferroicos 

14:00-15:30 Almuerzo

15:30-17:30 Sesión 4 Energía 

17:30-18:00 Sesión de poster 21:00 Cena

Viernes 19 de Junio de 2015 

9:45‐11:00 Sesión 5 

Síntesis y caracterización avanzada I 

11:00‐11:30 Pausa café / Sesión póster  

Sesión 5 11:30‐13:15 Síntesis y caracterización 

avanzada II 13:15‐13:30 Pausa   

13:30‐14:00Acto de clausura ‐ Entrega de premios: Épsilon de oro y Jóvenes investigadores  

14:00  Almuerzo  

Page 12: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  12 

Page 13: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  13 

Miércoles 17 de Junio de 2015 14:30‐18:00  Inscripción y entrega de documentación

Sesión 1  Electrocerámica y 50 aniversario de la ETSIT en el Campus de Moncloa 

15:15‐15:30  Bienvenida y apertura del congreso  y sesión 1I‐01  15:30‐15:55  M.Á. Alario‐Franco, S. Marik, E. Morán, O. 

Toulemonde I‐02  15:55‐16:20  Enrique Iborra I‐03  16:20‐16:45  Fernando Calle 

Moderadores: José de Frutos y Amador CaballeroRelaciones entre estructura local y Tc en la oxidación de molibdo‐cupratos superconductores del tipo:  MoxCu1−x Sr2RECu2Oy (RE = Y, Er and Tm) Integración de nanotubos de carbono en microresonadores piezoeléctricos Graphene: Technologies and Applications 

16:45‐17:00  Pausa 

17:00‐17:15  Sesión de inauguración del congreso Plenaria  17:15‐18:00  Tomás Palacios  Los materiales en el futuro de la tecnología de los microsistemas. La estrategia del MIT 

Jueves 18 de Junio de 2015 Sesión 2 Materiales ferroeléctricos y piezoeléctricos 

I‐04  9:30‐10:00 I .Bretos, R.Jiménez, J.Ricote, R.Sirera, A.J.Pérez‐Rivero, D.Pérez‐Mezcua, M.L.Calzada 

O‐01  10:00‐10:15 E. Cerdeiras, A. Robles, D. A. Ochoa, J. E. García, L. Mestres 

Moderadores: Luis Fuentes y Amador GonzálezReducción  drástica  de  la  temperatura  de  cristalización  de  láminas  delgadas    ferroeléctricas  mediante métodos en disolución empleando luz UV Análisis  de  las  propiedades  estructurales  y  funcionales  de  materiales  piezoeléctricos  dopados  derivados del BNBT 

O‐02  10:15‐10:30 A. Reyes, L. Pardo, A. M. González, M.E. Villafuerte 

Seguimiento del proceso de polarización en piezocerámicas BCTZ 

O‐03  10:30‐10:45 F. Rubio‐Marcos, A. Del Campo, P. Marchet,  J. F. Fernández 

O‐04  10:45‐11:00 L. Pardo, A. García, K.Brebøl, E. Mercadelli, C. Galassi 

Movimiento de paredes de dominio ferroeléctricas inducido por luz polarizada 

Inhibición térmica de la piezoelectricidad de fases polares  en cerámicas de       

11:00‐12:00  Pausa café / Sesión póster 

Aula Magna, Edificio A 

(1-x)(Bi0.5Na0.5)TiO3-xBaTiO3

Page 14: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  14 

Jueves 18 de Junio de 2015 Sesión 3  Materiales magnéticos y multiferroicos 

I‐05  12:00‐12:30  María Antonia Señarís Materiales multiferroicos magnetoeléctricos  basados  en  óxidos mixtos  con  estructura perovskita y relacionadas 

O‐5  12:30‐12:45 R. Riesco, M. Peiteado, B. Bernardo‐Maestro, A. C. Caballero, F. Cebollada, J. de Frutos, C. Aragó. 

Explorando el comportamiento multiferroico del sistema (BaTiO3)x(NiFe2O4)1‐x 

O‐6  12:45‐13:00 M.S. Bernardo, C. Gumiel,  T. Jardiel, M. Peiteado, A.C. Caballero 

Síntesis mecanoquímica de BiFeO3 dopado con Nb5+ o W6+ 

O‐7  13:00‐13:15  P. Arévalo, J. Isasi, A. C. Caballero Preparación, caracterización y estudio de nanocomposites magnéticos de aplicación en biomedicina 

O‐8  13:15‐13:30  S.A. Barolin, M.A. de la Rubia, F. Rubio‐Marcos, R.E.Alonso, F. Cebollada, J.F. Fernández Lozano, J. de Frutos 

Síntesis  y  caracterización  piezoeléctrica,  magnética  y  magnetoeléctrica  de  KNN‐LTS impregnado con CoFe2O4 

O‐9  13:30‐13:45 M. E. Montero‐Cabrera, M. García‐Guaderrama, M. Á. Alario‐Franco, E. Morán, L. E. Fuentes‐Cobas, E. Macías‐Ríos, M. E. Fuentes‐Montero 

Synthesis and local‐order study of ‐Fe2‐XCrXO3 (0.75 ≤ X ≤ 1.25) maghemite‐like materials 

14:00‐15:30  Almuerzo 

Sesión 4  Energía Materiales dieléctricos para su uso en dispositivos de microondas I‐06  15:30‐16:00  Juan Enrique Page 

O‐10 16:00‐16:15  S.G. Patrício, F.M.B. Marques  On the performance of ceria‐based composite membranes L.J. Vasquez‐Elizondo, J.C. Rendón‐Ángeles, Z. 

O‐11  16:15‐16:30  Matamoros‐Veloza, J. López‐Cuevas, K. Yanagisawa Síntesis hidrotermal de fosfato de litio‐hierro asistido por descomposición de urea: Efecto del compuesto precursor de litio 

O‐12  16:30‐16:45  S.Terny, M. A. de la Rubia, J. de Frutos, M.A. Frecheroa  Síntesis y caracterización de nuevos materiales catódicos‐aplicación en baterías de ion litio 

O‐13  16:45‐17:00 Z. González, B. Ferrari, A.J. Sanchez‐Herencia, A. Caballero, J. Morales 

Modificación microestructural de un electrodo de NiO mediante  técnicas coloidales y  su influencia en las propiedades electroquímicas como supercondensador 

I‐07  17:00‐17:30  Berta Moreno  Introducción de los materiales cerámicos en las pilas de combustible de baja temperatura 

21:00  Cena 

Moderadores: ar o Peiteado y David Calatayud

Moderadores: milio orán y Alberto oure

Page 15: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  15 

Sesión 5  Síntesis y caracterización avanzada I‐08  9:45‐10:15  Marco de Luca  Raman spectroscopy of lead‐free ferroelectrics and relaxors 

O‐14  10:15‐10:30 M. Peiteado, M. Verde, J. De Frutos, B. Ferrari, A.C. Caballero 

Sustainable processing of ZnO nanostructured assemblies with tailored morphology 

O‐15  10:30‐10:45  V. Fuertes, J.F. Fernández, E. Enríquez Preparación y caracterización de composites basados en ZnO dopados con óxido de hierro y grafeno para la modificación de sus propiedades 

O‐16  10:45‐11:00 E. de Lucas‐Gil, F. Rubio‐Marcos, J. F. Fernández 

Nanoflores de ZnO: caracterización y aplicaciones 

11:00‐11:30  Pausa café / Sesión póster 

I‐9  11:30‐12:00  Elena Buixaderas  Phonons and relaxations in electroceramics 

O‐17  12:00‐12:15 A. Moure, M. Rull, B. Abad, A. Del Campo, M. Muñoz, A. Jacquot, J.F. Fernandez, M. Martin‐Gonzalez 

CoSb3 percolated hierarchichal nanocomposites: a new approach for the optimization of thermoelectric materials 

O‐18  12:15‐12:30  L. Alcaraz, J. Isasi  Ensayos de obtención de nanopartículas de Y0.9Er0.1VO4 y Y0.9Er0.1V0.9M0.1O4 (con M = Cr o P). 

O‐19  12:30‐12:45 L. E. Fuentes‐Cobas, D. Chateigner, G. Pepponi, S. Grazulis 

The representation of coupling interactions in the material properties open database (MPOD) 

I‐10  12:45‐13:15 Emilio Morán, Jesús Prado‐Gonjal, Rainer Schmidt 

Síntesis y procesado, asistidos por microondas, de materiales electrocerámicos 

13:15‐13:30  Pausa 

13:30‐14:00  Acto de clausura ‐ Entrega de premios: Épsilon de oro y Jóvenes investigadores 

14:00  Almuerzo 

Viernes 19 de Junio de 2015 Moderadores: Fernando arques y ª Antonia eñaris

Moderadores: Carmen Ara y i uel An el de la Rubia

Page 16: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  16 

Page 17: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  17 

Sesión póster / Poster Session 

P‐01  PROPIEDADES DE SENSORES DE HUMEDAD BASADOS EN PELÍCULAS DE TiO2 OBTENIDAS MEDIANTE SOL‐GEL  A.Crespo‐Durante, S. Larumbe y C. Gomez‐Polo  E‐mail: [email protected] 

P‐02  STRUCTURAL AND ELECTRICAL CHARACTERISATION OF BaCe0.2Zr0.7Y0.1O3‐d

Gemma Heras‐Juaristi, Adilson L. Chinelatto, Domingo Pérez‐Coll,Rodolfo O. Fuentes, Glenn C. Mather   E‐mail: [email protected] 

P‐03  ANALYSIS OF SINGLE AND BINARY PHASES IN CERIUM DOPED SODIUM BISMUTH TITANATE ‐Na0.5Bi0.5TiO3 MATERIALS  S. Supriya, Antonio J. Dos santos‐García, J. de Frutos and F. Fernández‐Martinez.  

P‐04  EFFECT OF Ag ADDITIONS ON THE Bi2Ba2Co2Ox  THERMOLECTRIC PROPERTIES J.C. Diez, Sh. Rasekh, M.A. Torres, P. Bosque, M.A. Madre y A. Sotelo  E‐mail: [email protected] 

P‐05  MODELADO DE TRANSDUCTORES ULTRASÓNICOS PARA FISIOTERAPIA Elvira Iglesias,, José de Frutos , Francisco Montero de Espinosa 

P‐06  ESPECTROSCOPÍA DE IMPEDANCIA DE CÉLULAS DE CRISTAL LÍQUIDO DOPADAS CON NANOTUBOS DE CARBONO A. García‐García, R. Vergaz, J.F. Algorri, J.M. Otón y M. Geday              E‐mail: [email protected] 

P‐07  ON THE CHARACTERIZATION OF MgO‐PSZ A.I.B. Rondão, M.R. Soares, D.M. Tobaldi, A. Ferreira, J.A. Labrincha, F.M.B. Marques        E‐mail: [email protected] 

P‐08 CONTROL OF THE COERCIVITY THROUGH MORPHOLOGY AND ANIONIC DEFECTS in Fe/NiO LAYERS DEPOSITED ON NANOPOROUS Al2O3 MEMBRANES 

M. Iglesias, G. Domínguez‐Cañizares, E. Navarro, E. Paz,   D. Díaz Fernández, A. Gutiérrez, L. Soriano, M. Alonso, F. Cebollada,  M. Sánchez‐Agudo, J. M. Gonzaléz   and F.J. Palomares  E‐mail: [email protected] 

P‐09  UTILIZACIÓN DE CERÁMICAS PIEZOELÉCTRICAS PARA LA DETERMINACIÓN DE MICROGRIETAS  EN MATERIALES DE CONSTRUCCIÓN E. Menendez, S. Ruiz, FJ Jimenez, J. de Frutos  E‐mail: [email protected] 

P‐10  OPTIMIZACIÓN DE PIEZOELÉCTRICOS COMERCIALES PARA SU USO EN SISTEMAS DE HARVESTING  F. J. Jiménez Martínez, J. de Frutos, D. Alonso, M. Vázquez Rodríguez, MC Duro  E‐mail: [email protected] 

P‐11  INFLUENCIA DE LA RUTA DE SÍNTESIS EN LAS PROPIEDADES FERROELÉCTRICAS Y PIEZOELÉCTRICAS DE LA SOLUCIÓN SÓLIDA 94(Bi0.5Na0.5TiO3)‐6(Ba0.9Ca0.1TiO3) R. Vivar‐Ocampo, L Pardo, A. M. González, and M E Villafuerte‐Castrejón  

P‐12  SAFE DESING OF COBALT ALUMINATE NANOSTRUCTURES  C. A. Docio, J. J. Reinosa y J. F. Fernández                  E‐mail: [email protected] 

P‐13 RELAJACIÓN DIELÉCTRICA EN FERROELÉCTRICOS NORMALES A TEMPERATURAS CRIOGÉNICAS: UNA NUEVA APROXIMACIÓN  Rafael Levit, Julio C. Martínez‐García, Diego A. Ochoa y José E. García               E‐mail: [email protected] 

Page 18: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  18 

Page 19: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  19 

Breve curriculum de los conferenciantes invitados 

Page 20: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  20 

Page 21: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  21 

PLENARIO

Tomás Palacios is the Emmanuel E. Landsman Career DevelopmentAssociate Professor of Electrical Engineering and Computer Science at theMassachusetts Institute of Technology (MIT). He is affiliated with theDepartment of Electrical Engineering and Computer Science and with theMicrosystems Technology Laboratory. He studied TelecommunicationEngineerinthePolytechnicUniversityofMadrid,andhereceivedhisMSandPhDdegreesinElectricalEngineeringfromtheUniversityofCalifornia–SantaBarbarain2004and2006,respectively.

In 1997, Tomás joined the Institute for Systems based onOptoelectronicsandMicrotechnology(ISOM)inSpain.There,hedidresearchonsemiconductor fabrication technology,ultravioletphotodetectors, surfaceacousticwavefiltersandhighelectronmobilitytransistors.Inthesummerof2000,heworkedintheMicroelectronicsGroupoftheEuropeanOrganizationforNuclearResearch(CERN,Geneva)wherehecollaboratedinthedesignofnew Si transistors for radiation‐hard and lownoise electronics. In 2002, hejoined Prof. Mishra´s group at UCSB where he developed new transistorsbased on nitrides semiconductors for mm‐wave applications and he

established the state‐of‐the‐art in high frequency and high powerapplications.

Tomás research interests include the design, processing andcharacterization of new electronic devices based on wide bandgapsemiconductors forpoweramplificationanddigitalapplicationsbeyond100GHz. He is also very interested in the development of new concepts forbiosensorsandbioactuatorsaswellasintheuseoftheuniquepropertiesofnitrides semiconductors for power generation and conversion. His group isalsofocusedondevelopingnewapplicationsanddevicesforgraphene,aone‐atom‐thick new electronic material with amazing properties. When not atMIT,Tomásenjoysreading, listeningtoclassicalmusic,hikingandattendingplaysandconcerts.

His work has been recognized with multiple awards, including theYoung Scientist Award of the International Symposium on CompoundSemiconductors(ISCS),theYoungResearcherAwardatthe6thInternationalConferenceonNitrideSemiconductors, theBestStudentPaperAwardat the36th Device Research Conference, the Lancaster Dissertation award, theEuropeanPrizeSalvaiCampillotothe“mostpromisingEuropeanNewcomertoEngineering”,etc.Heisalsoauthororcoauthorofmorethan200scientificpapers in international journals and conferences, three book chapter andmultipleinvitedtalksandpatents.

Recently Tomás has been awarded the Presidential Early CareerAward for Scientists and Engineers (PECASE) (October 2011), the DARPAYoung Faculty Award (March 2008), the Office of Naval Research’ YoungInvestigatorAward(March2009)andtheNationalScienceFoundation(NSF)CAREERAward(July2009).

Tomas PalaciosDepartment of Electrical Engineering and Computer Science Massachusetts Institute of Technology 77 Massachusetts Avenue, Rm. 39‐567B Cambridge, MA‐02139, USA 

[email protected]://web.mit.edu/tpalacios/

Page 22: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  22 

I‐01Miguel Ángel Alario Franco Catedrático de Universidad Dpto de Química Inorgánica Universidad Complutense de Madrid

Premio Epsilon de Oro 2003

Email:[email protected]

DoctorenCienciasQuímicas(1970).Estudiospost‐doctorales:Inglaterra,PaísdeGales, Italia(tresañosentotal).CatedráticodeQuímica Inorgánica(UCM1983‐Prof Agregado 1976). Decano de la Facultad de Químicas de laUniversidad Complutense de Madrid (1986‐1994). Profesor visitante enCambridge(RU),Grenoble(F),Berkeley(UCB‐USA),BahíaBlanca(Argentina),San Diego (UCSD‐USA), (más de seis años en total). Cátedra América delInstitutodeEspaña‐2MESESenMéxico‐(UNAM)‐1996.CatedráticoeméritoUCM desde el Curso 2012‐2013. Catedrático Emérito Universidad SanPablo/CEUdesde2012,yprofesorAdHonoremdelaUniversidadCarlosIIIdeMadrid.

AcadémicoNumerario (desde1991) yPresidente (IX‐2009 a IX2012)de laReal Academia de Ciencias Exactas, Físicas y Naturales. Honorary member,Materials Research Society of India (1998). Académico correspondienteextranjero de la Academia Nacional de Ciencias de la República Argentina(2008),AcadémicodeHonordelaAcademiaColombianadeCiencias(2010).HonoraryFellow:UniversityofWales,Aberystwyth(2015).

Premio de la Real Sociedad Española de Física y Química 1973 (Noveles),Premiode laRealAcademiadeCienciasen1984,Premiode laAcademiadeCienciasdeGranadaen1990,PremioReyJaimeIenCienciadeMaterialesen1991,Medalla deHonor de la Real Sociedad Española deQuímica en 1996,

Épsilon deOro de Electrocerámica de la SociedadEspañola de Cerámica en2003,PremioMéxicodeCienciayTecnología2009.Premio"MiguelCatalán"deInvestigacióndelaComunidaddeMadrid2010.

Autor de más de 200 artículos científicos en revistas internacionales de laespecialidadydetrespatentes.Directordeveintetesisdoctorales.Editordetreslibrosycoautordeunlibrosobresuperconductividad,editorasociadodelas revistas Microscopy, Microstructure and Analysis y Materials ResearchBulletin. Miembro del comité editorial de otras cinco revistas científicasinternacionalesydelcomitécientíficodecincoconferencias internacionales,asícomodelAdvisoryPanelinSuperconductivityoftheEuropeanUnion.PresidentedeestaAcademia(2009‐2012).

Page 23: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  23 

I‐02Enrique Iborra Grau CATEDRATICO UNIVERSIDAD E.T.S.I. TELECOMUNICACION Dpto INGENIERÍA ELECTRÓNICA (N) . Grupo de Investigación: Microsistemas y Materiales Electrónicos (CEMDATIC)

[email protected] [email protected]

CatedráticodeUniversidadyprofesorenelDepartamentodeIngenieríaElectrónica.ResponsabledelGrupodeInvestigaciónenMicrosistemasyMaterialesElectrónicosymiembrodelComitéEjecutivodelCentrodeInvestigaciónenMaterialesyDispositivosparalasTIC(CEMDATIC).Laslíneasfundamentalesdeinvestigaciónquedirigeson:

TecnologíasdefabricacióndedispositivosMEMS,BAWySAW Nanopartículasparaaplicacioneselectrónicasyfotónicas Materialeselectrónicosenpelículadelegada

Además de las líneas de investigación propias del grupo, el GMME‐UPMmantieneunacolaboraciónconelGrupodeFísicadeMaterialesComplejosdela UCM, dirigido por el Prof. Jacobo Santamaria. Esta colaboración se llevadesarrollandodesdehaceyavariosañosytienedosvertientes:eldesarrollodematerialesydispositivospara la(nano)electrónicadeóxidosbasadosenfiltradodeespínyeldesarrollodematerialesconductoresiónicoscomplejosparasuaplicaciónenacumuladoreseléctricosComo resultado de esta actividad, cuenta con más de 130 publicacionescientíficas, con un índice h de 17, numerosas ponencias invitadas encongresos internacionales, ha dirigidomás de 30 proyecto de investigacióncon financiaciónpública,dos tesisdoctoralesymásdediezproyectos findecarrera.

Page 24: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  24 

I‐03FernandoCalleCatedráticodeUniversidadDepartamentodeIngenieríaElectrónicaE.T.S.I.Telecomunicación28040MadridSpain

e‐mail:[email protected]://www.isomgraphene.es/185493067

FullProfessor(CatedráticodeUniversidad),Dep.ElectronicsEngineering,UPMEducation(degrees,dates,universities):GraduateinPhysics(UAM),1985,andPh.D.Science(UAM),1990.PhDThesissupervisor:Prof.JoséManuelCallejaCareer/Employment(employers,positionanddates):2008‐2012,AsssociateDirector,InstituteofOptoelectronicsSystemsandMicrotechnology(ISOM)‐UPM;2004‐2008,AssociateDirectorforResearch,ETSITelecomunicación;2004,AcademicSecretary,DepartmentofElectronicsEngineering,UPM;2000‐2004,AcademicSecretary,InstituteofOptoelectronicsSystemsandMicrotechnology(ISOM)‐UPMMobilityMax‐Planck‐InstitutfürFestkörperforschung(Stuttgart,Germany),1989(13weeks)ATTBellLabs‐DptOptoelectronicDevices(MurrayHill,NJ,USA),1995‐96(27weeks)ResearchFieldsofInterestIII‐Vsemiconductors(GaAsandGaN‐based)andgraphene:technology,devicesandapplications.Highfrequencyandpowerelectronics,Optoelectronics,Microandnanoelectromechanicalsystems,Energy.

NumberofMembershipsinProgram/InternationalAdvisoryCommittees:20

Chairmanof3InternationalConf/Workshops:heTech2003and2012,WOCSDICE2009

4PhD.ThesisSupervision InvestigatororPrincipalInvestigatorin38projectsusingpublic

funds,in10EuropeanUnion,ESAorUSA‐fundedprojectsandin9R&DprojectswithSpanishcompaniesorinstitutions

Numberofpapersininternationalpeerrefereedjournals:150(130JCR)

Numberofcommunicationstoscientificmeetings:>170 InvitedtalksinInt.Meetings,WS,andUniversities:50

Page 25: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  25 

I‐04MaríaLourdesCalzadaCocoResearchProfessor

ICMM‐CSIC.C/SorJuanaInésdelaCruz,3,28049Madrid

Email:[email protected]

Ph.D.inChemistryfromtheUniversityofAlcaládeHenares(Madrid‐Spain)in1990. She enjoyed two‐years postdoctoral fellowship (1991‐1992) at theSchool of Materials of the University of Leeds (U.K.). Since 1993, she isResearch Associate at the Materials Science Institute of Madrid (CSIC).Permanent Staff of CSIC, Tenure Scientist, from 1998 at the Dpt. ofFerroelectric Materials‐ICMM. She was appointed as Senior Scientist inNovember2006andResearchProfessorinNovember2009.Dr.Calzadaisauthorofabout100articlesinspecialisedjournalsincludedinthe SCI. She supervised three PhD Thesis and supervises at present twoongoingonesMember of the Scientific Committee of the “Reuniones Nacionales deElectrocerámica” and COST514 Workshop (Madrid, 1996). Member of theProceedings Committee of IMF‐10. Member of the Scientific AdvisoryCommitteeofthe“Workshoponadvancesinthin filmcharacterizationbyX‐ray (Génova, 2002)”. Member of the Scientific Advisory Committee ofElectroceramicsX(Toledo,June2006).During the last ten years, Dr. Calzada has participated in eight SpanishProjects, two European Projects (Brite/Euram and Growth), two EuropeanCOST(514 and 528) actions and one Thematic Network (POLECER) and anumberofcooperationactivities(FR,PT).Project leader of: “X‐ray expert system for electronic film qualityimprovement”(G6RD‐CT1999‐00169),2002‐2004,“Estructuraydinámicadedominiosaescalananométricadeláminasdelgadasferroeléctricasobtenidas

por sol‐gel. Relación con propiedades funcionales” (CAM 07N/0084/2002)2003‐2004,“Láminasdelgadasferroeléctricas.Preparaciónycaracterización”,Integrated Project CSIC‐Aveiro University (PT) and “Low temperatureprocessing of ferroelectric films for computer memories and piezoelectricapplications”(COST528 Action).She is as well project leader of a fundedprojectbythespanishMEC:Sol‐gelsynthesisforthetailoringofprecursorsusedinthefabricationofthinand ultrathin ferroelectric films. The underlaying theme of Dr. Calzada’sresearch is the synthesis of sol‐gel precursors for the production offerroelectric perovskite powders and films. Her current research interestsembrace the development of novel chemical processes that permit thefabricationofthinandultrathinfilms,andself‐assembledsystemsintegratedwith silicon. She is also interested in the scaling down of the ferro‐piezoelectric properties of these materials and on their applications indevices.

Page 26: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  26 

I‐05MaríaAntoniaSeñarísRodríguezCatedráticodeuniversidad(CAT‐UN)

DepartamentodeQuímicaFundamentalFacultaddeCienciasCampusAZapateira,s/n15071ACoruña

[email protected]

GraduatedinChemistry,UniversidaddeSantiagodeCompostela1988.Masterin Chemistry, Universidad de Santiago de Compostela 1988. Master inMaterials of Technological Interest, Universidad Complutense de Madrid1992.Ph.D.InChemistry,UniversidadComplutensedeMadrid1992

HeadoftheFundamentalChemistryDepartment,UniversidadACoruña2000‐2002Director of the Scientific Research Support Services, University of A Coruña2004‐2005Member of the Board of the Spanish Group of Solid State Chemistry, 1998‐presentMemberof theAssessmentandConsultativeBodyCGIACAof theAgency forQualityAssuranceintheGalicianUniversitySystem:2009topresent.

Publications: Over 105 papers in international journals and 150communications (plenary, invited, oral and posters) in national andinternationalconferences.Supervisor:6DoctoralThesis,15MasterThesis.Projects:Participationinover20projects,inmostofthemasresearchleader.Researchexperienceabroad:LaboratoiredePhysiqueduSolide,UniversitédeParis‐Sud,Francia(1month,1991,1992),CenterforMaterialsScienceandEngineering,UniversityofTexasat Austin, Austin (TX, USA) (2 years,1993‐1994), Max‐Planck Institut für

Festkörperforschung,Stuttgart(Germany)(1year,2008‐2009),UniversityofFrankfurt (Germany) (2 months, 2012) User of syncrotron and neutrondiffractionsourcesattheILLGrenobleandHMI(Berlin‐Germany).

Research:Synthesis, characterization and study of materials that show outstandingphysical properties (superconducting, magnetic, electronic, dielectric,multiferroic,thermoelectric,etc.)Influenceofchemicalcomposition,structureandmicrostructureontheabove‐mentionedproperties.Materialsunderinvestigation:transitionmetaloxides(cobaltites,manganites,nickelates...),hybridinorganic‐organicsolids,magneticnanoparticles,etc.

Page 27: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  27 

I‐06JuanEnriquePageCatedráticodeUniversidadDptoSeñalesSistemasyRadioc..ETSITelecomunicaciónAvda.Complutense3028040Madrid

E‐mail:[email protected].

Ingeniero de Telecomunicación (grado en 1971 y doctor en 1974). Desde1983 es profesor en el Departamento de Electromagnetismo y Teoría deCircuitosenlaETSIdeTelecomunicación,EscuelaenlaquefueDirectorenelperiodo1986–1989.

Comparte ladocenciaenElectromagnetismoyTeoríadeCircuitos junto conunaactivainvestigaciónenelcampodediseñoasistidoporordenador(CAD)en dispositivos y sistemas de microondas, lo que incluye el análisis ycaracterizacióndeguíasdeonda,líneasdetransmisión,estructurasplanalesyperiódicas, el análisis y diseño de dispositivos pasivos para microondas yondasmilimétricasylaaplicacióndetécnicasdeoptimizaciónnumérica.Unaúltimalíneadeinteréseselestudio,análisisyaplicación,delosdenominadosmateriales zurdos, doblemente negativos ometamateriales, en el ámbito delasmicroondasylasondasmilimétricas.

Cuenta con numerosas publicaciones docentes y científicas y un importantenúmerodeproyectosdeinvestigación,quecubrendesdeinvestigaciónbásicahasta transferencia industrial con financiación pública tanto nacional comoeuropeayfinanciaciónprivada.

Page 28: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  28 

I‐07BertaMorenoDoctoracontratadaDepartamentodeVidriosICV‐CSIC

Doctorapor laUniversidadAutónomadeMadriden2006.DentrodelGrupode Electrochemical Applications Materials, su trabajo de investigación secentra en el campo de los procesos electroquímicos y electrocatalíticosimplicadosenaplicacionesenergéticasymedioambientales,destacandoenelestudioydesarrollodepilasdecombustibledeóxidosólido(SOFCs).

Másdel50%delos30artículospublicadossehanrealizadoencolaboraciónconinvestigadoresdecentrosextranjeros.Los objetivos tecnológicos están financiados por proyectos privados ypúblicos de apoyo tecnológico y presta especial atención a la formación depersonal,incluyendodireccióndetesisdoctorales(2),cursosdeformaciónyvisitasdecientíficosyestudiantesextranjeros.

Laactividaddeinvestigaciónimplicaeldiseño,desarrolloycaracterizacióndemateriales y componentes electroactivos para dispositivos electroquímicos.Se desarrollan materiales y componentes para pilas de combustiblepoliméricas (PEMFCs), pilas de combustible de óxido sólido (SOFCs) ymembranas cerámicas de separación de gases. En los últimos cinco años sehan iniciado estudios en el campo de los materiales biocerámicoselectroactivosparalaadherencia,supervivenciaycrecimientodeneuronasyotras aplicaciones biomédicas como la eliminación de especies radicales deoxígeno y/o nitrógeno, incluyendo nuevas terapias para la eliminación decélulascancerígenas

Page 29: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  29 

I‐08MarcoDelucaScientificAssistantRamanspectroscopy,ElectroceramicsMontanuniversitätLeoben

Email: [email protected]@unileoben.ac.at

Keyactivities Ramanspectroscopyformicro‐structuralandphasetransformation

analysisinleadzirconatetitanate(PZT)andlead‐freeceramicferroelectricsandrelaxors.

Ramanspectroscopy‐applicationinstructuralandfunctionalceramicmaterials:textureandorientationanalysis,measurementofresidualstresses.

Applicationofothermicro‐analyticalmethods(EDX,EBSD,FIB)tothemicromechanicalanalysisofstructuralandfunctionalceramics.

Mechanicalpropertiesofceramicsandsemiconductorsforuseinprintedcircuitboards.

ProfessionalBackground 1998‐2004Diploma(ChemicalEngineering)fromtheUniversityof

Trieste,Trieste‐Italy. 2004‐2005researchassistantattheInstituteoftheScienceand

TechnologyforCeramicMaterials,ISTEC‐CNR,Faenza‐Italy. 2005‐2006researchassistantattheResearchInstituteforNanoscience,

KyotoInstituteofTechnology,Kyoto‐Japan. 2005‐2009Dissertation(Ph.D)attheKyotoInstituteofTechnology,Kyoto

‐Japan. SinceMarch2009researcherattheInstituteforStructuralandFunctional

CeramicsSelectedPublications

AkselE.,J.Forrester,B.Kowalski,M.Deluca,D.Damjanovic,JLJones:Phys.Rev.B,85(2012)p.024121

M.Deluca,L.Stoleriu,LPCurecheriu,N.Horchidan,ACIanculescu,C.Galassi,L.Mitoseriu:J.Appl.Phys.,111,(2012)p.084102

D.Schütz,M.Deluca,W.Krauss,A.Feteira,T.Jackson,K.Reichmann:Adv.Funct.Mat.,22[11],(2012)pp.2285‐2294

M.Deluca,H.Fukumura,N.Tonari,C.Capitani,N.Hasuike,K.Kisoda,C.Galassi,H.Harima:J.RamanSpectrosc,42,(2011)p.488th

M.Deluca,R.Bermejo,H.Grünbichler,V.Presser,R.Danzer,KGNickel:"ScriptaMater.63,(2010)p.343rd

M.Deluca,T.Sakashita,G.Pezzotti:"Appl.Phys.Lett.,90,(2007)p.051919th M.Deluca,T.Sakashita,W.Zhu,H.Chazono,G.Pezzotti:,J.Appl.Phys.,101,(2007)

p. 083,526th M.Deluca,M.Higashino,G.Pezzotti:Appl.Phys.Lett.,90,(2007)p.091,906thAwards RecipientofMonbukagakushograntforforeignresearchersinJapan

(JapaneseMinistryofCulture‐MEXT)2005‐2009. MemberoftheManagementCommitteeoftheEuropeanCOSTActionMP

0904SIMUFER"Singleandmulti‐phaseferroicsandmultiferroicswithrestrictedgeometries"(from2010).

1stPrizeforposter(PostDocCategory)atthefirstEarlyStageResearchersWorkshopofCOSTActionMP0904(March2011).

Page 30: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  30 

I‐09ElenaBuixaderasScientificAssistantDivisionofCondensedMatterPhysicsDepartmentofDielectricsInstituteofPhysicsASCRPragueEmail: [email protected]

Estudió  Física  en  la Universidad  del  País  Vasco  y  en  la  de  Zaragoza,  donde  se licenció.  Hizo  el  doctorado  en  la  Academia  de  Ciencias  de  la  República  Checa (Estudios  espectroscópicos de dinámica de  la  red  en materiales  ferroeléctricos, defendida en 2001). En  2005 recibió el premio Otto Wichterle  de la Academia de Ciencias de la República Checa para jóvenes investigadores. Desde 1996 reside en Praga donde trabaja como investigadora en el Grupo de “Dielectric properties of nano‐inhomogeneities in condensed matter”, dirigido por el profesor Jan Petzelt.  

Algunas de sus líneas científicas son:  Espectroscopías  de  Infrarrojo  Lejano,  Raman  y  neutrons  aplicados  a

monocristales, cerámicas láminas delgadas y composites. Materiales  Ferroeléctricos  y multiferroicos.  (Dinámicas  de  orden  desorden,

ferroelectricidad  incipiente,  vídrios  dipolares,  antiferroeléctricos  oconductores superiónicos)

Pérdidas dieléctricas en materiales para microondas.

Es  autora  de  más  de  50  publicaciones    y  ponente  en  numerosos  congresos científicos  especialmente  relacionados  con  la  Electrocerámica  y  materiales ferroeléctricos. 

Page 31: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  31 

I‐10

Emilio Morán Miguélez Catedrático de Universidad Departamento de Química Inorgánica Universidad Complutense de Madrid 

Email: [email protected] 

Doctor enCienciasQuímicaspor laUniversidadComplutensedeMadrid, en1981. Ha desempeñado diversos puestos docentes e investigadores, conestanciasenelCNRSdeGrenoble(1980y1981),enloslaboratoriosdeATT‐Bell enNJ‐USA (1984)o en elUCMIBM‐ARC “DelAmo enCalifornia. Desde1985 es profesor en el departamento de química inorgánica de la UCM,consiguiendo el puesto de Catedrático en 1999 y desempeñando desdeentonces numerosas funciones docentes, de gestión universitaria y deinvestigación “Preparación, caracterización y propiedades de sólidos nomoleculares”delaUCMenelCampusdeExcelenciaInternacionaldeMoncloa,tienecomolíneasdeinvestigaciónmásdestacadaslassiguientes: Estudiodematerialesparacomponentesdedispositivosgeneradoresde

energía Estudiodematerialesmultiferroicos Síntesisysinterizaciónasistidaspormicroondasdesólidosinorgánicos MaterialesSuperconductores

Es autor de más de 200 trabajos publicados en revistas científicasespecializadas, ponente invitado en numerosos congresos científicos,participante, directorenmásde100proyectosde investigaciónfinanciadosconfondospúblicos(nacionalesyeuropeos)yfondosprivadosydirectorde4tesisdoctorales.Miembrodenumerososcomitésdeevaluaciónyderevisión.

Page 32: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  32 

Page 33: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  33 

I‐01RELACIONESENTREESTRUCTURALOCALYTCENLA

OXIDACIÓNDEMOLIBDO‐CUPRATOSSUPERCONDUCTORESDELTIPO:

MoxCu1−xSr2RECu2Oy(RE=Y,ErandTm).

M.Á.Alario‐Franco1,S.Marik1,2,E.Morán1&O.Toulemonde21LaboratorioComplutensedeAltasPresiones,FacultaddeCienciasQuímicas,UniversidadComplutensedeMadrid,CiudadUniversitaria,28040,MADRID.

2CNRS,UniversitédeBordeaux,ICMCB,87avenueduDr.A.Schweitzer,Pessac,F‐33608,France

ElestudiopormediodedifraccióndeR‐Xyneutronesdelprocesodeoxidacióndelosmaterialescitadosaelevadaspresionesdeoxígeno(P≈1bar‐90kbar)yaltastemperaturas(≤1273K),modifica laestructuralocalde laspirámides [Cu‐O5], cuyas bases constituyen los planos superconductores enlos cupratos: El oxígeno apical se aproxima progresivamente al cobre delcuadradoplano[Cu‐O4]yelángulobasal O1‐Cu2‐O1seincrementaconelcontenidoenoxígeno.

EnelcursodeeseprocesoRed‐Ox,elmolibdenoseoxideyelcobresereduce. Al mismo tiempo, la temperatura crítica se incrementa de maneranotable.

Este comportamiento resulta anómalo en relación a la tendenciahabitualdelosprocesosdeoxidacióndesuperconductoresanálogoscomolosdelafamiliadelosdenominadoscupratosdemercurio.Estosresultadosserándescritosycomentadosenlapresentecomunicación.

Notas / Notes 

Page 34: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  34 

I‐02

INTEGRACIÓN DE NANOTUBOS DE CARBONO EN  MICRORESONADORES PIEZOELÉCTRICOS

EnriqueIborra.

Notas / Notes 

GMM‐CEMDATIC.DepartamentodeIngenieríaElectrónica.ctE.T.S.I.Telecomunicación.28040Madrid.Spain

[email protected]

Page 35: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  35 

I‐03GRAPHENE: TECHNOLOGIES AND APPLICATIONS 

Fernando Calle 

Notas / Notes 

ISOM‐UPM.DptodeIngenieríaElectrónica.E.T.S.I.Telecomunicación28040Madrid.Spain

e‐mail:[email protected]

Page 36: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  36 

PlenariaLOSMATERIALESENELFUTURODELATECNOLOGÍADE

LOSMICROSISTEMAS.LAESTRATEGIADELMIT

TomasPalacios

Notas / Notes 

E‐Mail:[email protected]

DepartmentofElectricalEngineeringandComputerScience.MassachusettsInstituteofTechnology.77MassachusettsAvenue,Rm.39‐567B.Cambridge,

MA‐02139,USA

Page 37: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  37 

I‐04

REDUCCIÓNDRÁSTICADELATEMPERATURADECRISTALIZACIÓNDELÁMINASDELGADAS

FERROELÉCTRICASMEDIANTEMÉTODOSENDISOLUCIÓNEMPLEANDOLUZUV

I.Bretos,*R.Jiménez,*J.Ricote,*R.Sirera,&A.J.Pérez‐Rivero,* D.Pérez‐Mezcua*,&andM.L.Calzada*

*InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid,CSIC(ICMM‐CSIC).C/SorJuanaInésdelaCruz,3,Cantoblanco.Madrid.España.&DepartamentodeQuímicayEdafología,FacultaddeCiencias,

UniversidaddeNavarra,E‐31008Navarra,España.

E‐mail:[email protected]

Prometedoras aplicaciones en la emergente electrónica flexible (e.g.,recolección de energía, celdas solares, actuadores, sensores o memorias)requieren la incorporación de óxidos cristalinos funcionales para que eldispositivo trabaje eficientemente. Sin embargo, integrar estos óxidos conplásticos,papelo tela esundesafío, yaque sus temperaturas deprocesado,>600ºC,estánmuyporencimadelasdedegradacióndelsubstrato.Esto,sinembargo,esunaoportunidadúnicaparalosóxidosferroeléctricos,yaquesumultifuncionalidad intrínseca lespermitiríarealizardiversasoperacionesendispositivosconaltasprestaciones.Las técnicas de depósito de disoluciones se presentan hoy en día como losúnicos métodos que permiten una integración directa de capaspasivas/activas con substratos flexibles, con la ventaja adicional de podermanipular la química de la disolución para reducir la temperatura deprocesadodelóxidocristalino

Este trabajo aborda el procesado a baja temperatura de óxidos cristalinosmultifuncionales sobre substratos plásticos, utilizando luz UV. Para ello, sediseñará la química de la disolución precursora mediante estrategiasnovedosasde síntesis; e.g., (i) síntesis de complejosmetálicos fotosensibles,(ii)solesdifásicossemilladosyfotosensiblesy/o(iii)descomposiciónasistidaporfotocatálisis.1‐3Estasrutassintéticasseaplicaránaprecursoresdeóxidosferroeléctricos[elferro‐piezoeléctricoPb(Zr1‐xTix)O3yelmultiferroícoBiFeO3)].Losmaterialesobtenidos se caracterizarán a escala nanoscópica y macroscópica, lo quepermitirá evaluar su utilidad en la próxima generación de dispositivosflexibles.

Referencias1.‐D.Pérez‐Mezcua,R.Sirera,R.Jiménez, I.Bretos,C.DeDobbelaere,A.Hardy,M.K.VanBaelandM.L.Calzada.J.Mater.Chem.C,2014,2,8750.2. I.Bretos, R.Jiménez, A.Wu, A.I.Kingon, P.M.Vilarinho and M.L.Calzada. Adv.Mater.,2014,26,1405.3. I.Bretos,R.Jiménez,D.Pérez‐Mezcua,N.Salazar,J.RicoteandM.L.Calzada.Adv.Mater.,2015,DOI:10.1002/adma.201405857.

Notas / Notes 

Page 38: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  38 

I‐05MATERIALESMULTIFERROICOSMAGNETOELÉCTRICOS

BASADOSENÓXIDOSMIXTOSCONESTRUCTURAPEROVSKITAYRELACIONADAS

MaríaAntoniaSeñarísRodríguez

DepartamentodeQuímicaFundamental,FacultaddeCiencias,UniversidaddeACoruña,,15071ACoruña

E‐mail:[email protected]

El desarrollo de materiales multiferroicos magnetoeléctricos, en los quecoexistan orden magnético y eléctrico de largo alcance y se produzca unacoplamiento entre ambaspropiedades, despierta gran interés debido a surelevanciatecnológicayalosdesafíoscientíficosqueplantea.Noobstante,elnúmerodematerialesmultiferroicos(unifásicos)conocidoespequeñoyaqueexisten muy pocos compuestos que presenten simultáneamente ambaspropiedades y de ellos solo algunos presentan un cierto acoplamientomagnetoeléctrico (ME). Entre ellos, los óxidos de losmetales de transiciónconestructuraperovskitasonespecialmenterelevantes.

Enestapresentación,trasunapanorámicageneralinicialnoscentraremosenperovskitasmultiferroicastipoIIenlasquelapolarizaciónesinducidaporelordenmagnético yqueson lasquepresentan losefectosMEmás fuertes.Ynos detendremos en algunos ejemplos concretos, como el del Lu2MnCoO6,(perosvkita doble preparada por primera vez en nuestro laboratorio, y quepresentapolarizaciónymagnetizaciónnetasque coexisten y se acoplanpordebajo de ~35 K,mediantemecanismos complejos e interesantes), o el delCaMn7O12 (perosvkita cuádruple con una estructura magnética helicoidal,que presenta una de lasmayores polarizaciones inducidasmagnéticamentequeseconoce).

Notas / Notes 

Page 39: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  39 

I‐06MATERIALESDIELÉCTRICOSPARASUUSOEN

DISPOSITIVOSDEMICROONDASNotas / Notes 

JuanEnriquePage

DptodeSSR.ETSITelecomunicaciónAvdaComplutense,3028040Madrid

E‐mail:[email protected]

Si  se  quisiese  describir  con  una  sola  palabra  la manera  en  que  un  experto  en dispositivos  de  alta  frecuencia  interacciona  con  los materiales  dieléctricos  ésta sería, sin duda, VARIEDAD. Es un error común pensar que este especialista utiliza los  dieléctricos  solo  para  construir  sus  dispositivos.  En  la  sección  de radiofrecuencia  de  un  sistema  de  comunicaciones  los  dieléctricos  aparecen además  como  componentes,  muchas  veces  inevitables,  del  escenario  y  es necesario  considerarlos  como  parte  del  sistema  que  se  diseña.  Esto  hace  que deban conocerse características electromagnéticas de materiales tan inesperados para un ingeniero de telecomunicación como el vidrio de ventana o la madera. 

En  esta  comunicación  se  pasa  una  revista  rápida  a  un  amplio  conjunto  de materiales  utilizados  por  el  autor  a  lo  largo  de  su  carrera  profesional,  tanto investigadora como docente, con referencias a sus diferentes aplicaciones. Si bien en  ningún  caso  se  plantea  la  actividad  desde  el  punto  de  vista  del  experto  en materiales, merece  la  pena  destacar  como  el  especialista  en  sistemas  de  alta frecuencia  se  convierte  a  veces  en  un  “creador  de  materiales”  a  base  de combinar, con su criterio de  ingeniero, aquellos más simples que encuentra a su alcance con el fin de obtener un comportamiento más acorde a sus necesidades

Page 40: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  40 

I‐07INTRODUCCIÓNDELOSMATERIALESCERÁMICOSENLAS

PILASDECOMBUSTIBLEDEBAJATEMPERATURA

B.Moreno

InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,C/Kelsen5,CampusCantoblancoUAM‐CSIC,28049,Madrid,España

E‐mail:[email protected]

Las pilas de combustible de membrana de intercambio protónico (PEMFC)representan una alternativa energética al uso de combustibles fósiles entransporte y aplicaciones estacionarias de baja potencia. Aunque es unatecnología lista para su comercialización, sigue en proceso de optimización,principalmenteenelcosteylasprestacionesdesuscomponentes.Materialestradicionalescomoelplatinoyelcarbónenloselectrodos,o lasmembranaspoliméricas de NAFION ® en el electrolito se ven sometidos a unaslimitaciones operativas importantes que suponen una barrera real a lacomercializacióndeestosdispositivos.Cadavezesmásevidentelanecesidadde reducir el coste de producción y alargar el tiempo de vida útil de losmateriales que constituyen el corazón de la pila. Esta necesidad ha sido elorigen de una nueva línea de trabajo centrada en la implementación dematerialescerámicosenlosdistintoscomponentesdelasPEMFC.Materialescomo carburos (WC, MoC), óxidos (TiO2, WO2, SiO2) y óxidos mixtos conestructura perovskita han sido considerados tanto en electrodos como enelectrolitos con tres objetivos claros: elevar su temperatura de trabajo,limitadahastaelmomentoa80ºC,evitarladegradacióndelelectrocatalizadoren loselectrodos,principalmenteenelcátododondesufreunascondicionesaltamente corrosivas, y disminuir el contenido en Platino de los electrodos.Las propiedades eléctricas de este tipo de cerámicas unidas a la resistencia

química y térmica que estos materiales presentan hacen de ellos unaalternativarealycompetitivaalosmaterialesempleadosenlaactualidad.

Notas / Notes 

Page 41: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  41 

I‐08RAMANSPECTROSCOPYOFLEAD‐FREEFERROELECTRICSANDRELAXORS

MarcoDeluca1,2

1MaterialsCenterLeobenForschungGmbH,Roseggerstrasse12,8700Leoben(Austria)

2InstitutfürStruktur‐undFunktionskeramik,MontanuniversitaetLeoben,PeterTunnerStrasse5,8700Leoben(Austria)

E‐mail:[email protected]

Ferroelectric and relaxor ceramics are being nowadays increasingly studiedfor industrial piezoelectric, dielectric and energy‐related applications.Followingtheenvironmentalregulationsthatimposefindingasuitablelead‐freealternativetoreplacethedominantlead‐basedelectroceramics,bismuth‐orbarium‐basedferroelectricsandrelaxorsarecurrentlyunderconsiderationforseveralapplications.In this talk, theuseofRamanspectroscopy for thecharacterizationof thesematerial classes will be presented. Due to its sensitivity to the short‐rangestructure,thistechniqueisespeciallyeffectiveifusedtogetherwithdielectric,piezoelectricmeasurementsorX‐raydiffraction,methodsthatgenerallygiveamacroscopicpictureofthestructureandpropertiesofthematerial.Ramanspectroscopy canbe used to detect phases, coexistence of phases, and theirtransition independenceofelectric field,pressureand temperature.Severalexamplesof theapplicationofthistechniquetothestudyofrelaxorswillbegiven,includingsodiumbismuthtitanate(NBT),themostpromisinglead‐freeferroelectric, and A‐site and B‐site substituted barium titanate (BT)‐basedceramics. The relationship between the structures revealed by Ramanspectroscopy and the dielectric and electro‐mechanical properties of thesecompositionswillbealsodiscussed.

ThecomplementaryroleofRamanspectroscopywithothertechniqueswillbehighlighted,andalso itscapability todistinguishstructural features thatcanbeascribedtodifferencesintheproductionprocessofthesematerials.

Notas / Notes 

Page 42: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  42 

I‐09PHONONSANDRELAXATIONSINELECTROCERAMICS

ElenaBuixaderas

InstituteofPhysics,CzechAcademyofSciences,NaSlovance2,Prague,CzechRepublic

E‐mail:[email protected]

One of the most successful methods employed for revealing properties ofmaterials is the study of atomic vibrations of the crystal lattice and ofrelaxations fromvibratingobjectspresent in thematerial.Atomicvibrationsor phonons provide information about intrinsic properties related to theatomic arrangement: symmetry, atomic modulations, incommensurations...Relaxations give information about extrinsic properties connected withdifferent objects present in the material: domains, nanoregions, grainboundaries...The frequencyof these last relaxations ismostly related to thesizeoftherelaxingobject,whichisimportantfortheircharacterization.Both,phononsandrelaxationscontributetothedielectricsusceptibility;therefore,spectroscopic methods are very useful when analysing the dielectricbehaviourofamaterial.

Ceramicsdevelopedforelectronicapplicationscanbestudiedusingabroad‐band approach to their dielectric behaviour, covering the frequencydependence of the dielectric response frommHz to teraHz. Their dielectricproperties can be investigated using Raman, infrared spectroscopy, time‐domainTHzspectroscopy,MWanddielectricspectroscopy.Bycombinationofall these experimental methods, the whole dielectric behaviour can bemeasured, interpretedandunderstood. Incombinationwithsimulations,viamathematicalmodellingor first‐principles calculations, this approach is oneofthemostpowerfultoanalyzeelectroceramics.

Iwillshowanoverviewofallthespectroscopicmethodsmentioned,puttingemphasis in the problems encountered when modelling ceramics, films orcomposites, alongwith the application of the approach in themost famouselectroceramicmaterial:PZT.

Notas / Notes 

Page 43: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  43 

I‐10SINTESISYPROCESADO,ASISTIDOSPORMICROONDAS,

DEMATERIALESELECTROCERÁMICOS

EmilioMorán1,JesúsPrado‐Gonjal1yRainerSchmidt2

1Dept.QuímicaInorgánica.F.C.Químicas.Univ.Complutense.28040Madrid.2Dept.FísicaAplicadaIII.F.C.Físicas.UniversidadComplutense.

28040.Madrid

E‐mail:[email protected]

Lautilizacióndelaradiaciónmicroondasparalapreparaciónyprocesadodemateriales inorgánicos constituye una alternativamuy interesante aunquedemomentopocoexplotada..Existendistintasvíasdesíntesis(estadosólido,precursores, hidrotermal, etc.) así como tipos de dispositivos, desde unsencillo horno de microondas doméstico ‐convenientemente modificado‐hastaaparatosmuchomássofisticadosconcontroldepresiónytemperatura.Una mención especial merece el caso de equipos “monomodales”, quepermiten utilizar de modo selectivo ya sea la componente eléctrica o lamagnéticadelaradiación.Unaventajaobviadeestainnovadorametodologíaeselconsiderableahorrotantodetiempo(minutosenlugardehorasodías)comodeenergía,porloqueestemétodode“QuímicaRápida”podríatambiénserconsideradocomounmétodode“QuímicaVerde”.Nomenosimportanteeselhechodequesetrabajaencondicionesfueradelequilibrio,loquepuedeoriginarfasesmetaestables, yque,dadasurapidez,seinhibeelcrecimientodelaspartículas,loquepuededarlugarananomaterialescontodoloqueelloconlleva.Enestacomunicaciónsepresentaránydiscutiránvariosejemplosdemateriales electrocerámicos, todos ellos óxidos, preparados por esta vía:perovskitasdemetalesdetransiciónconaplicacióncomoelectrodosenpilasde combustible de óxido sólido (SOFC), cerias dopadas con aplicación comoelectrolito en el mismo tipo de pilas, materiales catódicos para batería

recargablesdelitioosodio,etc.Uncasodegraninteréseseldelaferritadebismuto,BiFeO3,unode lospocosmaterialesmultiferroicosexistentes, cuyasíntesis hidrotermal asistida por microondas permite conseguirlo biencristalizadoenpocosminutosycuyasinterizaciónenunhornomonomodalesasímismofactible.

Notas / Notes 

Page 44: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  44 

Page 45: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  45 

O‐01ANÁLISISDELASPROPIEDADESESTRUCTURALESYFUNCIONALESDEMATERIALESPIEZOELÉCTRICOS

DOPADOSDERIVADOSDELBNBT

E.Cerdeiras1,A.Robles1,D.A.Ochoa2,J.E.García2yL.Mestres1

1DepartamentdeQuímicaInorgànica,UniversitatdeBarcelona,08028Barcelona,España.

2DepartamentdeFísicaAplicada,UniversitatPolitècnicadeCatalunya,08034Barcelona,España.

E‐mail:[email protected]

Durante los últimos años, en la búsquedademateriales cerámicos libres deplomo, los materiales basados en el Bi0,5Na0,5TiO3‐BaTiO3 (BNBT) han sidoampliamente estudiados. Este sistema presenta una transición de fasemorfotrópica donde se observa un aumento de las propiedades eléctricas yporestarazónesconsideradounodelosmaterialesmásprometedoresparasustituir los materiales utilizados hoy en día en dispositivos electrónicosbasadosenelPb(Ti,Zr)O3.Asimismo,comoyaessabido, la incorporacióndedopantes en la estructura es una metodología común utilizada a fin demodificaradecuadamentelaspropiedadesdelosmateriales.Porello,enestetrabajosehallevadoacabolapreparaciónmediantereacciónenestadosólidode las composiciones (Bi0,5Na0,5)1‐xBaxTi1‐yMyO3–δ (BNBTM) siendo x=0,06 ey=0; 0,01 y M lantánidos y elementos de transición, a fin de estudiar suinfluenciaenlaestructura,microestructuraypropiedadesfuncionalesdelascerámicas. Se han utilizado las técnicas habituales en química del estadosólido,todosloscompuestospresentanfaseúnicayvariacióndeltamañodegranoconeldopaje.Lapermitividadeléctricapresentamodificacionestanto

en su valor comoen la temperatura delmáximo al introducir losdiferenteselementos en la estructura. Se ha evaluado también, el comportamientoferroeléctrico y piezoeléctrico de los diferentes materiales observándosediferencias significativas en comparación con el material sin dopar. Estosresultadosponendemanifiestoque laadicióndeelementosenlaestructurapuede ser una forma prometedora de mejorar las propiedades depiezocerámicasbasadasenelBNBT.

Notas / Notes 

Page 46: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  46 

O‐02SEGUIMIENTODELPROCESODEPOLARIZACIÓNEN

PIEZOCERÁMICASBCTZ

A.Reyes1,L.Pardo2,A.M.González3yM.E.Villafuerte1

1InstitutodeInvestigacionesenMateriales,UniversidadNacionalAutónomadeMéxico,CircuitoExteriorS/N,A.P.70‐360,México,D.F.,México.

2InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid,ICMM‐CSIC,SorJuanaInésdelaCruz,3.Cantoblanco,28049Madrid,España.

4GrupoPOEMMA,ETSISTelecomunicación,CampusSur,UniversidadPolitécnicadeMadrid,Ctra.ValenciaKm7,28031Madrid,España.

E‐mail:[email protected]

LascerámicasBa1‐xCaxTi1‐yZryO3(BCxTZy)sedistinguenportenerpropiedadesferroeléctricas y piezoeléctricas óptimas en comparación con algunosmateriales tipoPZTyotros compuestos respetuosos conelmedioambiente(“lead‐free”).Actualmente, elBCxTZy (x=0.15;y=0.10)ha resultado ser el demayor estudio e interés, debido a las importantes características eléctricasreportadas [1‐3]. Se sabe que éstas se encuentran relacionadas con laproximidad que tiene la estequiometría del compuesto a la frontera de fasemorfotrópica(“MorphotropicPhaseBoundary”,MPB).Enestazonacoexistentresdiferentessimetríascristalinas(romboédrica(R),tetragonal(T)ycúbica(C))lascualespromuevenlaelasticidadyablandamientodelared[3‐4].Estapropiedad facilita la orientación de los dipolos entorno al campo eléctricoaplicadoduranteelprocesodepolarización.

Enestetrabajoseanalizalavariaciónquetienelapermitividaddieléctrica,latangente de pérdidas y las diferentes constantes piezoeléctricas en relaciónconla intensidaddelcampoeléctricoaplicado.Lospolvoscerámicos,BCxTZy(x=0.15;y=0.10),sesintetizaronpordosmétodosdiferentes(estadosólidoy

métododePechini).Asímismo,lasinterizacióndelacerámicasellevóacaboenun hornodealta temperatura. Laspropiedadeseléctricasreportadassedeterminaronmedianteelmétodoiterativoderesonancias[5].Palabrasclave:Piezoelectricidad,Permitividad,Polarización

Referencias[1]WFLiuandXBRen(2009)PhysRevLett103[25]257602.[2]DXue,YZhou,HBao,CZhou,JGaoandXRen(2011)JApplPhys109[5]054110[3]YTian,LWei,XChao,ZLiuandZYang(2013)JAmCeramSoc96[2]496‐502.[4]YZhang,JGlaum,CGroh,MCEhmke,JEBlendell,KJBowmanandMJHoffman(2014)JAmCeramSoc97[9]2885‐91[5]CAlemany,AMGonzález,L.Pardo,BJimenez,FCarmonaandJMendiola(1995)JPhysD:ApplPhys28[5]945‐56

Notas / Notes 

Page 47: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  47 

O‐03MOVIMIENTODEPAREDESDEDOMINIO

FERROELÉCTRICASINDUCIDOPORLUZPOLARIZADA†

FernandoRubio‐Marcos1*),AdolfoDelCampo1,PascalMarchet2,andJoseF.Fernández1.

1ElectroceramicDepartment,IttoCerámicayVidrio,CSIC,Kelsen5,28049,Madrid.2LaboratoiredeSciencedesProcédésCéramiquesetdeTraitementsdeSurface,UMR7315CNRS,UniversitédeLimoges,CentreEuropéendelaCéramique,12,rueAtlantis,

87068,LimogesCedex,France.

E‐mail:[email protected]

Losmaterialesferroeléctricosexhibenpolarizaciónespontáneayestable,queporlogeneralpuedeserreorientadaporlaaplicacióndeuncampoeléctricoexterno La naturaleza eléctricamente conmutable de esta polarización es labasedevariosdispositivos ferroeléctricos.Elmovimientode lasparedesdedominioasociados,proporcionaloscimientosdelasmemoriasferroeléctricas,en el que el almacenamiento de bits de datos se consigue mediante laconducción de las paredes de dominio que separan regiones con diferentesdirecciones de polarización. Aquí nosotros mostramos la sorprendentecapacidad para mover las paredes de dominio ferroeléctricas en unmonocristaldeBaTiO3variandoelángulodepolarizacióndeunafuentedeluzcoherente. Este acoplamiento inesperado entre la luz polarizada y lapolarización ferroeléctrica, modifica la tensión inducida en las paredes dedominiodelBaTiO3,lacualesobservada“insitu”utilizandoespectroscopiadeRamanconfocal.Estepotencialefectopodríaconduciralcontrolremoto, sincontactos eléctricos, del movimiento de paredes de dominio ferroeléctricassimplementeporaccióndelaluz.

* Correspondences and requests for materials should be addressed to Dr. F. Rubio‐Marcos

Referencias:1. F.Rubio‐Marcos,A.DelCampo,P.Marchet,J.F.Fernández."Ferroelectricdomain

wall motion induced by polarized light”. Nat. Commun. 6:6594 doi:10.1038/ncomms7594(2015)

Notas / Notes 

Page 48: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  48 

O‐04INHIBICIÓNTÉRMICADELAPIEZOELECTRICIDADDE

FASESPOLARESENCERÁMICASDE(1‐x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‐xBaTiO3

L.Pardo1,A.García1,K.Brebøl2,E.Mercadelli3andC.Galassi3

1InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid‐CSIC,Madrid,Spain2LimielApS.DK‐4772,Langebæk,Denmark

3InstituteofScienceandTechnologyforCeramics(CNR‐ISTEC),Faenza,Italy

E‐mail:[email protected]

Han transcurrido yamás de veinte años de investigación de los materialescerámicostipo“lead‐free”,medioambientamenterespetuosos,quepretendensustituir a los materiales comerciales basados en el titanato‐circonato deplomo (PZT)[1]. En los últimos diez años, y en gran parte debido a lalegislación europea [2], este tema ha atraído a un gran número deinvestigadoresyalgunospaisesyahandesarrolladoprogramasespecíficosdefinanciación que tienen en cuenta esta temática [3]. No obstante, aspectoscomo el desarrollo de procesados de alta reproducibilidad con tecnologíaslimpiase industrialmentetransferibles[4],asicomounmayorconocimientode la estructura local de estos materiales [5], que permita desarrollarestrategiasdedopajepara controlar laspropiedadesde estosmateriales demodosimilaralasdelPZT,estánlejosdehaberseresueltoalafecha.Enestecontexto, estamos estudiando cerámicas piezoeléctricas “lead‐free” (1‐x)(Bi0.5Na0.5)TiO3‐xBaTiO3 [1]. Hemos preparado materiales por síntesis deautocombustión de sol‐gel, a partir de acetatos y nitratos, y fabricadasmedianteprensadoencalienteyposteriorrecristalización.Observamosqueelproceso de inhibición térmica de la piezoelectricidad es complejo, presentaanisotropía y tiene lugar mediante la desorientación térmica de dominiosferroeléctricos y la transición de fase local a partir de un ferroeléctrico

inducidoporelcampoeléctrico.

[1]T.Takenakaetal.Jap.J.Appl.Phys.30,2236(1991)[2]E.Ringgaardetal.J.Eur.Ceram.Soc.25,2701–2706(2005)[3]L.D.Madsenetal.JElectroceram32,60–65(2014)[4]A.Reyesetal.J.All.Comp.584,28‐33(2014)[5]M.E.Montero‐Cabreraetal.Ferroelectrics469,50‐60(2014)

Notas / Notes 

Page 49: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  49 

O‐05EXPLORANDOELCOMPORTAMIENTOMULTIFERROICO

DELSISTEMA(BaTiO3)x(NiFe2O4)1‐x

R.Riesco1,M.Peiteado2,B.Bernardo‐Maestro2,A.C.Caballero3,F.Cebollada2,J.deFrutos2andC.Aragó1

1Dpt.ofMaterialsPhysics,FacultaddeCienciasC‐4UAM.Cantoblanco,28049Madrid,Spain

2POEMMA‐CEMDATIC,ETSIT‐UPM,Avda.Complutense30,28040Madrid,3Dpt.ofElectroceramics,IttoCeramicayVidrio(CSIC),C/Kelsen5,28049,

Madrid

email:[email protected]

Se han preparado, mediante síntesis hidrotermal, muestras cerámicas delsistema mixto (BaTiO3)x(NiFe2O4)1‐x con distintas composiciones (x=1; 0.8;0.65;0.6;0.5;0.2;0).Lapresenciadeunaperovskitacomoeltitanatodebario(BaTiO3) con transición ferro‐paraeléctrica de primer orden junto con laferrita de níquel (NiFe2O4), bien conocido como material ferromagnético,sugieren la posibilidad de diseñar un sistema multiferroico. En efecto, esposible observar ciclo de histéresis ferromagnético en todo el rango decomposicionesmixtas, inclusopara lascomposicionesmáspobresen ferrita(x=0.8); es decir, la presencia de la perovskita ferroeléctrica no inhibe elcomportamiento ferromagnético. Sin embargo la caracterización dieléctricaindica que la transición de fase ferroeléctrica se atenúa rápidamente por lapresencia de la ferrita, volviéndose cada vez más difusa y desapareciendototalmenteparaunvalorcríticoxc0.6,locuallimitadrásticamenteelrangode composiciones en el que sería posible encontrar respuestamultiferroica.Asimismofactorestalescomoeltamañodegranoyladistribuciónhomogénea

deambas fasesdeberánseroptimizadosenel futuroconel findeconseguirmaterialesfuncionales.

Notas / Notes 

Page 50: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  50 

O‐06SÍNTESISMECANOQUÍMICADEBiFeO3DOPADOCON

Nb5+oW6+

M.S.Bernardo1,2,C.Gumiel2,T.Jardiel1,M.Peiteado2,A.C.Caballero1

1.DepartamentodeElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),28049Madrid.

2.POEMMA‐CEMDATIC,ETSITelecomunicación(UPM),28040Madrid.

Las propiedades multiferroicas de los materiales basados en ferrita debismuto, BiFeO3, podríanmejorarmediante la substitución parcial de ionesFe3+enlaestructuraperovsquitacondopantesdonorestalescomoNb5+oW6+.Sinembargo, lasíntesisdeestoscompuestosdopadosmedianteunasíntesisconvencionalenestadosólidoresultaenmaterialesmultifásicosconunagrancantidaddefasessecundariasnodeseadas.Unaposibleestrategiaparaevitarla formación masiva de estas fases es el uso de métodos de síntesisalternativos. La síntesis por métodos mecanoquímicos ha sido propuestacomounode losmétodosmásadecuadosparasintetizaralgunosmaterialesferroeléctricos no fácilmente obtenibles mediante otras rutas deprocesamiento.EnestetrabajoseestudialaobtencióndeBiFeO3dopadoconNb5+ o W6+ mediante una ruta mecanoquímica. La caracterización de loscompuestossintetizadosentérminosdedifracciónderayosXymicroscopíaelectrónica de transmisión de alta resolución evidencia una incorporacióneficientedelosionesdopantesenlaestructuraperovsquitadelBiFeO3yunamotivadorabajaproporcióndefasessecundarias.EstosresultadosconfirmanestatécnicacomounabuenaalternativaalasíntesisenestadosólidoparalaobtencióndeBiFeO3dopadocondonores.Noobstante, la evolución térmicade los productos obtenidos también revela la naturalezametaestable de lasfasessintetizadasquebajounmínimoaportedeenergíadanlugarasistemasmultifásicosnodeseados.

Notas / Notes 

Page 51: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  51 

O‐07PREPARACIÓN,CARACTERIZACIÓNYESTUDIODENANOCOMPOSITESMAGNÉTICOSDEAPLICACIÓNEN

BIOMEDICINA

P.Arévalo1,J.Isasi1*,A.C.Caballero2

1DepartamentodeQuímicaInorgánicaI,FacultaddeCienciasQuímica,Univ.ComplutensedeMadrid,CiudadUniversitarias/n28040Madrid,España.2DepartamentodeElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),

Kelsen,5,28049Madrid,España.

*E‐mail:[email protected]

Enlaactualidadsonmuchoslosinvestigadoresquedirigensuatenciónhaciaelensayodediferentesmétodosdepreparación,con la finalidaddeobtenernanomateriales. La característica más importante y sorprendente de estoscompuestos es la presencia de propiedades singulares, dependientes de lasdimensiones de sus partículas que se encuentran dentro del rangomanométrico[1].

Desdehacetiempo,ennuestroslaboratoriossellevaacabounainvestigaciónenfocada hacia la preparación, a escala nanométrica, de núcleosmagnéticosde composiciónMFe2O4 (M=Fe,Ni), cuyaspropiedadesmagnéticaspuedenser moduladas en función de la morfología del polvo resultante [2]. Lafinalidad es la de recubrirlos con diferentes cortezas poliméricas que seanbiocompatibles, biodegradables y no toxicas para, más tarde, pasar asintetizarnanocompositesdeaplicaciónenbiomedicina[3].Enalgunoscasosestos recubrimientos también pueden aportar cierta facilidad defuncionalización.

Se presentan en este trabajo los resultados obtenidos en la preparación,

caracterizaciónyestudiodenúcleosmagnéticosdecomposiciónMFe2O4,conM = Fe y Ni, que han sido recubiertas con polietilenglicol (PEG),polivinilbutiral (PVB) polivinil alcohol (PVA) y chitosán. Se describen losdiferentesensayosrealizadosparallevaracabotodoslosrecubrimientos.

Referencias[1] D. Ramimoghadam, S. Bagheri, S.B.A. Hamid, Colloids and Surfaces B:Biointerfaces(2015),http://dx.doi.org/10.1016/j.colsurfb.2015.02.003.[2]D.Stanicki,L.VanderElst,R.NMuller,S.Laurent.CurrentOpinioninChemicalEngineering,8,2015,7–14.[3]L.M.A.Ali,R.Piñol,R.Villa‐Bellosta,L.Gabilondo,A.Millán,F.Palacio,V.Sorribas.ToxicologyinVitro,29,2015.962–975.

Notas / Notes 

Page 52: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  52 

O‐08SÍNTESISYCARACTERIZACIÓNPIEZOELEÉCTRICA,MAGNÉTICAYMAGNETOELÉCTRICADEKNN‐LTS

IMPREGNADOCONCoFe2O4

S.A.Barolin1,3,M.A.delaRubia2,3,F.Rubio‐Marcos2,R.E.Alonso4,F.Cebollada3,

J.F.FernandezLozano2yJ.deFrutos3

1LaboratoriodeMaterialesCerámicos,InstitutodeFísicadeRosario(IFIR‐CONICET),Av.27defebrero210bis,2000Rosario,Argentina.

2DptoElectrocerámica,IttoCerámicayVidrio(CSIC),Kelsen5,28040Madri.3POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM,Avda.Complutense,3028040Madrid.

4IIttoFísica,UniversidadNacionaldeLaPlata(CONICET),LaPlata,Argentina.

E‐mail:[email protected]

Lossistemascerámicosmultifuncionaleshandespertadogran interésen losúltimos años destacando entre todos los materiales con propiedadesferroeléctricas y ferromagnéticas. Una de las formas de conseguir lacoexistencia de las propiedades es mezclar ambas fases de forma física. Lamayorpartedelossistemasestudiadossonferritasdecobalto(CoFe2O4)odeníquel (NiFe2O4) conPZTyBaTiO3.Eneste trabajo sedesarrollaunamatrizporosaferroeléctricaparaluegollenarlosporosconlafasemagnética.ComomaterialferroeléctricoconsideramoselKNN‐LTS(K,Na,Li)(Nb,Ta,Sb)O3,yaqueesunmaterialferroeléctricolibredeplomo.Lageneraciónyelcontroldela matriz porosa se consigue controlando la temperatura y el tiempo desinterización. Comomaterial ferromagnético elegimos la ferrita de cobalto(CoFe2O4). El llenado de los poros de la fase ferroeléctrica se produce porimpregnacióndeunasoluciónprecursoradelafaseferromagnética(CoFe2O4),que será sinterizada luego de la impregnación. La porosidad de la matriz

ferroeléctricadeKNN‐LTSsemidióporporosimetríademercurio.Lamatrizporosalibredeplomo,lafasemagnéticaCoFe2O4ylasmuestrasimpregnadasfueron estructural y micro estructuralmente caracterizadas por DRX, SEM,Raman,AFMyMFM.Seobtuvieron losciclosdehistéresis ferroeléctricayelcoeficiente piezoeléctrico d33 para la porosaKNN‐NTS y semidieron ciclosmagnéticos para la fase ferromagnética pura y así como para el compositeKNN‐LTS‐CoFe2O4.

Agradecimientos: Este trabajo está financiado parcialmente por las becasARCOIRIS(ErasmusMundusActionEU)yporlosproyectosMAT2013‐48009‐C4‐3‐P(España)

Notas / Notes 

Page 53: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  53 

O‐09SYNTHESISANDLOCAL‐ORDERSTUDYOF‐Fe2‐XCrXO3

(0.75≤X≤1.25)MAGHEMITE‐LIKEMATERIALS

M.E.Montero‐Cabrera1,M.García‐Guaderrama2,M.Á.Alario‐Franco3,E.Morán3,

L.E.Fuentes‐Cobas1,E.Macías‐Ríos1,M.E.Fuentes‐Montero4

1CentrodeInvestigaciónenMaterialesAvanzados(CIMAV),MigueldeCervantes120,ComplejoIndustrialChihuahua,Chihuahua31136,Chih.,Mexico

2CentrodeInvestigaciónenMaterialesDIP‐CUCEI,Univ.deGuadalajara.Av.Revolución1500,Col.Olímpica.Guadalajara,Mexico.

3DepartamentodeQuímicaInorgánica.FacultaddeCienciasQuímicas.UniversidadComplutense.28040Madrid.Spain(EU)

4FacultaddeCienciasQuímicas,UniversidadAutónomadeChihuahua,Av.Escorza900,ZonaCentro,Chihuahua31000,Mexico

E‐mail:[email protected];[email protected];[email protected];[email protected];[email protected];[email protected];[email protected]

Maghemite‐like materials containing Fe3+ and Cr3+ in comparable amountshavebeenprepared for the first timebysolution‐combustionsynthesis.Theconditions of synthesis, thermal analysis and the magnetic properties aredescribed.Thesematerialsareferrimagneticandaremuchmorestablethanpuremaghemite since theirmaghemite‐hematite transformation takesplaceat about 700 ºC instead of 300 ºC, as usually reported. These materialswere studiedby synchrotron radiationX‐raydiffraction (XRD)andbyX‐rayabsorption fine structure (XAFS) of the K‐absorption edge of two elements.High‐resolution XRD patterns were processed by means of the Rietveldmethod. Thus,maghemiteswere investigated by XAFS in both Fe and CrK‐

edges toclarify,viashort‐rangestructurecharacterization, thenatureof theinvestigatedsystems.Pre‐edgedecompositionandtheoreticalmodelingofX‐rayabsorptionnearedgestructure(XANES) transitionswereperformed.ByanalysisoftheCrK‐edgeXANES,ithasbeenconfirmedthatCrislocatedinanoctahedralenvironment.TheseconsiderationsrequiredtofittheextendedX‐ray absorption fine structure (EXAFS) spectra considering the facts that thecentralatomofFeisabletooccupytwodifferentpositions,eachwithaweightadjustment, while Cr occupies only one. Interatomic distances weredeterminedforx=1,byfittingsimultaneouslybothFeandCrK‐edgesaverageEXAFSspectra.Theresultsoffittingtheexperimentalspectrawiththeoreticalstandardsshowed that thecationvacancies tend to followa regularpatternwithinthestructureoftheiron‐chromiummaghemite(FeCrO3).

Notas / Notes 

Page 54: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  54 

O‐10ONTHEPERFORMANCEOFCERIA‐BASEDCOMPOSITE

MEMBRANES

S.G.PatrícioandF.M.B.Marques

DepartmentofMaterialsandCeramicEngineering/CICECO,UniversityofAveiro

3810‐193Aveiro,Portugal

E‐mail:[email protected]

CompositeionicmembranesbasedonoxidesandalkalinecarbonatesasionicconductorstheoreticallyarefullyselectivewithrespecttoCO2separation,duetotheunderlyingdual‐ionictransportmechanism.TheCO2fluxisunderstoodastheresultofcounter flowsofoxideandcarbonate ions insidethedistinctmembranephases.Inthiswork,ceria‐basedcompositeelectrolytesrangingfrom70to90vol%of CGO (Gd‐doped ceria) combined with a eutectic mixture of Na and Licarbonateswerecarefullyinspectedbyimpedancespectroscopyinair,withinthe 200 to 700 ºC range. At high‐intermediate frequencies, at lowtemperature, the impedance spectra include specific features related to theCGObulkandinterfacialcontributions.Anequivalentcircuitmodelbasedonthecharacteristicsofthedifferentconstituentphasesissuggestedinordertoassess the oxide‐ion transport within the composite. This also allows theextrapolationof the lowtemperatureCGObulkand interfacial impedancetohighertemperatures,closertotypicalmembraneoperatingconditions.Basedon this type of approach, a set of diagnosis tools enables the prediction ofallowed(minimum)andideal(matchingoxideandcarbonateconductivities)working temperatures and performance for the membranes. Actualmembraneperformanceismappedagainstthesevalues.

Acknowledgments:ThisworkwasdevelopedwithinthescopeoftheprojectCICECO‐Aveiro Institute of Materials (Ref. FCT UID/CTM/50011/2013),financedbynational funds through theFCT/MECandwhenappropriate co‐financedbyFEDERunderthePT2020PartnershipAgreement.SPthanksFCTfor her BPD grant (SFRH/BPD/75943/2011). Funding through the FCTprojectNANOMFC(New‐NDIGO/0001/2013)isalsoappreciated.

Notas / Notes 

Page 55: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  55 

O‐11SÍNTESISHIDROTERMALDEFOSFATODELITIO‐HIERROASISTIDOPORDESCOMPOSICIÓNDEUREA:EFECTODEL

COMPUESTOPRECURSORDELITIO.

L.J.Vasquez‐Elizondoa,J.C.Rendón‐Ángelesa,*,Z.Matamoros‐Velozab,

J.López‐CuevasandK.Yanagisawa

aCINVESTAV‐IPN,UnidadSaltillo,Carr.Saltillo‐MonterreyKm.13.5,RamosArizpe,Coahuila,C.P.5900,México.

bInstitutoTecnológicodeSaltillo,V.Carranza2400,Col.Tecnológico,C.P.25280,Saltillo,CoahuilaMéxico.

cResearchLaboratoryofHydrothermalChemistry,FacultyofScience,KochiUniversity2‐5‐1Akebono‐cho,Kochi780‐8520.

*Email:[email protected]

Elcompuesto fosfatode litiohierroesdegran interésparaemplearsecomocátodo en las baterías recargables de ion litio, debido a su alta capacidadteórica y bajo costo. En el sistema Li‐Fe‐PO4‐H2O en condicioneshidrotérmicas,elempleodeunagentereductorcomoelácidoascórbico,esunfactorcrucialparapromovercristalizaciónde la fasepuradeLiFePO4.Enelpresentetrabajo,elcompuestodeLiFePO4(LFP) fuesintetizadomediante larutahidrotermalutilizandoureacomoagentereductor.Lasíntesissellevoacaboadiferentestemperaturas(150–200ºC),portiemposde6hasta24h.Cuatro precursores químicos del ion litio (LiCl, LiNO3, LiOH y Li2SO4) seseleccionaron para determinar el efecto de estos en la cristalización delcompuesto LFP. Los productos de reacción se caracterizaron por XRD, FE‐SEM, FT‐IR. Los resultados mostraron que la cristalización de polvos deLiFePO4 ocurre a tiempos largos de reacción (12 h) y temperaturas

moderadas(170‐180ºC).LacristalizacióndelaspartículasdeLFPseefectuóendosetapas,debidoaqueenelinicioseformaroncompuestosdefosfatodelitio y hierro como subproductos. La cristalización del compuesto LFP serealizó mediante la disolución gradual de los subproductos de reacción atiemposmayoresa6h.ElcrecimientodelaspartículasdeLFPsedeterminóqueesafectadoporlosanionesasociadosalprecursordelitio.Estopromovióademásdeuncrecimientorápidoy laaglomeracióndecristales, lavariacióndelamorfologíadelaspartículas.

Notas / Notes 

Page 56: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  56 

O‐12SÍNTESISYCARACTERIZACIÓNDENUEVOSMATERIALESCATODICOS‐APLICACIÓNENBATERÍASDEIONLITIO

S.Terny1;M.A.delaRubia2;J.deFrutos2;M.A.Frecheroa1

1INQUISUR–UniversidadNacionaldelSur,DepartamentodeQuímica,Av.Alem1253,(8000)BahíaBlanca,BuenosAires,Argentina.

2POEMMA‐CEMDATIC.E.T.S.I.Telecomunicación.UPM.Avda.Complutense,30. 28040.Madrid.España.

[email protected]

Existe un creciente interés en desarrollar cátodos de materiales de altacapacidadparapotenciar sistemasa granescala.Porotraparte, los cátodostienen un gran impacto sobre el voltaje de la celda, la cinética de latransferencia de carga, seguridad y costo. Por consiguiente, el desarrollo dematerialescatódicossehavueltoextremadamenteimportante.

ElLi3V2(PO4)3monoclínicoposeelacapacidadteóricamásgrande(197mAhg‐1) y es particularmente atractivo debido a la abundancia de recursos,seguridad y rápida difusión iónica. Dichomaterial tiene característicasmuyimportantes como estabilidad durante los ciclos, bajo costo cinético,mejoradascaracterísticasdeseguridadybajoimpactomedioambiental.

ElobjetivodeestetrabajoeslasíntesisycaracterizacióndenuevosmaterialescatódicosparalanuevageneracióndebateríasdeionLitio(LiBs),deformulageneral:

/ DondeTM:metaldetransiciónyC:recubrimientodecarbono.Eldopadodelosmaterialescatódicosconionesdemetalesdetransición,ion‐doping,esunmétodo eficiente para mejorar la conducción electrónica intrínseca y la

difusión del ion Li+. Además, el recubrimiento con fibras nano‐carbonadasmejoralaconductividadelectrónica,actuandotambiéncomoagentereductorparaV5+/V3+,comoenelcátodoestudiadoenestetrabajo

DichosmaterialesseráncaracterizadosestructuralyeléctricamentemedianteEIS,SEM,TEMyespectroscopiaRamanConfocal.

Notas / Notes 

Page 57: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  57 

O‐13MODIFICACIÓNMICROESTRUCTURALDEUNELECTRODO

DENiOMEDIANTETÉCNICASCOLOIDALESYSUINFLUENCIAENLASPROPIEDADESELECTROQUÍMICAS

COMOSUPERCONDENSADOR

Z.González1,B.Ferrari1,A.J.Sanchez‐Herencia1,A.Caballero2yJ.Morales2

1IttodeCerámicayVidrio.DptoCerámica.C/Kelsen,5.28049.Madrid2DepartamentodeQuímicaInorgánicaeIngenieríaQuímica.Universidadde

Córdoba.Ctra.NacionalIVKm.396,14014.Córdoba.

E‐mail:[email protected]

Los supercondensadores son uno de los dispositivos de almacenamiento deenergía más prometedores debido a su elevada densidad de potencia y sulargociclodevida.Recientemente, se ha propuesto la fabricación de electrodos mediante laconsolidación de nanoestructuras de semiconductores (óxidos metálicos)libres de carbón y/o aditivos de procesamiento. Entre los semiconductorescerámicos utilizados, el óxido de níquel (NiO) ha despertadomucho interésya que dispone de una elevada capacidad teórica (2.584 F/g), una buenaestabilidadquímicaytérmica,unaaltadisponibilidadyunbajocoste.Elcomportamientoelectroquímicodeunsupercondensadordependetantodelaspropiedadesintrínsecasdelmaterial(superficieespecífica,mesoporosidady/o conductividad electrónica) como del diseño microestructural de suselectrodos. En este sentido, el procesamiento de las películas cerámicasmediante técnicas coloidales nos proporciona un mayor control sobre elconformadodelmaterialempleado.

En este trabajo, se han recubierto espumas de Ni con nanoplacas de NiOmediante la técnica de deposición electroforética. Con objeto demejorar larespuestaelectroquímicasehanexploradodosrutascoloidalesbasadasenlamodificación microestructural: La primera de ellas ha consistido en lamodificación de la superficie de las nanoplacas por adsorción depolielectrolitos mediante sistema multicapa con objeto de crear mayornúmero de canales de difusión para el contacto directo con la disoluciónelectrolítica,mientrasquelasegundarutasehabasadoenlasíntesisdirectade nanopartículas de Ni sobre nanoplacas de NiO, con el fin de mejorar laconectividadentrepartículasdesemiconductor.En ambos casos, se ha evaluado el rendimiento electroquímico de loselectrodosfabricadosentérminosdecapacidadespecífica

Notas / Notes 

Page 58: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  58 

O‐14SUSTAINABLEPROCESSINGOFZnONANOSTRUCTURED

ASSEMBLIESWITHTAILOREDMORPHOLOGY

M.Peiteado1,M.Verde2,J.DeFrutos1,B.Ferrari2,A.C.Caballero2

1POEMMA‐CEMDATIC,ETSIdeTelecomunicación(UPM),Avda.Complutense30,28040Madrid,Spain

2InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),C/Kelsen5,28049,Madrid,Spain

E‐mail:[email protected]

Thepasttwodecadeshaveseenimpressiveprogressinthewaywecanshape,positionandorganizematteratthenanometerscale.Withrecentadvancesindepositiontechniques,artificialmultifunctionaldevicesinvolvingoxide‐basedarrays and nanostructures are now fabricated worldwide, continuouslyimproving thequalityof ourdaily lives.However, this incessantupdating issupported on manufacturing processes entailing sophisticated high‐energyconsumingtechnologiesthatunavoidablyexertaharmfulcontributiontotheglobal climates on earth. In this frame, the concept of bio‐inspired softsolution processing freshly emerges as the sustainable way of processingadvancedmaterials.Inspiredbythenaturalprocessesandtheenergybythemrequired, it has superlative benefits like energy saving, simplicity, costeffectiveness and nor or little waste so, in essence, with an eye on theenvironmentally benign conditions and without contributing to the globalwarming. Following this approach the work here presented describes thepreparation of controlled arrays of semiconductor ZnO with tailoredmorphology andnoneed for intricate or energy‐consuming techniques.Thekey point to successfully attain this goal is that by precisely controlling the

internal structures of the targeted materials, the thermodynamic and/orkineticfeaturesinvolvedinthesynthesisandgrowthstagescanbemodulatedundersoftsustainableconditions.

Notas / Notes 

Page 59: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  59 

O‐15PREPARACIÓNYCARACTERIZACIÓNDECOMPOSITESBASADOSENZnODOPADOSCONÓXIDODEHIERROY

GRAFENOPARALAMODIFICACIÓNDESUSPROPIEDADES

V.Fuertes1,J.F.Fernández2yE.Enríquez2

1Dptodemateriales,FacultadC.C.Físicas(UCM),AvendaComplutenses/n2DptodeElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio,C/Kelsen,5.Madrid

E‐mail:[email protected]

El óxido de Zinc (ZnO) es un material muy estudiado debido a suversatilidad para gran cantidad de aplicaciones como células solares,piezoelétricos, sensores, fotocatálisis, etc. Es un compuesto muy establequímicamenteytienepropiedadesfotocatalíticasdebidoasugrannúmerodepares e‐h. Sin embargo, también tiene algunas desventajas: tiene grancantidaddedefectosensuestructurarelacionadosconelgapquehacenqueabsorba luz en el UV, pero no en el visible, lo que no es favorable para lasaplicaciones ópticas. Además, su velocidadde operación es baja y tieneunarápida recombinación de los pares e‐h, lo que reduce la actividadfotocatalítica. Para solventar estos problemas se ha estudiado introducirdopantesmetálicosqueacelerenlatransferenciadeelectronesyralenticenlarecombinación de los pares e‐h, mejorando sus propiedades. Másrecientemente,sehaestudiadolaadicióndegrafeno(GO),queposeeunaaltaconductividadeléctrica,unaaltamovilidaddeportadoresyunaaltasuperficieespecífica,porloqueesmuyreactivoycompatibleconotrosmateriales,yunaaltatransmitanciaóptica(~98%).Portanto,elgrafenocombinadoconelZnOpuede mejorar el transporte de electrones y reducir la recombinación deparese‐hysemodificarásugapyestructura.Portanto,enestetrabajosehan

preparadocompositesformadosporZnO,grafenoynanopartículasdehierro,con el objetivo de modificar las propiedades del ZnO, solventando susdeficiencias y descubriendo nuevas propiedades derivadas de los dopantes.De estemodo, con el grafeno se pretendemejorar las propiedades ópticas,desplazando el gap hacia longitudes de onda del visible, y reduciendo larecombinación e‐h. Y con las partículas de hierro se pretende estudiar laposibilidaddeobteneraplicacionesferromagnéticasenunamatrizdeZnO.

La matriz de ZnO se prepara mediante la tecnología sol‐gel. Se hanpreparadoloscompositesdeZnO/GO,ZnO/NPsFeyZnO/GO/NPsenformadeláminadelgadayenpolvoparaevaluarelefectoenbulk.Sehaestudiado lamicroestructura (DRX, SEM y Raman) y las propiedades ópticas(espectroscopíadeUV‐Vis)ymagnéticas(VSM)deloscomposites.

Notas / Notes 

Page 60: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  60 

O‐16NANOFLORESDEZnO:CARACTERIZACIÓNY

APLICACIONESEvadeLucas‐Gil,FernandoRubio‐MarcosyJoséF.FernándezElectroceramicDepartment,InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,Kelsen5,

28049,Madrid,SpainE‐mail:[email protected]

El óxido de zinc (ZnO) es un material comercialmente interesante conmúltiplesaplicacionesenlaindustriatalescomocélulassolares,catalizadores,pigmentos, cosméticos, biosensores, etc. En la actualidad, se estádescubriendo el gran potencial que el ZnO nanométrico presenta gracias aldiseñodeestrategias sintéticas capacesde reproducirunagranvariedaddemorfologías comohilos, varillas, cintas, etc. En este trabajomostramos ZnOnanoestructurado en forma de flores, obtenido a partir de una síntesis por“química suave”. Los patrones de DRX indican que las nanoflores de ZnOpresentanestructurahexagonal,conuncrecimientopreferentedelcristalenla dirección [001], lo cual pudo ser confirmado por HR‐TEM. Se evaluaron,además, los efectos de la temperatura durante los distintos tratamientostérmicos.EldesarrollodeestasfascinantesestructurasjerarquizadasdeZnO,asícomolaescalabilidaddelprocesodeobtenciónpuedearrojaralgode luzsobreeldesarrollodeunaltoespectrodefuncionalidadesavanzadas.Enbasea esto, las estructuras presentadas en este trabajo desarrollan una altaactividadbactericida,asícomounfuertecomportamientoantifúngico.

Notas / Notes 

Page 61: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  61 

O‐17CoSb3PERCOLATEDHIERARCHICHAL

NANOCOMPOSITES:ANEWAPPROACHFORTHEOPTIMIZATIONOFTHERMOELECTRICMATERIALS

A.Moure1,M.Rull2,B.Abad2,A.DelCampo1,M.Muñoz2,A.Jacquot3,

J.F.Fernandez1,M.Martin‐Gonzalez2

1InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,C/Kelsen,5Madrid28049,Spain.2InstitutodeMicroelectrónicadeMadrid,CSIC,C/IsaacNewton8.Tres

Cantos,28760Madrid3Fraunhofer‐IPM,ThermoelectricSystemsdepartment,Heidenhofstraße8,

79110Freiburg,Germany.

Abstract

Nanocomposites with complex architectures play an important role in theincreaseoftheFigureofMeritofthermoelectricmaterials.Thisisduetothecapabilityofsuchstructurestoseparatethermalandelectricalconductivity,adifficult task in single phasematerials. In this work, a nanocomposite withcomplex architecture that combinesahighelectric conductorphase (CoSb3)anddifferentscatteringpoints(nano‐oxides)atdifferentscalesarepreparedby a combination of high energy milling in air, to have nanopowders, andSparkPlasmaSinteringtocompactitatthenanostructurescale.Animportantreduction of thermal conductivity and a controlled Figure ofMerit with ZTvalues as high as 1.3 are achieved. This work opens the possibility of theprocessingofanewconceptofnanocompositesasthecontrolofelectricalandthermalconductivitybydifferentpathsleadtoanimportantimprovementoftheFigureofMerit.

Notas / Notes 

Page 62: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  62 

O‐18ENSAYOSDEOBTENCIÓNDENANOPARTÍCULASDEY0.9Er0.1VO4yY0.9Er0.1V0.9M0.1O4(conM=CroP).

L.Alcaraz1yJ.Isasi1

1DepartamentodeQuímicaInorgánicaI,UniversidadComplutensedeMadrid,AvdaComplutenses/n28040,Madrid

E‐mail:[email protected]

Ciertas investigaciones se han focalizado, a lo largo de los años, hacia lamejoradelaspropiedadesluminiscentesdefasesdevanadatodeitriodopadocon tierras raras. El objetivo de estos trabajos ha sido el estudio de supotencial utilización en determinados dispositivos ópticos. La obtención defases de este tipo ha hecho necesario el desarrollo de nuevos métodos depreparación, en el intento de actuar sobre lamorfología de las partículas yconseguirasíunamejoradesuemisiónluminiscente[1].Entreesosmétodosse incluye la coprecipitación,elensayoderutas coloidales, losprocesos sol‐gelolasíntesishidrotermal.

A diferencia de los procesos de síntesis convencionales que requieren altastemperaturas y largos tiempos de tratamiento y que favorecen, además, elincremento del tamaño de partícula, los procesos sol‐gel o de síntesishidrotermal posibilitan la obtención de fases con tamaño de partículacontrolado, permitiendo la probabilidad de que se produzcan emisionesespontáneas,loquegeneralmentemejoralaspropiedadesópticasdelasfasesobtenidas [2]. Es conocido que la luminiscencia también puede versemodificadaen funcióndeldopajeefectuado.Enestesentido, investigacionesprevias, realizadas en nuestro grupo de investigación, han mostradodiferenciasenlaemisiónluminiscentecuandoenelYVO4dopadoconeuropio,elvanadiosesustituyeporcromo[3].

Seexponenenestetrabajolosresultadosobtenidosenlapreparaciónyenlacaracterización estructural y morfológica de ortovanadatos Y0.9Er0.1VO4 yY0.9Er0.1V0.9M0.1O4(conM=CroP)cuandoseempleancondicionesdereaccióndiferentes.

Referencias[1]S.Ray,A.Banerjee,P.Pramanik,Mat.Sci.Eng.B,156,2009,10‐17.[2]R.M.Mohamed,F.A.Harraz,I.A.Mkhalid,J.Alloy.Comp.,532,2012,55‐60.[3]L.Alcaraz,J.Isasi,M.Fernández,C.Díaz‐Guerra,Mater.Chem.Phys.,2014,18‐26.

Notas / Notes 

Page 63: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  63 

O‐19THEREPRESENTATIONOFCOUPLINGINTERACTIONSINTHEMATERIALPROPERTIESOPENDATABASE

(MPOD)L.E.Fuentes‐Cobas1,D.Chateigner2,G.Pepponi3,S.

Grazulis41CentrodeInvestigaciónenMaterialesAvanzados(CIMAV),MigueldeCervantes

120,ComplejoIndustrialChihuahua,Chihuahua31136,Chih.,Mexico2Univ.deCaen‐BasseNormandie,UMR6508CRISMAT,F‐14032Caen,France3MiNALab,CMM‐irst,FondazioneBrunoKessler,38123Povo,Trento,Italy4DepartmentofMathematicalComputerScience,VilniusUniversity,FacultyofMathematicsandInformatics,Naugarduko24,LT‐03225Vilnius,Lithuania

E-mail: [email protected]; [email protected]; [email protected]; [email protected]

TheMaterialPropertiesOpenDatabase(MPOD)isafunctionalelementoftheweb‐based open databases system linked with the International Union ofCrystallography (IUCr). MPOD delivers single‐crystal tensor properties inseveral representations, ranging from numerical matrices to 3D printing.Longitudinal moduli surfaces can be displayed in computers as well as insmart cell phones.MPODwas initiatedbyD.Chateigner in2010.Propertiesarestoredas“.mpod”files.IUCrformattingstandards(CIF)arefollowed.Theoriginal published paper containing the data is cited. Structural andexperimental information is also registered and linked. The MPOD systemincludes a physical properties dictionary with pertinent constitutiveequations.

“Coupling properties”, say piezo‐effects and magnetoelectricity, representinteractions linking different subsystems in a material. Currently,piezoelectricity occupies a significant fraction of cases in MPOD. Theimplicationsof crystal symmetry inpiezoelectricity are systematically taken

intoaccount.Matrices’elementsandlongitudinalmodulisurfacesarecheckedfor consistency with the Neumann Principle. Magnetoelectric axial tensorsintroduce exciting features into MPOD. Color‐symmetry and time‐inversionconsiderations add complexity and interest to the task of systematizing thereception, validation and representation of this remarkable couplingproperty. The representation of polycrystals’ properties symbolizes aforthcoming challenge to the MPOD international group. The MPODpresentationincludesareal‐timedemonstrationofthedatabasepossibilities.

Notas / Notes 

Page 64: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  64 

Page 65: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  65 

P‐01PROPIEDADESDESENSORESDEHUMEDADBASADOSENPELÍCULASDETiO2OBTENIDASMEDIANTESOL‐GEL

A.Crespo‐Durante,S.LarumbeyC.Gomez‐PoloDepartamentodeFísica&INAMAT,UniversidadPúblicadeNavarra,

CampusdeArrosadía,31006Pamplona,España.

E‐mail:[email protected]

Enestetrabajosepresentaunestudiosobresensoresdehumedadbasadosenpelículas delgadas de óxido de titanio (TiO2). Las películas se obtienenmedianteunprocesosol‐gelpartiendodeladisolucióncoloidalapartirdelahidrólisisdeisopropóxidodetitanio(TTIP)enpresenciadeácidoacético.

Enprimerlugar,sedepositaron6capasdelgelsobreunsubstratodevidrioempleando la técnica spin coating, con una velocidad de 3000 rpm y unaduración de 30 segundos. Entre capas, se realizó un proceso de secado a200ºCalairedurante5minutos.Unavezdepositadaslas6capas,secalcinóa500ºC durante una hora empleando una rampa de 3ºC/min. Lacaracterización estructural de las películasmediante difrección deRayos X(SiemensD‐500)muestra la cristalización de TiO2 en fase anatasa. Además,medianteMicroscopía Electrónica de Barrido (Jeol JFM5610‐LV) se observaquelaspelículaspresentanunasuperficierugosa.

UnavezobtenidaslaspéliculascerámicasdeTiO2seprocedióaldepósitodeloselectrodosmetálicosdeAgmediantesputtering.La impedanciaeléctrica,Z, del dispositivo se analizó empleando unmedidor LCR ( Stanford SR720)controlando la humedad y la temperatura ambiental mediante una cámaraclimática(BinderKBF115).

Los resultados muestran un comportamiento decreciente de Z con lahumedadrelativa.Además, lacaracterizacióna frecuenciasde120Hz,1kHzy10kHzmuestrauna componentebásicamente capacitiva enZ, observándoseuna disminución de Z al aumentar la frecuencia para un mismo valor dehumedad.

Notas / Notes 

Page 66: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  66 

P‐02STRUCTURALANDELECTRICALCHARACTERISATIONOF

BaCe0.2Zr0.7Y0.1O3‐�

GemmaHeras‐Juaristi1,AdilsonL.Chinelatto2,DomingoPérez‐Coll1,

RodolfoO.Fuentes3,GlennC.Mather1

1InstitutodeCerámicayVidrio,CSIC,Cantoblanco,28049Madrid,Spain2DepartamentodeEngenhariadeMateriais,UniversidadeEstadualdePontaGrossa,Av.Gal.CarlosCavalcanti4748,84030‐900,PontaGrossa‐PR,Brazil3DepartamentodeFísicadelaMateriaCondensada,CAC‐CNEA,Av.Gral.Paz

1499,1650SanMartín,BuenosAires,Argentina

E‐mail:[email protected]

The perovskite phase BaCe0.2Zr0.7Y0.1O3‐ (BCZY27) is regarded as having anoptimumB‐site‐cationcompositionforproton‐conductingmembranes,whichbestcompromisestheantagonisticattributesofhighprotonconductivityandstability. Such membranes find application in protonic ceramic fuel cells,hydrogenseparatorsandmembranereactors.WehaveperformedadetailedinvestigationofthestructuralandelectricalpropertiesofPechinisynthesizedBCZY27, examining phase fields and transport properties as a function oftemperatureandatmosphere.SynchrotronX‐raydiffractionperformedattheLNLS synchrotron source (Brazil) in the temperature range 25‐900 °Crevealedadiscontinuityinthepseudo‐cubiclatticeparameterat~400°Cindryair,mostlikelyresultingfromaphasetransitionfromspacegroup 3R c to

3Pm m , as indicated by Rietveld refinement. Impedance spectroscopy wasperformed in wet and dry atmospheres of N2, H2:N2, O2 and air in thetemperaturerange200–900°C,andasafunctionofoxygenpartialpressure(pO2) in the range 10‐23 ≤ pO2 ≤ 100 atm by setting different flow rates of

N2/H2:N2/H2OorN2/O2/H2Omixtures.Amodifiedemfmethodologywasalsoemployedfordeterminationoftransportnumbersoftheprotonic,oxide‐ionicandelectronicspeciesinwhichelectrodepolarisationiscorrectedemployinganactive‐loadprocedure.

Notas / Notes 

Page 67: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  67 

P‐03ANALYSISOFSINGLEANDBINARYPHASESINCERIUMDOPEDSODIUMBISMUTHTITANATE‐Na0.5Bi0.5TiO3

MATERIALS

S.Supriya1,2,AntonioJ.Dossantos‐García2,J.deFrutos3andF.Fernández‐Martinez2

1SchoolofAdvancedSciences,VITUniversity,Vellore–632014,India.2IndustrialChemistryandPolymersDep.,ETSIDI‐UPM,Madrid‐28012,Spain.3POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM.AvdaComplutense30.28040Madrid

Abstract

ThepureNa0.5Bi0.5TiO3‐NBT‐sodiumbismuthtitanateandcerium(Ce)dopedNa0.5Bi(0.5‐x)CexTiO3 (x=0.05 to0.15) (NBCT),powdersweresynthesizedbysolid state reaction method. When x= 0.05 of cerium doped NBT is heattreatedat1200ºC,thecompoundformssingleperovskitephase.Thesamplesofx=0.10and0.15wereheattreatedupto1350ºC,thebinaryphaseswithcerium and bismuth oxideswere observed. The effect of cerium dopant inNBTcompoundswereinvestigatedwithpowderX‐raydiffraction(XRD).Thefunctional groups and optical propeties were analyzed by FT‐IR andreflectance spectrum respectively. The thermal stability of the sampleswasevaluated by differential thermal analysis and differential scanningcaloriemetry(DTAandDSC).Inthisworkwepresentourrecentresultsonthesynthesis and characterization of Ce doped sodium bismuth titanatematerials.

Notas / Notes 

Page 68: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  68 

P‐04EFFECTOFAgADDITIONSONTHEBi2Ba2Co2Ox

THERMOLECTRICPROPERTIES

J.C.Diez1,Sh.Rasekh1,M.A.Torres1,P.Bosque2,M.A.Madre1yA.Sotelo1

1InstitutodeCienciadeMaterialesdeAragón(CSIC‐UniversidaddeZaragoza),MªdeLuna,3.50018Zaragoza.

2CentroUniversitariodelaDefensa,Ctra.deHuescas/n.,50090Zaragoza.

E‐mail:[email protected]

Since 1997, with the discovery of large thermoelectric (TE) properties inNaxCoO2greateffortshavebeencarriedouttoexplorenewCoOfamilieswithhigh TE performances. Following this intense research work, some layeredcobaltites,suchasCa3Co4O9andBi2AE2Co2Ox(AE=Sr,CaandBa)werealsofoundtoexhibitpromisingthermoelectricproperties.As layeredCoOoxidesare materials with a strong crystallographic, electrical, and thermalanisotropy,apropergrainalignmentandgoodelectricalgrainconnectivityisnecessarytoattainhighTEpropertiesinbulksamples.

Taking into account these previously discussed effects and the fact that Agimproveselectricalandmechanicalproperties,Bi2Ba2Co2OxTEceramicswithAgadditions(0,1,3,and5wt.%)havebeensuccessfullygrownfromthemelt,using the laser floatingzone (LFZ) technique.Microstructurehasshown theformationofthermoelectricgrainstogetherwithahighamountofsecondaryphases.Theas‐grownsampleswereannealed inairat800ºCduring24h inordertodecreasetheamountofsecondaryphases.Thebestgrainorientationhasbeenobtained insampleswith3wt.%Agcontent,whichhasshownthebest TEperformances, both in the as‐grown condition and in annealed one,whencomparedwithothercompositionsinthesameconditions(asgrownor

afterannealing).An improvementof thepowerfactoraround50%hasbeenobtainedforthesesampleswhencomparedwithAgfreeonesinbothcases.

Notas / Notes 

Page 69: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  69 

P‐05MODELADODETRANSDUCTORESULTRASÓNICOSPARA

FISIOTERAPIAElviraIglesias1,2,JosédeFrutos2,FranciscoMonterodeEspinosa1

1DAEND,ITEFI,CSIC.Serrano144Madrid2POEMMA‐CEMDATIC,ETSIT‐UPM.AvdaComplutense,30.28040Madrid

Son bien conocidas las aplicaciones de los ultrasonidos en tratamientosmédicos y estéticos de piel y demovilización subcutánea de tejidos grasos.Lostransductoresusadostrabajanenfrecuenciasenelentornode1MHzysuacciónsebasaprimordialmenteenelaumentodetemperaturaenalcasodelamovilizacióndetejidograsoydealgunasdolenciasdelapielydelostejidosmusculares–dolor‐debajodelamisma.

El esquema general de estos transductores es un disco piezoeléctricoadheridoaunalíneaderetardometálicaenformadecápsula.Eldiseñodelacápsulaesunpuntocríticoyaqueelelementopiezoeléctrico porsí solo, lacapsulaindependientementeylosdoselementosadheridos,presentanmodosde vibración que si no son estudiados y aprovechados convenientementepuedenprovocardiseñosmuy ineficientesycondistribucionesdevibraciónmuy irregulares. Esto último debe ser conocido y controlado para evitarinsonificaren formanohomogéneacondistribucionesdepresiónydecalosquepodríanserdañinasenciertaspartesdelvolumeninsonificado.

En este trabajo, usando herramientas de Elementos Finitos y de análisisvibracional por interferometría láser, se ha llegado a una solución devibracióntipopistónquepermiteaplicarcorrectamentelasdosisdepresiónacústica,alconocerelcampoacústicoqueseproduce.

Notas / Notes 

Page 70: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  70 

P‐06ESPECTROSCOPÍADEIMPEDANCIADECÉLULASDECRISTALLÍQUIDODOPADASCONNANOTUBOSDE

CARBONO

A.García‐García1,R.Vergaz2,J.F.Algorri2,J.M.Otón1yM.Geday1

1CEMDATIC,E.T.S.I.Telecomunicación,UniversidadPolitécnicadeMadrid,Avda.Complutense30,Madrid,E28040,España

2GDAF‐UC3M,DepartamentodeTecnologíaElectrónica,UniversidadCarlosIIIdeMadrid,Butarque15,Leganés,E28911,España

E‐mail:[email protected]

Losnanotubosdecarbono(NTC)ysuspropiedadesanisótropaspresentanungraninterésenlainvestigacióncientíficaactual.Asociadosacristaleslíquidos(CLs), poseen propiedades eléctricas y electroópticas de gran interés.Mediante la aplicación de un campo eléctrico, lasmoléculas que forman losCLssereorientandebidoasuanisotropíadieléctrica,locualconllevacambiosen lapermitividaddieléctricayenel índicederefracciónen ladireccióndelcampo eléctrico. Debido a esta propiedad, los CLs pueden usarse en laelaboración de multitud de dispositivos electroópticos, tanto displays comodispositivos fotónicos capacesdemanipularhaces luminosos.EldopadodelCLconNTCaltera laspropiedadesdieléctricasde losCLsdependiendode laorientacióndeestasnanopartículas.LacapacidaddecontrolarlaorientacióndelosNTCcuandoestáninmersosenestosmateriales,abriríalaposibilidadavariar las propiedades de los CL a voluntad y con ello desarrollar nuevosavancesenlosdispositivosfotónicosdeCL.TeniendoencuentaquelosNTCpresentan propiedades eléctricas anisótropas, se ha estudiado sureorientacióndentrodelmedioCLempleandoespectroscopíadeimpedancia.

LosresultadosmuestranunaclaradependenciadelaposicióndelosNTCenel medio con el campo eléctrico, llegando incluso a cambiar elcomportamientoeléctricoequivalentedeldispositivodecapacitivo(céluladecristallíquidosindopar)aunoresistivo(céluladopadaconNTCs).

Notas / Notes 

Page 71: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  71 

P‐07ONTHECHARACTERIZATIONOFMgO‐PSZ

A.I.B.Rondão1,M.R.Soares2,D.M.Tobaldi1,A.Ferreira3,J.A.Labrincha1,F.M.B.Marques1

1Dept.ofMaterialsandCeramicEng./CICECO,UniversityofAveiro,3810‐193Aveiro,Portugal

2CentralLab/CICECO,UniversityofAveiro,3810‐193Aveiro,Portugal3ESTGA/CICECO,UniversityofAveiro,3810‐193Aveiro,Portugal

E‐mail:[email protected]

MgO‐PSZ (MgO doped partially stabilized zirconia) shows excellent fracturetoughness when properly sintered. In this work we present a structural,microstructuralandelectricalstudyofseveralMgO‐PSZsampleswithsimilarcomposition(around8mol%MgO),preparedbysolidstatereactionfromthecorrespondingoxides,withpeaksinteringtemperaturesintheorderof1700°C,butexperiencingdistinctsinteringprofiles,withvariablecoolingrates.Anattemptismadetouseimpedancespectroscopytoobtainsomeinsightonthe(electrical)microstructureofdistinctMgO‐PSZmaterials.

TheXRD(x‐raydiffraction)resultsshowedthatcubic(C),tetragonal(T)andmonoclinic (M) phases were present in variable amounts in all sinteredsamples,dependingontheexactcoolingconditions.ThesinteredbodiesweremilledinanattempttodeterminethepreciseaverageCcontentconsideringthattheTtoMphasetransformationismartensiticandcanbeeasilytriggeredbythisprocess.

Impedance spectroscopy showed that phase composition is not the onlycriterion in determining the electrical performance of thesematerials, sincewe aredealingwith a compositematerial,where besides the coexistence of

three phases, we can also expect complex types of microstructures, asconfirmedbySEM(scanningelectronmicroscopy).

Acknowledgement:ThisworkwasdevelopedwithinthescopeoftheprojectCICECO‐Aveiro Institute of Materials (Ref. FCT UID /CTM /50011/2013),financedbynational funds through theFCT/MECandwhenappropriate co‐financedbyFEDERunder thePT2020PartnershipAgreement.A.I.B.RondãothanksFCTforthePhDgrant(SFRH/BDE/52139/2013).

Notas / Notes 

Page 72: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid    Pag.  72  

P‐08CONTROLOFTHECOERCIVITYTHROUGHMORPHOLOGYANDANIONICDEFECTSinFe/NiOLAYERSDEPOSITEDON

NANOPOROUSAl2O3MEMBRANES

M.Iglesias,1G.Domínguez‐Cañizares,2E.Navarro,1E.Paz,1D.DíazFernández,2A.Gutiérrez,2L.Soriano,2M.Alonso,1

F.Cebollada,3M.Sánchez‐Agudo,3J.M.Gonzaléz2andF.J.Palomares1

1IttodeCienciadeMaterialesdeMadrid(ICMM‐CSIC),,E‐28049Madrid,Spain.

2Dpto.FísicaAplicada,Univ.AutónomadeMadrid(UAM),,E‐28049,Madrid,Spain3POEMMA‐CEMDATIC,ETSITelecomunicación,UPM,E‐29040,Madrid,

E‐mail:[email protected]

We analyze in thiswork themorphological andmagnetic properties of twoAu/Fe/NiOseriesofsamplesdepositedontopofeitherSisubstrates(series1) or on Al2O3 nanoporous membranes. The NiO layers were prepared byMagnetron Sputtering of a NiO target in an argon‐oxygen atmospherewithdifferent O2/Ar ratios. The presence of oxygen in the deposition plasmaproduces a density of interstitial anionic defects which increases withincreasingoxygenpressure.Felayers(5,10,20nm)andAucappinglayers(5nm)were deposited by Pulsed LaserAblation andMolecular BeamEpitaxy,respectively.AnalysisofthesamplesurfacemorphologybymeansofAtomicForceMicrocopy and Field Emission Scanning ElectronMicroscopy showedthat a continuous film was formed in series 1 (Si substrate) whereas thenanoporousmorphologyof theAl2O3membraneswaspreserved inseries2.Themagnetic characterizationof the sampleswas carriedoutbymeasuringthe temperature dependence of the hysteresis loops and “zero field cool”‐“field cool” curves. The influence of the antidot‐type morphology and the

properties of the antiferromagnetic layer, on the hysteretic behavior of theferromagnetic metal/antiferromagnetic oxide, exchange coupled layers arediscussed intermsof theamountofanionicdefectspresent intheNiO layerandofthethelaterallimittothesizeofthelocallycoupledregionsassociatedtothenanoporousmorphology. Notas / Notes 

Page 73: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  73 

P‐09UTILIZACIÓNDECERÁMICASPIEZOELÉCTRICASPARALADETERMINACIÓNDEMICROGRIETASENMATERIALES

DECONSTRUCCIÓN

E.Menendez1,S.Ruiz2,FJJimenez2,J.deFrutos2

1IETCC‐CSIC.C/SerranoGalvache,428033Madrid([email protected])2POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM.Avda.Complutense,30.28040MADRID

E‐mail:[email protected]

En este trabajo se estudian diferentes tipos de causas de la degradación demateriales estructurales, y mediante la utilización de cerámicaspiezoeléctricas, se analiza el tipo, magnitud y distribución de microgrietaasociadoacadaunadeellas. Los resultadossecomplementanconestudiosadicionales(SEM,EDX,resistenciamecánicaetc)quepermitenrelacionarlasrespuestasdelanálisisnodestructivoqueplanteamosjuntoconelgradorealdedeteriorodelmaterial.

Notas / Notes 

Page 74: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  74 

P‐10OPTIMIZACIÓNDEPIEZOELÉCTRICOSCOMERCIALES

PARASUUSOENSISTEMASDEHARVESTING

F.J.JiménezMartínez1,J.deFrutos2,D.Alonso1,M.VázquezRodríguez1,MCDuro2

1Dep.SistemasElectrónicosydeControl,ETSIT‐UPM.Ctra.ValenciaKm7. 28031Madrid,España.

1,2POEMMA‐CEMDATIC.ETSIT‐UPM.AvdaComplutense,30.28040Madrid,España.

E‐mail:[email protected]

En este trabajo, se caracterizan electromecánicamente materialespiezoeléctricoscomercialesindividuales,yendiferentesconfiguracionesparasu potencial uso en dispositivos de transformación de energíamecánica eneléctrica.A partir de los datos anteriores se plantean modelos optimizados dealmacenamientodedichaenergía,teniendoencuentadosposibilidades.

captar energía a partir de vibraciones continuas, incluso de bajaintensidad,y

captarenergíaapartirdeimpactosSe estudian diferentes configuraciones, y se analiza la viabilidad de losmodelos presentados mediante un banco de pruebas diseñadoespecíficamenteparaestefin.

Notas / Notes 

Page 75: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  75 

P‐11INFLUENCIADELARUTADESÍNTESISENLAS

PROPIEDADESFERROELÉCTRICASYPIEZOELÉCTRICASDELASOLUCIÓNSÓLIDA94(Bi0.5Na0.5TiO3)‐

6(Ba0.9Ca0.1TiO3)

R.Vivar‐Ocampo1,LPardo2,A.M.González3,andMEVillafuerte‐Castrejón1

1IttodeInvestigacionesenMateriales,UniversidadNacionalAutónomadeMéxico,CircuitoExteriorS/N,A.P.70‐360,México,D.F.,México.

2InstitutodeCienciadeMaterialesdeMadrid,ICMM‐CSIC,SorJuanaInésdelaCruz,3.Cantoblanco,28049Madrid,España.

3GrupoPOEMMA,ETSISTelecomunicación,CampusSur,UniversidadPolitécnicadeMadrid,Ctra.ValenciaKm7,28031Madrid,España.

La legislacióneuropeade laselectrocerámicasdemandamateriales libresdeplomo,conexcelentecomportamientopiezoeléctrico.Paraesto,lascerámicasbasadasenBi0.5Na0.5TiO3(BNT)representanunaalternativa,debidoaqueenellas se han observadodichas propiedades en composiciones cercanas a lasfronterasmorfotrópicasformadasconotrassolucionessólidas.En este reporte, obtuvimos la solución sólida 0.94(Bi0.5Na0.5TiO3)‐0.06(Ba0.9Ca0.1TiO3) por dos métodos diferentes, con el fin de investigar lainfluencia que tiene la ruta de síntesis en las propiedades ferro ypiezoeléctricas;utilizandounarutadesíntesisdequímicasuavealternativaala síntesis convencional, observamos cómo las condiciones de síntesis ysinterización determinan el tamaño de cristal y por ende el proceso deobtención de las electrocerámicas y sus propiedades. La caracterizaciónestructural y morfológica se realizó utilizando difracción de rayos X ymicroscopia electrónica de barrido; asimismo se realizaron medicionesexperimentales de las propiedades dieléctricas, piezoeléctricas yferroeléctricas utilizando las técnicas de espectroscopia de impedancias,

medidascuasiestáticasyderesonanciaelectromecánicaymedicióndelcicloferroeléctrico.

Notas / Notes 

Page 76: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  76 

P‐12SAFEDESINGOFCOBALTALUMINATE

NANOSTRUCTURES

C.A.Docio,J.J.ReinosayJ.F.FernándezDepartamentoElectrocerámica,InstitutodeCerámicayVidrio(CSIC),C/

Kelsen5,28049,Madrid

[email protected]

Nanotechnologypromisesnewmaterialsforindustrialapplicationsbyhavinghighyieldandneworenhancedphysic‐chemicalpropertiesthataredifferentin comparison to their micron‐sized counterparts. However, the potentialexposureofhumansandtheenvironmenttothesematerialsisinevitableandprobably unhealthy. The solution of the harmful collateral effect ofnanotechnology must be addressed by using new safe by designnanostructuredmicroparticlesinwhichprovidesadvantagesofnanoparticleswouldbepreserved.Theaimofthisworkistospineltypenanostructuredsurfaceonmicroparticlesupports. In this sense, nanoparticles of Co3O4were dispersed onto α‐Al2O3microparticlesbyusingadrydispersionmethod.Further thermal treatmentprovidesreactionsinteringofananostructuredCoAl2O4layer.TheobtainedparticleswerecharacterizedbyusingUV‐Visiblespectroscopy,Colorimetric measurements, Scanning Electron Microscopy, Atomic ForceMicroscopy, Light Optical ProfileMicroscopy, Differential Thermal Analysis‐ThermogravimetryandX‐RayDiffraction.Theyieldofthedispersionmethodofthenanoparticleswasevaluated.Duringthe thermal treatment in air, theCo3O4 ispartially reduced toCoOand, andnucleatedCoAl2O4nanocrystalsatthesurfaceoftheAl2O3microparticles.Theformed nanocrystals are controlled in size by the nucleation site of thepreviously dispersed cobalt oxide nanoparticles. The formed nanostructureshowsbrightbluecolour.

Notas / Notes 

Page 77: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  76 

P‐13RELAJACIÓNDIELÉCTRICAENFERROELÉCTRICOSNORMALESATEMPERATURASCRIOGÉNICAS:UNA

NUEVAAPROXIMACIÓN

RafaelLevit1,JulioC.Martínez‐García2,DiegoA.Ochoa1yJoséE.García1

1DepartamentodeFísicaAplicada,UniversitatPolitècnicadeCatalunya‐BarcelonaTech,08034Barcelona,España

2AdolpheMerkleInstitute,UniversityofFribourg,CH‐1700Fribourg,Switzerland

E‐mail:[email protected]

Larespuestadieléctricadeunmaterialferroeléctricoexhibeunaanomalíaenel entorno de la temperatura de transición ferro‐paraeléctrica, que semanifiestaenunmáximode la funciónpermitividadversustemperatura.Enlosdenominadosferroeléctricosnormales,elmáximodelapermitividadesunpico agudo que ocurre a una temperatura que es independiente de lafrecuenciadelcampoaplicado.Enlaúltimadécada,unaseriedeestudioshanreportado la existencia de una segunda anomalía dieléctrica en estosmateriales a bajas temperaturas. Ésta se manifiesta en un pico ancho cuyomáximo es fuertemente dependiente de la frecuencia. El origen de estaanomalía dieléctrica, de características similares a la que exhiben losferroeléctricosrelajadoresenelentornodesutransiciónferro‐paraeléctrica,hasidoexplicadoconteoríasdiversasenfuncióndelmaterialestudiado.Sehaespeculado con la existenciadedistorsiones estructurales, de cambios en ladinámicadelmovimientodelasparedesdedominio,entreotrasteorías,comoposiblescausasdelarelajacióndieléctricaobservada.

Enestetrabajo,apartirdedatosdedifracciónderayos‐Xdealtaenergía,sepresentaunestudioestructuralydelaestructuradeparedesdedominiosdelsistema titanato circonato de plomo, en el rango de temperaturas donde semanifiesta laanomalíadieléctrica.Además,seprofundizaenelestudiode ladinámica de la relajación dieléctrica observada, usando una metodologíaindependientedemodelosprevios.

Notas / Notes 

Page 78: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación
Page 79: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  79 

Page 80: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid    Pag.  80  

   

Page 81: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  81 

Page 82: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid    Pag.  82  

   

Page 83: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  83 

Indice de autores A. C. Caballero, 7, 14, 49, 51 A. Caballero, 7, 14, 57 A. Del Campo, 13, 15, 47, 61 A. Ferreira, 17, 71 A. García, 13, 17, 48, 70 A. García‐García, 17, 70 A. Gutiérrez, 17, 72 A. Jacquot, 15, 61 A. M. González, 13, 17, 46, 75 A. Moure, 15, 61 A. Reyes, 13, 48 A. Robles, 13, 45 A.C. Caballero, 14, 15, 50, 58 A.J. Sanchez‐Herencia, 14, 57 A.J.Pérez‐Rivero, 13, 37 Adilson L. Chinelatto, 17, 66 Antonio J. Dos santos‐García, 17, 67 B. Abad, 15, 61 B. Bernardo‐Maestro, 14, 49 B. Ferrari, 14, 15, 57, 58 Berta Moreno, 14, 28 C. A. Docio, 17, 76 C. Aragó., 14 C. Galassi, 13, 29, 48 C. Gumiel, 14, 50 D. A. Ochoa, 13, 45 ,76D. Alonso, 17, 74 D. Chateigner, 15, 63 D. Díaz Fernández, 17, 72 D.Pérez‐Mezcua, 13, 37 Domingo Pérez‐Coll, 17, 66 E. Cerdeiras, 13, 45 E. de Lucas‐Gil, 15 E. Enríquez, 15, 59 E. Macías‐Ríos, 14, 53 

E. Menendez, 17, 73 E. Mercadelli, 13, 48 E. Morán, 13, 14, 33, 53 E. Navarro, 17, 72 E. Paz, 17, 72 Elena Buixaderas, 15, 30, 42 Elvira Iglesias, 17, 69 Emilio Morán, 15, 31, 43 Enrique Iborra, 13, 23, 34 F. Cebollada, 14, 17, 49, 52, 72 F. Fernández‐Martinez, 17, 67 F. J. Jiménez Martínez, 17, 74 F. M. B. Marques, 7 F. Rubio‐Marcos, 13, 14, 15, 47, 52 F.M.B. Marques, 14, 17, 54, 71 Fernando Calle, 13, 24, 35 FJ Jimenez, 17, 73 F. Montero de Espinosa, 17, 69G. Domínguez‐Cañizares, 17, 72 G. Pepponi, 15, 63 Gemma Heras‐Juaristi, 17, 66 Glenn C. Mather, 17, 66 I .Bretos, 13 J. C. Diez, 7 J.C. Martínez-García, 76J. de Frutos, 14, 17, 49, 52, 56, 67, 73, 74 

J. De Frutos, 15, 58 J. E. García, 13, 45, 76 J. F. Fernández, 13, 15, 17, 47, 76 J. Isasi, 14, 15, 51, 62 J. J. Reinosa, 17, 76 J. López‐Cuevas, 14, 55 J. M. Gonzaléz, 17, 72 J. Morales, 14, 57 

J.C. Rendón‐Ángeles, 14, 55 J.F. Fernandez, 14, 15, 52, 61 J.F. Fernández, 15, 59 J.F. Fernandez Lozano, 14, 52 J.Ricote, 13, 37 Jesús Prado‐Gonjal, 15, 43 José de Frutos, 7, 17, 69 Juan Enrique Page, 14, 27, 39 K. Yanagisawa, 14, 55 K.Brebøl, 13, 48 L Pardo, 17, 75 L. Alcaraz, 15, 62 L. E. Fuentes‐Cobas, 14, 15, 53, 63 L. Mestres, 13, 45 L. Pardo, 7, 13, 46, 48 L. Soriano, 17, 72 L.J. Vasquez‐Elizondo, 14, 55 M. Á. Alario‐Franco, 14, 53 M. A. de la Rubia, 14 M. Alonso, 17, 72 M. E. Fuentes‐Montero, 14, 53 M. E. Montero‐Cabrera, 14, 53 M. E. Villafuerte, 7 M. García‐Guaderrama, 14, 53 M. Iglesias, 17, 72 M. L. Calzada, 7 M. Martin‐Gonzalez, 15, 61 M. Muñoz, 15, 61 M. Peiteado, 14, 15, 49, 50, 58 M. Rull, 15, 61 M. Sánchez‐Agudo, 17, 72 M. Vázquez Rodríguez, 17, 74 M. Verde, 15, 58 M.Á. Alario‐Franco, 13, 33 M.A. de la Rubia, 14, 52 

M.A. Frecheroa, 14, 56 M.E. Villafuerte, 13, 46 M.L.Calzada, 13, 37 M.S. Bernardo, 14, 50 Marco de Luca, 15 María Antonia Señarís, 14, 26, 38 MC Duro, 17, 74 O. Toulemonde, 13, 33 P. Arévalo, 14, 51 P. Bosque, 17, 68 P. Marchet, 13, 47 R. Riesco, 14, 49 R. Levit, 76R. Vergaz, 17, 70 R. Vivar‐Ocampo, 17, 75 R.E. Alonso, 14, 52 R.Jiménez, 13, 37 R.Sirera, 13, 37 Rainer Schmidt, 15, 43 Rodolfo O. Fuentes, 17, 66 S. Grazulis, 15, 63 S. Larumbe y C. Gomez‐Polo, 17, 65 S. Marik, 13, 33 S. Ruiz, 17, 73 S. Supriya, 17, 67 S.A. Barolin, 14, 52 S.G. Patrício, 14, 54 S.Terny, 14, 56 Sh. Rasekh, 17, 68 T. Jardiel, 14, 50 Tomás Palacios, 13, 21 V. Fuertes, 15, 59 Z. González, 14 Z. Matamoros‐Veloza, 14, 55 

Page 84: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación

ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación. Universidad Politécnica de Madrid Pag.  84 

Page 85: Fundación Rogelio Segovia para el E.T.S.I. Telecomunicaciónelectroceramica12.etsit.upm.es/Docs/libro-abstract-ecxii.pdf · 2015-06-16 · ECXII 17‐19 Junio 2015, ETSI Telecomunicación