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CIRCUITOS ELECTRNICOS I

2015-I Docente: DALLORTO GATES, SCAR ALFREDO

Nota:

Ciclo: VI

Mdulo I Datos del alumno: FORMA DE PUBLICACIN:

Apellidos y nombres: Publicar su archivo(s) en la opcin TRABAJO ACADMICO que figura en

el men contextual de su curso

Cdigo de matrcula: Panel de control Uded de matrcula:

Fecha de publicacin en campus virtual DUED LEARN:

HASTA EL DOM. 17 DE MAYO 2015

A las 23.59 PM

Recomendaciones:

1. Recuerde verificar la correcta publicacin de su Trabajo Acadmico en el Campus Virtual antes de confirmar al sistema el envo definitivo al Docente. Revisar la previsualizacin de su trabajo para asegurar archivo correcto.

2. Las fechas de recepcin de trabajos acadmicos a travs del campus virtual estn definidas en el sistema de acuerdo al cronograma acadmico 2015-I por lo que no se aceptarn trabajos extemporneos.

3. Las actividades que se encuentran en los textos que recibe al matricularse, servirn para su autoaprendizaje mas no para la calificacin, por lo que no debern ser consideradas como trabajos acadmicos obligatorios.

Direccin Universitaria de Educacin a Distancia EAP INGENIERIA ELECTRNICA Y

TELECOMUNICACIONES

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Gua del Trabajo Acadmico:

4. Recuerde: NO DEBE COPIAR DEL INTERNET, el Internet es nicamente una fuente de consulta. Los trabajos copias de internet sern verificados con el SISTEMA ANTIPLAGIO UAP y sern calificados con 00 (cero).

5. Estimado alumno:

El presente trabajo acadmico tiene por finalidad medir los logros alcanzados en el desarrollo del curso.

Para el examen parcial Ud. debe haber logrado desarrollar hasta LA PREGUNTA 5 y para el examen final

debe haber desarrollado el trabajo completo.

Criterios de evaluacin del trabajo acadmico:

Este trabajo acadmico ser calificado considerando criterios de evaluacin segn naturaleza del curso:

1 Presentacin adecuada del trabajo

Considera la evaluacin de la redaccin, ortografa, y presentacin del

trabajo en este formato.

2 Investigacin bibliogrfica: Considera la consulta de libros virtuales, a travs de la Biblioteca virtual

DUED UAP, entre otras fuentes.

3 Situacin problemtica o caso prctico:

Considera el anlisis de casos o la solucin de situaciones

problematizadoras por parte del alumno.

4

Otros contenidos considerando aplicacin prctica, emisin de juicios valorativos, anlisis, contenido actitudinal y tico.

TRABAJO ACADMICO

Estimado(a) alumno(a):

Reciba usted, la ms sincera y cordial bienvenida a la Escuela Acadmico Profesional

de Ingeniera Electrnica y Telecomunicaciones de Nuestra Universidad Alas Peruanas

y del docente Mg. Ing. Oscar Dall Orto Gates tutor a cargo del curso.

En el trabajo acadmico deber desarrollar las preguntas propuestas por el tutor, a fin

de lograr un aprendizaje significativo.

Se pide respetar las indicaciones sealadas por el tutor en cada una de las preguntas,

a fin de lograr los objetivos propuestos en la asignatura.

PREGUNTAS:

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TRABAJO ACADMICO

1.-

DESCRIBIR LAS CARACTERSTICAS DE LOS SEMICONDUCTORES, SU ESTRUCTURA CRISTALINA, COMO SE FORMAN LOS MATERIALES TIPO P Y TIPO N. DIFERENCIA ENTRE SEMICONDUCTOR, AISLANTE, CONDUCTOR.

2

INVESTIGUE SOBRE EL SMBOLO, ESTRUCTURA INTERNA, CURVAS CARACTERSTICAS Y

APLICACIN DE CADA UNO DE LOS SIGUIENTES TIPOS DE DIODOS:

Diodo LED diodo schottky

Diodo ZENER diodo tunel

Diodo varicap diodo laser

Diodo Gunn fotodiodo

Diodo Varistor diodo impatt

Investigar sobre las caractersticas de los diodos 10A03, 10A04, MR500, MRA4007T3G,NTE5826,

NTE586, NTE5899, MUR3040PT

3

Dibujar el diagrama de bloques de una fuente conmutada, explicando su funcionamiento

Presentar 3 circuitos de fuentes conmutadas.

1.- de un receptor de TV.

2.- De un DVD

3.- De un computador

4.

TEMA: TRANSISTORES BJT:

Busque y luego indique las caractersticas tcnicas de los siguientes transistores (DATASHEET)

A) 2N6284, B) 2N3055 C) 2N4403 D) NTE98 E) BC142 F) NTE912

F) BLA6H0912-500 G) 2N5038 H) 2N5330

Entre las caractersticas que debe buscar son los valores mximos de Vce, Vbe, Ic, hfe,

potencia mxima, frecuencia de trabajo.

5 .

Tema: transistores FET Y TRANSISTORES IGBT

1. Realice una clasificacin de los transistores FET, indicando su smbolo de cada uno.

2. Busque las caractersticas tcnicas en DATASHEET de los siguientes transistores

a) NTE346 B) CF739 C) K30A D) K241.

Que significa IGBT, que tipo de transistores son. Cules son sus terminales y su smbolo.

Buscar caractersticas de los siguientes transistores:

E) IRGP4086 F) CT60AM-18F G) G40N60B3

6

Verificar si el circuito est en zona activa. Si est en zona activa encuentre el punto de operacin. Y

considerar = 100. Si no est en zona activa En qu zona est? Vcesat=0.3 voltios.

+V

V110V

R40.5k

R320k

R2100k

Rc1k

Q1NPN

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7

Dibuje el modelo equivalente hibrido del transistor.

Explicar cada uno de los parmetros.

a) En emisor comn

b) B) en base comn

c) En colector comn.

Indique las unidades que tiene cada parmetro.

8

Explique el modelo en pequea seal del JFET.

Explique los parmetros IDSS , VP EN LOS FET.

Realiza una diferencia entre los BJT y los FET.

9

Analizar la respuesta a altas frecuencias de los transistores BJT.

Que elementos intervienen.

Qu es la capacidad de efecto MIller

10

Disee la red de polarizacin fija de la figura para tener una ganancia de AC de 12. Es decir,

determine el valor de RD.

DATOS: IDSS = 10 ma Vp = -4V yos = 20 S.

ROBERT L. BOYLESTAD, LOUIS NASHELSKY ELECTRNICA: TEORA DE CIRCUITOS Y DISPOSITIVOS ELECTRNICOS Dcima edicin Editorial: PEARSON. PRENTICE HALL. Impreso en Mxico

http://www.alldatasheet.es/view.jsp?Searchword=2n2222

http://www.electronica2000.com/temas/diodostipos.htm

http://www.icmm.csic.es/fis/gente/josemaria_albella/electronica/8%20Transistores%20

de%20Efecto%20Campo.pdf

http://www.itescam.edu.mx/principal/sylabus/fpdb/recursos/r39426.PDF

Vdd30V

Vi

Vo

+

C10.1uF

RG10M

RD