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UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS TEMA: JFET EN AC OBJETIVOS: Analizar el comportamiento del transistor FET en circuitos de polarización. A partir de las mediciones obtenidas, comparar los resultados teóricos con los resultados prácticos. Utilizar herramientas de simulación para analizar el comportamiento de los circuitos implementados. I. MARCO TEÓRICO: En los transistores bipolares, una pequeña corriente de entrada (corriente de base) controla la corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeño voltaje de entrada que controla la corriente de salida. La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la señal proviene de un dispositivo tal como un micrófono de condensador o un transductor pieza eléctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes. Los FET’s, básicamente son de dos tipos: El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET. El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, también conocido como semiconductor de óxido de metal, MOS, o simplemente MOSFET. El analisis de ca de una configuracion del JFET requiere el desarrollo de un modelo de ca de señal pequeña para el JFET. Un componente importante del modelo de ca reflejara el hecho de que un voltaje de ca aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente controlara el nivel de corriente del drenaje a la fuente. “EL VOLTAJE DE LA COMPUERTA A LA FUENTE CONTROLA LA CORRIENTE DEL DRENAJE A LA FUENTE(CANAL) DE UN JFET” Diseño de JFET en AC

JFET EN AC. (1)

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  • UNIVERSIDAD NACIONAL DEL CALLAO

    FACULTAD DE INGENIERIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

    ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRONICA

    LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS

    TEMA: JFET EN AC

    OBJETIVOS:

    Analizar el comportamiento del transistor FET en circuitos de polarizacin.

    A partir de las mediciones obtenidas, comparar los resultados tericos con los

    resultados prcticos.

    Utilizar herramientas de simulacin para analizar el comportamiento de los

    circuitos implementados.

    I. MARCO TERICO:

    En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base) controla la corriente de salida (corriente de colector); en los casos de los FET, es un pequeo voltaje de entrada que controla la corriente de salida. La corriente que circula en la entrada es generalmente despreciable (menos de un pico amperio). Esto es una gran ventaja, cuando la seal proviene de un dispositivo tal como un micrfono de condensador o un transductor pieza elctrico, los cuales proporcionan corrientes insignificantes. Los FETs, bsicamente son de dos tipos:

    El transistor de efecto de campo de Juntura o JFET. El transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambin conocido

    como semiconductor de xido de metal, MOS, o simplemente MOSFET.

    El analisis de ca de una configuracion del JFET requiere el desarrollo de un modelo de ca de

    seal pequea para el JFET. Un componente importante del modelo de ca reflejara el hecho de

    que un voltaje de ca aplicado a las terminales de entrada de la compuerta a la fuente

    controlara el nivel de corriente del drenaje a la fuente.

    EL VOLTAJE DE LA COMPUERTA A LA FUENTE CONTROLA LA CORRIENTE DEL DRENAJE A LA

    FUENTE(CANAL) DE UN JFET

    Diseo de JFET en AC

  • AMPLIFICADOR EN FUENTE COMUN

    Un amplificador en fuente comn es aquel en el que se aplica una seal de entrada de CA a la

    Compuerta y la seal de salida de CA se toma de la terminal del drenador. La terminal de fuente es

    Comn tanto para la seal de entrada como para la de salida. Las configuraciones bsicas para este

    Amplificador pueden incluir un resistor de fuente RS; o dos resistores Rs en serie (RS=RS1+RS2), donde

    Slo uno de ellos cuenta con un capacitor en derivacin (conectado en paralelo a este); o puede ser

    una

    Configuracin donde RS=0. Un ejemplo de este tipo de amplificador que utiliza dos resistores RS se

    Ilustra en la Figura 2. El circuito utiliza un JFET canal N polarizado mediante un divisor de voltaje. Si

    Este circuito se modifica de tal forma que R1= (circuito abierto), entonces la polarizacin del

    Amplificador cambia a la de un JFET autopolarizado. La resistencia de carga RL as como la fuente de

    Seal de CA vs se encuentran acoplados a la red de polarizacin mediante capacitores (denominados

    Capacitores de acoplamiento).

    Anlisis de CD. El circuito que se ilustra en la Figura 3(a) muestra el circuito equivalente de CD para

    el amplificador fuente comn de la Figura 2. En el anlisis de CD se considera la impedancia de los

    capacitores como infinita de tal forma que estos actan como circuitos abiertos. Tambin la red de

    polarizacin de la compuerta se ha simplificado mediante la aplicacin del teorema de Thevenin, las

    ecuaciones para la red de la compuerta se presentan enseguida.

    La resistencia de compuerta es dada por: RG = R1 || R2 . Generalmente IGSS es muy pequea por

    lo que para efectos prcticos se considera como IGSS=0, el resistor RG mantiene a la compuerta en

    aproximadamente VGG volts de CD. VGG se obtiene aplicando un divisor de voltaje:

  • En el caso de un red de autopolarizacin donde R1=, las ecuaciones son RG=R2 y VGG=0V. El

    anlisis de la malla compuerta-fuente arroja la ecuacin:

    De esta relacin se despeja el voltaje VGS y se sustituye en la ecuacin de Shockley:

    Anlisis de CA. La Figura 4 muestra el circuito equivalente de CA para el amplificador fuente comn

    que se ilustra en la Figura 2. Para obtener este circuito se consideran los capacitores en corto

    circuito al

    Igual que la fuente de CD. Enseguida se reemplaza el modelo simplificado del JFET mostrado en la

    Figura 1(b).

  • R2

    3.3k

    R4

    2.2k

    VCC

    12V

    Q3

    2N4222A

    R1

    6.8M

    R3

    1M

    Q1

    2N4222A

    R5

    2.2k

    R6

    2.2k

    R7

    2.2k

    C1

    10nF

    C2

    100F

    C3

    100F

    VCC

    12V

    V1

    70.7mVrms 60 Hz 0

    Las ecuaciones para el clculo de la ganancia de voltaje, ganancia de corriente, resistencia de

    Entrada y resistencia de salida se presentan a continuacin.

    II. DISEOS A ANALIZAR:

    III. PROCEDIMIENTO:

    Utilizamos divisor de voltaje para el circuito 1

    Analizarlo en DC y en AC para el circuito 2

    Verificar mediante la simulacin para ambos circuitos

    IV. PARTE EXPERIMENTAL:

    V. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

    PARA EL IMFORME PREVIO DEBEN DE SIMULAR LOS

    CIRCUITOS OBTENER TODOS LOS DATOS QUE PUEDA

    ANALIZAR Y LA GANACIA DE VOLTAJE Y GANANCIA DE

    CORRIENTE.