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UMSS – FCyT - CARRERA ING. ELECTRÓNICA DISEÑO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA – 2014075 Docente: Ing. Arturo Saramani Aguilar Email: [email protected] SEMESTRE 1/2014 LABORATORIO No 1 OBJETIVO O1. Hallar los parámetros de la matriz cadena de transistores BJT y JFET. O2. Análisis de respuesta en frecuencia de amplificadores transistorizados BJT y JFET. PREINFORME P1. Para cada grupo, hallar los puntos de trabajo, tanto de entrada como de salida, del BJT y JFET a utilizar en laboratorio. P2. Hallar por teoría los parámetros A, B, C, D y sus inversas tanto para un circuito amplificador basado en un BJT, como para un JFET existente en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2. P3. Realizar la simulación de los circuitos de las figuras 1 y 2 para determinar los parámetros de la matriz cadena. P4. Hallar teóricamente y luego por simulación, la respuesta en frecuencia de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a las especificaciones de ganancia (Av), y ancho de banda (Bw), asignadas a cada grupo. P5. Determinar la respuesta en frecuencia de magnitud y fase utilizando el Matlab. LABORATORIO L1. Hallar en la práctica los parámetros A, B, C, D y sus inversas para los circuitos amplificadores basados en BJT y JFET existentes en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2. L2. Realizar el armado de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a P4. Considerar los componentes más usuales con valores comerciales que tengan una tolerancia de 5%. Figura 1 Circuito Amplificador con BJT Figura 2 Circuito Amplificador con JFET INFORME I1. Mostrar en una tabla los resultados tanto teóricos, de simulación, como prácticos de la matriz cadena, tanto para el BJT como para el JFET.

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UMSS – FCyT - CARRERA ING. ELECTRÓNICADISEÑO DE ELECTRÓNICA ANALÓGICA – 2014075Docente: Ing. Arturo Saramani Aguilar – Email: [email protected] 1/2014LABORATORIO No 1

OBJETIVOO1. Hallar los parámetros de la matriz cadena de transistores BJT y JFET.O2. Análisis de respuesta en frecuencia de amplificadores transistorizados BJT y JFET.PREINFORMEP1. Para cada grupo, hallar los puntos de trabajo, tanto de entrada como de salida, del BJT y JFET a utilizar en laboratorio.P2. Hallar por teoría los parámetros A, B, C, D y sus inversas tanto para un circuito amplificador basado en un BJT, como para un

JFET existente en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2.P3. Realizar la simulación de los circuitos de las figuras 1 y 2 para determinar los parámetros de la matriz cadena.P4. Hallar teóricamente y luego por simulación, la respuesta en frecuencia de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a las

especificaciones de ganancia (Av), y ancho de banda (Bw), asignadas a cada grupo.P5. Determinar la respuesta en frecuencia de magnitud y fase utilizando el Matlab.LABORATORIOL1. Hallar en la práctica los parámetros A, B, C, D y sus inversas para los circuitos amplificadores basados en BJT y JFET

existentes en la librería del Pspice, tal como indican las figuras 1 y 2.L2. Realizar el armado de los circuitos de las figuras 1 y 2, de acuerdo a P4. Considerar los componentes más usuales con valores

comerciales que tengan una tolerancia de 5%.

Figura 1 Circuito Amplificador con BJT Figura 2 Circuito Amplificador con JFET

INFORMEI1. Mostrar en una tabla los resultados tanto teóricos, de simulación, como prácticos de la matriz cadena, tanto para el BJT como

para el JFET.I2. Realizar una descripción del comportamiento con pequeña señal de los circuitos de las figuras 1 y 2.I3. Explicar con detalle los errores observados. Tomar como base el análisis de Monte Carlo.I4. Escribir las conclusiones a las que arribó al término del laboratorio.BIBLIOGRAFIAB1. Verhoeven – Van Staveren – Monna – Yildiz “Structured Electronic Design”B2. Davidse, Jan “Analog Electronic Circuit Design”B3. Schilling – Belove: “Circuitos Electrónicos. Discretos e Integrados”B4. Rashid Muhammad H. – Circuitos Microelectrónicos. Análisis y diseño”.ESPECIFICACIONESGrupo g01-01 g01-02 g01-03 g01-04 g01-05 g01-06 g01-07 g01-08 g02-01 g02-02 g02-03 g02-04 g02-05

Datos 11-500k11.5-450k

12-400k12.5-350k

13-300k13.5-250k

14-200k14.5-150k

11-150k11.5-200k

12-250k12.5-300k

13-350k

Los Datos incluyen la ganancia en dB y el ancho de banda en Hz.