DISEO DE AMPLIFICADOR CON FET
ESTUDIANTES:VIVIAN KATHERINE URREA GUTIRREZ 20121007038BRAYAN
EDUARDO VELANDIA SANCHEZ 20121007012
DOCENTE:IVN DAZ PARDO
UNIVERSIDAD DISTRITAL FRANCISCO JOS DE CALDASINGENIERA
ELCTRICA2014-2
OBJETIVOSConocer y entender el funcionamiento de circuitos que
utilizan transistores de efecto de campo en aplicaciones de
amplificacin de voltaje y corriente Para cumplir con este objetivo
se emplean herramientas analticas, de simulacin por computadora y
experimentales. Analizar tericamente circuitos amplificadores con
transistores de efecto de campo con el objetivo de determinar zona
de operacin, ganancia de corriente, ganancia de voltaje, impedancia
de entrada e impedancia de salida.Comparar los resultados arrojados
analticamente y/o mediante simulacin por computadora con los
obtenidos al realizar mediciones directamente en los circuitos bajo
prueba. [1]
MATERIALESFuente DC, Resistencias, Generador de seales,
OsciloscopioTransistor FET (Cualquier referencia)Conectores,
Protoboard
INTRODUCCINUna de las aplicaciones importantes de los
transistores de efecto de campo es la capacidad de amplificar
pequeas seales de corriente y/o voltaje variantes en el tiempo. Por
ejemplo, los amplificadores con JFET se emplean como amplificadores
de bajo nivel en una primera etapa en receptores de
radiocomunicacin; o en circuitos de alarma de contacto, por citar
algunos ejemplos. [1]
AMPLIFICADOR EN FUENTE COMNUn amplificador en fuente comn es
aquel en el que se aplica una seal de entrada de CA a la compuerta
y la seal de salida de CA se toma de la terminal del drenador. La
terminal de fuente es comn tanto para la seal de entrada como para
la de salida. Las configuraciones bsicas para este amplificador
pueden incluir un resistor de fuente RS; o dos resistores Rs en
serie (RS=RS1+RS2), donde slo uno de ellos cuenta con un capacitor
en derivacin (conectado en paralelo a este); o puede ser una
configuracin don de RS=0. Un ejemplo de este tipo de amplificador
que utiliza dos resistores RS se ilustra en la Figura 1. El
circuito utiliza un JFET canal N polarizado mediante un divisor de
voltaje. Si este circuito se modifica de tal forma que R1=
(circuito abierto), entonces la polarizacin del amplificador cambia
a la de un JFET auto polarizado. La resistencia de carga RL as como
la fuente de seal de CA vs se encuentran acoplados a la red de
polarizacin mediante capacitores (denominados capacitares de
acoplamiento). [1]
PROCEDIMIENTODisee un amplificador con las siguientes
caractersticas:1. Ganancia en tensin, Av=20.2. Impedancia de
Entrada, Zi > 1M.3. Impedancia de Salida, Zo < 10K.4. Mximo
rango dinmico.5. Utilizar para ello el siguiente transistor FET:
FET-2N3819, cuyas caracteristicas se muestran en las curvas de la
Figura 2. Desprecie el Efecto de Ro (Resistencia Drenador Fuente)
ya Ro > 100K.6. Alimentacin de voltaje, Vdd=20Ventrada.
DATOS TERICOS:
SIMULACIONES:
DATOS EXPERIMENTALES:
CONCLUSIONES La ganancia de los diseos de con transistores JFET
son bastante altos, as mismo la impedancia de entrada que es
bastante alto, y a diferencia de la impedancia de salida que es
bastante baja, puesto que es muy comn en todos los diseos de
amplificadores con este tipo de transistores. Se nota que al
colocar a en paralelo con el condensador se ve mayor el aumento de
la ganancia general del amplificador; igualmente, se comprueba que
la configuracin de divisor de voltaje aumenta las posibilidades en
el diseo. En la prctica se us un transistor JFET diferente a la
referencia solicitada, ms exactamente uno genrico de ms bajos
costos y el cual no necesitaba ser pedido con anterioridad por no
ser muy comn; esto trajo como resultado una amplificacin diferente;
de la misma manera, al hacer la comparacin entre los transistores,
se observ que al ser ambos transistores JFET comparten curvas
caractersticas con comportamientos similares, pero a pesar de lo
anterior, se encontraron diferencias en la transconductacia, por
esta razn las resistencias cambian un poco.
BIBLIOGRAFA
[1] I. D. Pardo, Laboratorio, Universidad Distrital Francisco
Jos De Caldas, Bogot, 2014.[2] R. L. Boylestad, Teora de circuitos
y dispositivos electrnicos, Pearson, 2009.
