Modelos equivalentes de pequeña señall de los transistores FET

8/3/2019 Modelos equivalentes de pequeña señall de los transistores FET

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Modelos equivalentes

de pequeña señal delos transistores Ing. Hugo Fdo. Velasco Peña



Introducción El circuito equivalente de pequeña señal de un

transistor FET se puede obtener por métodos

análogos a los utilizados en transistoresbipolares.

Sin embargo, al ser dispositivos controlados portensión, el modelo bipuerta más adecuado es el

de parámetros {Y}, ya que relacionan lascorrientes de salida con tensiones de entrada.



Introducción La figura 2.17 representa el modelo de pequeña

señal de un FET constituido por dos parámetros:

gm, o factor de admitancia, y rd, o resistencia desalida o resistencia de drenador. Esta notaciónes la más extendida para describir estosparámetros, aunque algunos fabricantes utilizan

la notación en parámetros {Y} o {G},denominando yfs o gfs a gm, e yos−1 o gos−1 oross a rd.



Introducción Estos parámetros dependen de la

corriente de polarización del transistor

(ID), y el fabricante proporciona las curvasque permiten extraer sus valores endiferentes condiciones de polarización. A

continuación se describe con más detallelos paráetros gm y rd.





FACTOR DE ADMITANCIA gm

Se define este parámetro como



gm en JFET

En un JFET, gm se puede extraer a partir de laecuación analítica del transistor en la región de

saturación que relaciona la ID con la VGS,definida por



gm en JFET

gm es un parámetro definido por cociente deincrementos que se pueden aproximar por

derivadas, de forma que aplicando esta definicióna la ecuación de ID y resolviendo se obtiene que



gm en MOSFET

En un transistor MOS, cuya ecuaciónanalítica en la región de saturación es

gm se puede expresar mediante lasiguiente ecuación



RESISTENCIA DE SALIDA O DE

DRENADOR rd.



FACTOR DE AMPLIFICACIÓN μ

Relaciona los parámetros gm y rd de lasiguiente manera







AMPLIFICADORES MULTIETAPA







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