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NJG1159PHH
- 1 - Ver.2016-04-18
GNSS フロントエンドモジュールフロントエンドモジュールフロントエンドモジュールフロントエンドモジュール
���� 概要概要概要概要 ����外形外形外形外形
NJG1159PHH は GPS、GLONASS、BeiDou、Galileo を含む GNSS での
使用を主目的としたフロントエンドモジュールです。本製品は内蔵する高性
能 SAWフィルタ及び LNAによる低雑音指数、高線形性、及び高帯域外減衰
特性を特徴とします。本製品は 1.5V~3.3Vの広い電源電圧で動作するととも
に、スタンバイ機能により通信機器の低消費電流化に貢献します。本製品は
-40~+105℃の広い温度範囲で動作可能です。
本製品は外部回路をわずか 2素子で構成し、小型・薄型かつ RoHS対応 / ハ
ロゲンフリーの HFFP10-HHパッケージを採用することで実装面積の低減に
貢献します。
����特徴特徴特徴特徴
� GNSS対応
�低動作電圧 1.8/ 2.8V typ.
�低消費電流 3.0/3.7mA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V
0.1µA typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=0V (Stand-by mode)
�高利得 15.5/16.0dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V,
f=1575MHz, 1559 to 1591MHz
�低雑音指数 1.55/1.50dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1575MHz
1.70/1.65dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1597 ~ 1606MHz
1.75/1.70dB typ. @VDD=1.8/ 2.8V, VCTL=1.8V, f=1559 ~ 1591MHz
�高帯域外減衰 55dBc typ. @f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz
43dBc typ. @f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz
51dBc typ. @f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz
�小型パッケージ HFFP10-HH: 1.5mmx1.1mm (typ.), t=0.5mm (max.)
� RoHS対応、ハロゲンフリー、MSL1
����端子配列端子配列端子配列端子配列 ���� ブロックダイアグラムブロックダイアグラムブロックダイアグラムブロックダイアグラム
����真理値表真理値表真理値表真理値表 “H”=VCTL(H), “L”=VCTL(L)
VCTL モード
H アクティブモード
L スタンバイモード
注: 本資料に記載された内容は、予告なく変更することがあります。
Pre-FilterRF OUTRF IN
VDDVCTL
LNA
GND
端子配列 1. VDD 2. VCTL 3. GND 4. PreIN 5. GND 6. PreOUT 7. LNAIN 8. LNAOUT 9. GND 10. GND
(Top View) 1 pin index
9
10
2
1
3 6
7
8
VDD
VCTL
GND PreOUT
LNAIN
LNAOUT
Pre-Filter
LNA
4
PreIN
5
GND
GND
GND
NJG1159PHH
- 2 -
����絶対最大定格絶対最大定格絶対最大定格絶対最大定格 Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω
項目 記号 条件 定格 単位
電源電圧 VDD 5.0 V
切替電圧 VCTL 5.0 V
入力電力 PIN (inband)
VDD=2.8V, f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz
10 dBm
PIN (outband) VDD=2.8V, f=50 ~ 1460, 1710 ~ 4000MHz
25 dBm
消費電力 PD 4層スルーホール無し FR4基板実装時 (101.5x114.5mm), Tj=110°C
560 mW
動作温度 Topr -40 ~ +105 °C
保存温度 Tstg -40 ~ +110 °C
����電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 1 (DC特性特性特性特性)
(共通条件: Ta=+25°C)
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
電源電圧 VDD 1.5 - 3.3 V
切替電圧(High) VCTL(H) 1.5 1.8 3.3 V
切替電圧(Low) VCTL(L) 0 0 0.3 V
動作電流 1 IDD1 RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=1.8V
- 3.7 - mA
動作電流 2 IDD2 RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=1.8V
- 3.0 - mA
動作電流 3 IDD3 RF OFF, VDD=2.8V, VCTL=0V
- 0.1 5.0 µA
動作電流 4 IDD4 RF OFF, VDD=1.8V, VCTL=0V
- 0.1 5.0 µA
切替電流 ICTL VCTL=1.8V - 5.0 15.0 µA
NJG1159PHH
- 3 -
����電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 2 (RF特性特性特性特性)
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz,
Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
小信号利得(GPS)1 GainGPS1 f=1575MHz (GPS)
基板コネクタ損失除く (0.17dB) - 16.0 - dB
小信号利得(GLONASS)1 GainGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS)
基板コネクタ損失除く (0.17dB) - 16.5 - dB
小信号利得(BeiDou, Galileo)1 GainBG1 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)
基板コネクタ損失除く(0.17dB) - 16.0 - dB
雑音指数(GPS)1 NFGPS1 f=1575MHz (GPS),
基板コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.50 - dB
雑音指数(GLONASS)1 NFGLN1 f=1597~1606MHz (GLONASS)
基板コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.65 - dB
雑音指数(BeiDou, Galileo)1 NFBG1 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)
基板コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.70 - dB
1dB利得圧縮時
入力電力 1 P-1dB(IN)1
f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz
- -10.0 - dBm
入力 3次インター
セプトポイント 1 IIP3_1
f1=1575,1597 ~ 1606,1559 ~ 1591MHz, f2=f1 +/-1MHz, Pin=-30dBm
- -2.0 - dBm
アウトバンド入力 2次
インターセプトポイント 1 IIP2_OB1
f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz
- +80 - dBm
アウトバンド入力 3次
インターセプトポイント 1 IIP3_OB1
f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz
- +55 - dBm
700MHz 高調波 1 2fo1
妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm
高調波測定周波数: 1575.52MHz
- -37 - dBm
アウトバンド
1dB利得圧縮時
入力電力 1
P-1dB(IN) _OB1-1
fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm
- +24 - dBm
P-1dB(IN) _OB1-2
fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm
- +24 - dBm
ローバンド減衰量 1 BR_L1 f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz
- 55 - dBc
ハイバンド減衰量 1 BR_H1 f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz
- 43 - dBc
WLANバンド減衰量 1 BR_W1 f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz
- 51 - dBc
RF INポートリターンロス (GPS)1
RLiGPS1 f=1575MHz (GPS) - 10 - dB
RF INポートリターンロス (GLONASS)1
RLiGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB
RF INポートリターンロス (BeiDou, Galileo)1
RLiBG1 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 13 - dB
RF OUTポートリターンロス (GPS)1
RLoGPS1 f=1575MHz (GPS) - 15 - dB
RF OUTポートリターンロス (GLONASS)1
RLoGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB
RF OUTポートリターンロス (BeiDou, Galileo)1
RLoBG1 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 15 - dB
群遅延時間偏差(GLONASS)1 GDTDGLN1 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 3 - ns
群遅延時間偏差(BeiDou)1 GDTDB1 f=1559 ~ 1563.2MHz (BeiDou) - 4 - ns
群遅延時間偏差(Galileo)1 GDTDG1 f=1559 ~ 1591MHz (Galileo) - 9 - ns
NJG1159PHH
- 4 -
����電気的特性電気的特性電気的特性電気的特性 3 (RF特性特性特性特性)
共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz,
Ta=+25°C, Zs=Zl=50Ω,指定の外部回路による
項目 記号 条件 最小 標準 最大 単位
小信号利得(GPS)2 GainGPS2 f=1575MHz (GPS)
基板コネクタ損失除く (0.17dB) - 15.5 - dB
小信号利得(GLONASS)2 GainGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS)
基板コネクタ損失除く (0.17dB) - 16.0 - dB
小信号利得 (BeiDou, Galileo)2
GainBG2 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)
基板コネクタ損失除く(0.17dB) - 15.5 - dB
雑音指数(GPS)2 NFGPS2 f=1575MHz (GPS),
基板コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.55 - dB
雑音指数(GLONASS)2 NFGLN2 f=1597~1606MHz (GLONASS)
基板コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.70 - dB
雑音指数(BeiDou, Galileo)2 NFBG2 f=1559~1591MHz (BeiDou, Galileo)
基板コネクタ損失除く (0.09dB) - 1.75 - dB
1dB利得圧縮時入力電力 2 P-1dB(IN)2 f=1575, 1597 ~ 1606, 1559 ~ 1591MHz
- -13.0 - dBm
入力 3次インター
セプトポイント 2 IIP3_2
f1=1575,1597 ~ 1606,1559 ~ 1591MHz, f2=f1 +/-1MHz, Pin=-30dBm
- -5.0 - dBm
アウトバンド入力 2次
インターセプトポイント 2 IIP2_OB2
f1=824.6MHz at +15dBm, f2=2400MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz
- +80 - dBm
アウトバンド入力 3次
インターセプトポイント 2 IIP3_OB2
f1=1712.7MHz at +15dBm, f2=1850MHz at +15dBm, fmeas=1575.4MHz
- +55 - dBm
700MHz 高調波 2 2fo2
妨害波条件: 787.76MHz at +15dBm
高調波測定周波数: 1575.52MHz
- -37 - dBm
アウトバンド
1dB利得圧縮時
入力電力 2
P-1dB(IN) _OB2-1
fjam=900MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm
- +24 - dBm
P-1dB(IN) _OB2-2
fjam=1710MHz, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm
- +24 - dBm
ローバンド減衰量 2 BR_L2 f=704 ~ 915MHz, relative to 1575MHz
- 55 - dBc
ハイバンド減衰量 2 BR_H2 f=1710 ~ 1980MHz, relative to 1575MHz
- 43 - dBc
WLANバンド減衰量 2 BR_W2 f=2400 ~ 2500MHz, relative to 1575MHz
- 51 - dBc
RF INポートリターンロス (GPS)2
RLiGPS2 f=1575MHz (GPS) - 10 - dB
RF INポートリターンロス (GLONASS)2
RLiGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB
RF INポートリターンロス (BeiDou, Galileo)2
RLiBG2 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 13 - dB
RF OUTポートリターンロス (GPS)2
RLoGPS2 f=1575MHz (GPS) - 15 - dB
RF OUTポートリターンロス (GLONASS)2
RLoGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 15 - dB
RF OUTポートリターンロス (BeiDou, Galileo)2
RLoBG2 f=1559 ~ 1591MHz (BeiDou, Galileo) - 15 - dB
群遅延時間偏差(GLONASS)2 GDTDGLN2 f=1597 ~ 1606MHz (GLONASS) - 3 - ns
群遅延時間偏差(BeiDou)2 GDTDB2 f=1559 ~ 1563.2MHz (BeiDou) - 4 - ns
群遅延時間偏差(Galileo)2 GDTDG2 f=1559 ~ 1591MHz (Galileo) - 9 - ns
NJG1159PHH
- 5 -
����端子情報端子情報端子情報端子情報
番号 端子名 機能説明
1 VDD 電源電圧供給端子です。端子近傍にバイパスキャパシタ C1 を接続して下さ
い。
2 VCTL 切替電圧印加端子です。
3 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続
してください。
4 PreIN RF信号入力端子です。pre-SAWフィルタの入力側に接続されます。
5 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続
してください。
6 PreOUT pre-SAWフィルタの出力側に接続されます。外部整合回路 L1を介して LNAIN
端子と接続されます。
7 LNAIN LNAの RF信号入力端子です。外部整合回路 L1を介して RF信号が入力され
ます。この端子には DCブロッキングキャパシタが内蔵されています。
8 LNAOUT RF信号出力端子です。DCブロッキングキャパシタを内蔵しているため、外
部キャパシタは不要です。
9 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続
してください。
10 GND 接地端子です。RF 特性を劣化させないために、IC ピン近傍で接地電位に接続
してください。
NJG1159PHH
- 6 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
S11, S22 S21, S12
VSWR Zin, Zout
NJG1159PHH
- 7 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64
NF, Gain vs. frequency(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)
Noise Figure (dB)
Gain (dB)
frequency (GHz)
Gain
NF
(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
S21 vs. frequency(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)
S21 (dB)
frequency (GHz)
0
5
10
15
20
25
30
1.55 1.56 1.57 1.58 1.59 1.60 1.61 1.62
Group Delay vs. frequency(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)
Group Delay (ns)
frequency (GHz)
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
1
2
3
4
5
6
7
8
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout, IDD vs. Pin(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Pout (dBm)
IDD (mA)
Pin (dBm)
IDD
P-1dB(IN)=-10.8dBm
P-1dB(OUT)=+4.7dBm
Pout
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout, IM3 vs. Pin(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz)
Pout , IM3 (dBm)
Pin (dBm)
Pout
IM3
IIP3=-1.6dBm
OIP3=+14.9dBm
NJG1159PHH
- 8 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30
Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz)(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm)
Gain (dB)
IDD (mA)
Pin at 900MHz (dBm)
Gain
IDD
P-1dB(IN)_OB>+26.0dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30
Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz)(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm)
Gain (dB)
IDD (mA)
Pin at 1710MHz (dBm)
Gain
IDD
P-1dB(IN)_OB=+25.3dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
-40 -20 0 20 40 60 80 100
Out-of-band IIP2(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=824.6MHz, f2=2400MHz)
Pout , IM2 (dBm)
Pin (dBm)
Pout
IM2
IIP2_OB=+86.1dBm-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-40 -20 0 20 40 60 80
Out-of-band IIP3(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=1712.7MHz, f2=1850MHz)
Pout , IM3 (dBm)
Pin (dBm)
Pout
IM3
IIP3_OB=+54.5dBm
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
-20 -10 0 10 20 30
2nd Harmonics(VDD=2.8V, VCTL=1.8V,
fin=787.76MHz, fmeas=1575.52MHz)
2nd Harm
onics (dBm)
Pin (dBm)
2fo=-35.9dBm
NJG1159PHH
- 9 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, , 指定の外部回路による
S11, S22 S21, S12
VSWR Zin, Zout
NJG1159PHH
- 10 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
0
1
2
3
4
0
5
10
15
20
1.54 1.56 1.58 1.60 1.62 1.64
NF, Gain vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)
Noise Figure (dB)
Gain (dB)
frequency (GHz)
Gain
NF
(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
10
20
0.0 0.5 1.0 1.5 2.0 2.5 3.0
S21 vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)
S21 (dB)
frequency (GHz)
0
5
10
15
20
25
30
1.55 1.56 1.57 1.58 1.59 1.60 1.61 1.62
Group Delay vs. frequency(VDD=1.8V, VCTL=1.8V)
Group Delay (ns)
frequency (GHz)
-25
-20
-15
-10
-5
0
5
10
1
2
3
4
5
6
7
8
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout, IDD vs. Pin(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Pout (dBm)
IDD (mA)
Pin (dBm)
IDD
P-1dB(IN)=-13.6dBm
P-1dB(OUT)=+1.2dBm
Pout
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
-40 -30 -20 -10 0 10
Pout, IM3 vs. Pin(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz)
Pout , IM3 (dBm)
Pin (dBm)
Pout
IM3
IIP3=-4.3dBm
OIP3=+11.5dBm
NJG1159PHH
- 11 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=1.8V, VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30
Out-of-band P-1dB (fjam=900MHz)(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm)
Gain (dB)
IDD (mA)
Pin at 900MHz (dBm)
Gain
IDD
P-1dB(IN)_OB>+26.0dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
4
6
8
10
12
14
16
18
20
1
2
3
4
5
6
7
8
9
-40 -30 -20 -10 0 10 20 30
Out-of-band P-1dB (fjam=1710MHz)(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz at Pin=-40dBm)
Gain (dB)
IDD (mA)
Pin at 1710MHz (dBm)
Gain
IDD
P-1dB(IN)_OB=+23.1dBm(Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
120
-40 -20 0 20 40 60 80 100
Out-of-band IIP2(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=824.6MHz, f2=2400MHz)
Pout , IM2 (dBm)
Pin (dBm)
Pout
IM2
IIP2_OB=+84.4dBm-100
-80
-60
-40
-20
0
20
40
60
80
100
-40 -20 0 20 40 60 80
Out-of-band IIP3(VDD=1.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=1712.7MHz, f2=1850MHz)
Pout , IM3 (dBm)
Pin (dBm)
Pout
IM3
IIP3_OB=+53.3dBm
-100
-90
-80
-70
-60
-50
-40
-30
-20
-10
0
-20 -10 0 10 20 30
2nd Harmonics(VDD=1.8V, VCTL=1.8V,
fin=787.76MHz, fmeas=1575.52MHz)
2nd Harm
onics (dBm)
Pin (dBm)
2fo=-34.8dBm
NJG1159PHH
- 12 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
6
8
10
12
14
16
18
20
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
NF, Gain vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Noise Figure (dB)
Gain (dB)
Temperature (oC)
Gain
NF
(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
0
5
10
15
20
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Return Loss vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Return Loss (dB)
Temperature (oC)
RLi
RLo
20
30
40
50
60
70
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Band Rejection vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V)
Band Rejection (dBc)
Temperature (oC)
1980MHz
915MHz
2400MHz
0
5
10
15
20
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Group Delay Time Deviation
vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V,
fRF=1597~1606, 1559~1563.2, 1559~1591MHz)
Group Delay Tim
e Deviation (ns)
Temperature (oC)
BeiDou(1559~1563.2MHz)
Galileo(1559~1591MHz)
GLONASS(1597~1606MHz)
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0.2
0.4
0.6
0.8
1.0
1.2
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
IDD vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V/0V, RF OFF)
IDD (mA) @Active M
ode
I DD (
µµ µµA) @Standby M
ode
Temperature (oC)
IDD(Active Mode)
IDD(Standby Mode)
NJG1159PHH
- 13 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VDD=2.8V, VCTL=1.8V, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
P-1dB(IN) vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
P-1dB(IN) (dBm)
Temperature (oC)
P-1dB(IN)
6
8
10
12
14
16
18
-6
-4
-2
0
2
4
6
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
OIP3, IIP3 vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm)
OIP3 (dBm)
IIP3 (dBm)
Temperature (oC)
OIP3
IIP3
50
60
70
80
90
100
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Out-of-band IIP2 vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm)
Temperature (oC)
IIP2_OB
Out-of-band IIP2 (dBm)
30
40
50
60
70
80
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
Out-of-band IIP3 vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz,
f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm)
Temperature (oC)
IIP3_OB
Out-of-band IIP3 (dBm)
-60
-50
-40
-30
-20
-10
-60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120
2nd Harmonics vs. Temperature(VDD=2.8V, VCTL=1.8V, fmeas=1575.52MHz,
fin=787.76MHz, Pin=+15dBm)
2nd Harm
onics (dBm)
Temperature (oC)
2fo
NJG1159PHH
- 14 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
12
13
14
15
16
17
18
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
NF, Gain vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Noise Figure (dB)
Gain (dB)
VDD (V)
Gain
NF
(NF, Gain: Exclude PCB, Connector Losses)
0
5
10
15
20
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Return Loss vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
Return Loss (dB)
VDD (V)
RLi
RLo
20
30
40
50
60
70
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Band Rejection vs. VDD(VCTL=1.8V)
Band Rejection (dBc)
VDD (V)
1980MHz
915MHz
2400MHz
0
2
4
6
8
10
12
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Group Delay Time Deviation vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1597~1606, 1559~1563.2, 1559~1591MHz)
Group Delay Tim
e Deviation (ns)
VDD (V)
BeiDou(1559~1563.2MHz)
Galileo(1559~1591MHz)
GLONASS(1597~1606MHz)
0
1
2
3
4
5
6
0.0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
IDD vs. VDD(VCTL=1.8V/0V, RF OFF)
IDD (mA) @Active Mode
I DD (
µµ µµA) @Standby Mode
VDD (V)
IDD(Active Mode)
IDD(Standby Mode)
NJG1159PHH
- 15 -
����特性例特性例特性例特性例
共通条件: VCTL=1.8V, Ta=25°C, Zs=Zl=50Ω, 指定の外部回路による
-20
-18
-16
-14
-12
-10
-8
-6
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
P-1dB(IN) vs. VDD(VCTL=1.8V, fRF=1575MHz)
P-1dB(IN) (dBm)
VDD (V)
P-1dB(IN)
4
6
8
10
12
14
16
18
-8
-6
-4
-2
0
2
4
6
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
OIP3, IIP3 vs. VDD(VCTL=1.8V, f1=1575MHz, f2=1576MHz, Pin=-30dBm)
OIP3 (dBm)
IIP3 (dBm)
VDD (V)
OIP3
IIP3
50
60
70
80
90
100
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Out-of-band IIP2 vs. VDD(VCTL=1.8V, fmeas=1575.4MHz,
f1=824.6MHz at Pin=+15dBm, f2=2400MHz at Pin=+15dBm)
VDD (V)
IIP2_OB
Out-of-band IIP2 (dBm)
30
40
50
60
70
80
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
Out-of-band IIP3 vs. VDD(VCTL=1.8V, fmeas=1575MHz,
f1=1713MHz at Pin=+15dBm, f2=1851MHz at Pin=+15dBm)
VDD (V)
IIP3_OB
Out-of-band IIP3 (dBm)
-60
-50
-40
-30
-20
-10
1.0 1.5 2.0 2.5 3.0 3.5 4.0
2nd Harmonics vs. VDD(VCTL=1.8V, fmeas=1575.52MHz,
fin=787.76MHz, Pin=+15dBm)
2nd Harm
onics (dBm)
VDD (V)
2fo
NJG1159PHH
- 16 -
13nH
1000pF
����外部回路外部回路外部回路外部回路
部品番号 型名
L1 村田製作所製
LQW15AN_00 シリーズ
C1 村田製作所製
GRM03シリーズ
(Top View)
RF IN
RF OUT
C1
VDD
VCTL
L1
9
10
2
1
3 6
7
8
VDD
VCTL
GND PreOUT
LNAIN
LNAOUT
Pre-Filter
LNA
4
PreIN
5
GND
GND
GND
1 pin index
部品リスト
NJG1159PHH
- 17 -
����基板実装図基板実装図基板実装図基板実装図
< PCBレイアウトガイドラインレイアウトガイドラインレイアウトガイドラインレイアウトガイドライン>
デバイス使用上の注意事項デバイス使用上の注意事項デバイス使用上の注意事項デバイス使用上の注意事項 • RFIN 端子と RFOUT 端子の結合を防ぐために、FEM の下にグランドパターンを配置して下さい。
• 外部素子は FEMに極力近づけるように配置して下さい
• RF 特性を損なわないために、FEM の GND 端子は最短距離で基板のグランドパターンに接続できるパタ
ーンレイアウトを行ってください。また、グランド用スルーホールも同端子のできるだけ近傍に配置して
ください。
PCB
基板: FR-4
基板厚: 0.2mm
マイクロストリップライン幅:
0.4mm (Z0=50Ω)
サイズ: 14.0mm x 14.0mm
(Top View)
GND Via Hole
Diameter φ= 0.2mm
PKG Terminal
PCB
PKG Outline
RF IN RF OUT
L1
C1
VCTL VDD
1 pin index
NJG1159PHH
- 18 -
■■■■ 推奨フットパターン推奨フットパターン推奨フットパターン推奨フットパターン (HFFP10-HH パッケージパッケージパッケージパッケージ)
: ランド
: マスク (開口部) *メタルマスク厚: 100µm
: レジスト (開口部)
PKG : 1.5mm x 1.1mm Pin pitch : 0.39mm
NJG1159PHH
- 19 -
���� NF測定ブロックダイアグラム測定ブロックダイアグラム測定ブロックダイアグラム測定ブロックダイアグラム
使用測定器
・NFアナライザ :Agilent N8973A
・ノイズソース :Agilent 346A
NFアナライザ設定
・Measurement mode form
Device under test :Amplifier
System downconverter :off
・Mode setup form
Sideband :LSB
・Averages :16
・Average mode :Point
・Bandwidth :4MHz
・Loss comp :off
・Tcold :ノイズソース本体の温度を入力(303.15K)
キャリブレーション時
Noise Source (Agilent 346A)
NF Analyzer (Agilent N8973A)
Input (50Ω) Noise Source Drive Output
* 測定精度向上のため、プリ
アンプを使用しています
* ノイズソース、プリアンプ、
NFアナライザは直接接続
Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB
NF Analyzer (Agilent N8973A)
Preamplifier NJG1145UA2 Gain 15dB NF 1.5dB
NF測定時
Noise Source (Agilent 346A)
DUT Input (50Ω)
Noise Source Drive Output
IN OUT
* ノイズソース、DUT、プリ
アンプ、NF アナライザは
直接接続
NJG1159PHH
- 20 -
� パッケージ外形パッケージ外形パッケージ外形パッケージ外形図図図図 (HFFP10-HH)
電極寸法公差 : ±0.05mm
単位 : mm
基板 : セラミック
端子処理 : Au Lid : SnAg/Kovar/Ni
重量 (typ.) : 4.9mg
<注意事項>
このデータブックの掲載内容の正確さには
万全を期しておりますが、掲載内容について
何らかの法的な保証を行うものではありませ
ん。とくに応用回路については、製品の代表
的な応用例を説明するためのものです。また、
工業所有権その他の権利の実施権の許諾を伴
うものではなく、第三者の権利を侵害しない
ことを保証するものでもありません。
ガリウムヒ素ガリウムヒ素ガリウムヒ素ガリウムヒ素(GaAs)製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項製品取り扱い上の注意事項
この製品は、法令で指定された有害物のガリウムヒ素(GaAs)を使用しております。危険防止のため、
製品を焼いたり、砕いたり、化学処理を行い気体や粉末にしないでください。廃棄する場合は、関
連法規に従い、一般産業廃棄物や家庭ゴミとは混ぜないでください。
この製品は静電放電 ・ サージ電圧により破壊されやすいため、取り扱いにご注意下さい。
本製品は、中空 PKGであり、外部からのストレスに影響を受けやすい構造となっております。よって、下記内容に関して注意していただき、評
価を行った上で、ご使用願います。
①本製品を実装後、トランスファーモールドやポッティングなど行う場合は、成型上に関わる収縮ストレスや温度変化に対する耐性の確認を御願いいたします。
②本製品を実装する場合には、コレット径を 1mmφ以上にし、静荷重として、5N以下での実装を推奨いたします。
③動荷重に関しては、接触面積/スピード/荷重など考慮し、確認の上、ご使用願います。
1pin index
TOP VIEW
SIDE VIEW
BOTTOM VIEW
SIDE VIEW