LABORATORIOS DE: DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DE ENTRADA/SALIDA. MEMORIAS Y PERIFÉRICOS. PRÁCTICA #4 MEMORIAS DE LECTURA – ESCRITURA SEMICONDUCTORAS OBJETIVO DE LA PRÁCTICA. Comprender la estructura y el funcionamiento interno de las memorias de lectura escritura semiconductoras. Implementar una memoria RAM de 2 x 2, utilizando para ello principalmente circuitos de baja y media escala de integración. Emplear las propiedades del buffer “tres estados”, para entender la configuración “bus bidireccional” presente en la mayoría de los dispositivos de almacenamiento (memorias). INTRODUCCIÓN. A las memorias de lectura - escritura semiconductoras se les conoce también como memorias RAM (Random Access Memory) en donde el tiempo de acceso para cualquier localidad es el mismo o sea es una constante, no importando que localidad se quiera acceder. Cabe hacer la aclaración que las memorias ROMs son también memorias de acceso aleatorio. Existen dos tipos de memorias de lectura - escritura semiconductoras, las RAM estáticas y las RAM dinámicas, en las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable o flip - flop, el cual mantiene la información mientras este conectado a la fuente de alimentación, en cambio en las celdas de la memoria RAM dinámicas, el elemento de almacenamiento es la capacitancia parásita que existe entre el gate y el source de los transistores mosfet, por lo cual la información se mantendrá por algunos milisegundos sin degradación notable, teniéndose que efectuar a continuación el proceso de refresco, el cual consiste en recargar aquellas capacitancias que presenten un voltaje alto. En las memorias ROM, RAM estáticas y RAM dinámicas de construcción monolítica, podremos observar que el flujo de datos desde la memoria hacia exterior y desde el exterior hacia la memoria se realiza por líneas bidireccionales, es decir, un chip de memoria con la capacidad de guardar una palabra de longitud 8 bits, solo presentara 8 líneas de datos marcadas con I/O (input/output), por las cuales se podrá leer o escribir una palabra en esta memoria según sea el caso. Esta capacidad se la proporciona precisamente un bus bidireccional formado por compuertas buffer de tres estados, las cuales como se dijo en la práctica uno, presentan una línea para la habilitación del tercer estado (alta impedancia), estado en el cual la compuerta se comporta como un circuito abierto.
DISPOSITIVOS DE ALMACENAMIENTO Y DE ENTRADA/SALIDA.
MEMORIAS Y PERIFRICOS.
PRCTICA #4
MEMORIAS DE LECTURA ESCRITURA SEMICONDUCTORAS
OBJETIVO DE LA PRCTICA.
Comprender la estructura y el funcionamiento interno de las
memorias de lectura escritura semiconductoras.
Implementar una memoria RAM de 2 x 2, utilizando para ello
principalmente circuitos de baja y media escala de integracin.
Emplear las propiedades del buffer tres estados, para entender
la configuracin bus bidireccional presente en la mayora de los
dispositivos de almacenamiento (memorias). INTRODUCCIN.
A las memorias de lectura - escritura semiconductoras se les
conoce tambin como memorias RAM (Random Access Memory) en donde el
tiempo de acceso para cualquier localidad es el mismo o sea es una
constante, no importando que localidad se quiera acceder. Cabe
hacer la aclaracin que las memorias ROMs son tambin memorias de
acceso aleatorio. Existen dos tipos de memorias de lectura -
escritura semiconductoras, las RAM estticas y las RAM dinmicas, en
las primeras el elemento de almacenamiento es el circuito biestable
o flip - flop, el cual mantiene la informacin mientras este
conectado a la fuente de alimentacin, en cambio en las celdas de la
memoria RAM dinmicas, el elemento de almacenamiento es la
capacitancia parsita que existe entre el gate y el source de los
transistores mosfet, por lo cual la informacin se mantendr por
algunos milisegundos sin degradacin notable, tenindose que efectuar
a continuacin el proceso de refresco, el cual consiste en recargar
aquellas capacitancias que presenten un voltaje alto. En las
memorias ROM, RAM estticas y RAM dinmicas de construccin monoltica,
podremos observar que el flujo de datos desde la memoria hacia
exterior y desde el exterior hacia la memoria se realiza por lneas
bidireccionales, es decir, un chip de memoria con la capacidad de
guardar una palabra de longitud 8 bits, solo presentara 8 lneas de
datos marcadas con I/O (input/output), por las cuales se podr leer
o escribir una palabra en esta memoria segn sea el caso. Esta
capacidad se la proporciona precisamente un bus bidireccional
formado por compuertas buffer de tres estados, las cuales como se
dijo en la prctica uno, presentan una lnea para la habilitacin del
tercer estado (alta impedancia), estado en el cual la compuerta se
comporta como un circuito abierto.
DESARROLLO. i) Armar la memoria RAM esttica con una organizacin
de 2 x 2 que se presenta en la figura 3.
Figura 3. RAM 2 x 2
- Identifique y explique los principales bloques de la memoria
RAM.
- Haga varias lecturas y escrituras sobre la memoria, compruebe
el buen funcionamiento. -Llame al instructor para su verificacin.
ii) Mencione los pasos que se deben seguir para una lectura.
iii) Mencione los pasos que se deben seguir para una escritura.
iv) Cul es la frecuencia mxima de operacin? v) Cmo se introducira
un habilitador general de la memoria?, explique a detalle. vi)
Compruebe que la memoria RAM alambrada pertenece al tipo de memoria
voltil y de lectura no destructiva.
MATERIAL. 1 C.I. 7401 1 C.I. 7404 1 C.I. 7402 2 C.I. 7474 1 C.I.
74126 -Resistencias -Leds Hojas de especificaciones de los
circuitos que se utilizarn.
