Practicas Con Diodos y Transistores UANL

8/18/2019 Practicas Con Diodos y Transistores UANL

1/45

FACULTAD DE INGENIERIA

A C P

\

V D 0 1 2 V

1 0 A F

m

o

o

- <

m

m

o

o

RL

1 0 K

Ing. Juan Sarabia Ramos

Departamento de Electrónica


2/45


3/45

DATOS D E IDENTIFICACION

NOMBRE

MATRICULA

TELEFONO

LABORATORIO

BRIGADA

CATEDRATICO

CALIFICACION


4/45

J K 1 X Í 0

. S 2

**io

EXPERIM ENTOS

D E

ELECTRONICA I

E XP101 C UR VA C AR AC T E R ÍST IC A DE L DIODO

E XP102 R E C T IFIC ADOR T IPO PUE NT E

E X P 1 0 3 R E G U L A D O R Z E N E R

E X P 1 0 4 C I R C U IT O R E C O R T A D O R

pv p 105 C IR C UIT O SUJE T ADOR

C UR VAS C AR AC T E R ÍST IC AS DE L T R ANSIST OR B IPOL AR

FYP107 C IR C UIT O DE POL AR IZ AC IÓN E MISOR -C O MUN

D I S E Ñ O D E U N A M P L I F I C A D O R E M I S O R - C O M U N

C UR VAS C AR AC T E R ÍST IC AS DE L FE T

D I S E Ñ O D E U N A M P L I F I C A D O R S U R T I D O R C O M U N

E XP108

E XP109

E XP110




5/45

J K 1 X Í 0

. S 2

**io

EXPERIM ENTOS

D E

ELECTRONICA I

E XP101 C UR VA C AR AC T E R ÍST IC A DE L DIODO

E XP102 R E C T IFIC ADOR T IPO PUE NT E

E X P 1 0 3 R E G U L A D O R Z E N E R

E X P 1 0 4 C I R C U IT O R E C O R T A D O R

pv p 105 C IR C UIT O SUJE T ADOR

C UR VAS C AR AC T E R ÍST IC AS DE L T R ANSIST OR B IPOL AR

FYP107 C IR C UIT O DE POL AR IZ AC IÓN E MISOR -C O MUN

D I S E Ñ O D E U N A M P L I F I C A D O R E M I S O R - C O M U N

C UR VAS C AR AC T E R ÍST IC AS DE L FE T

D I S E Ñ O D E U N A M P L I F I C A D O R S U R T I D O R C O M U N

E XP108

E XP109

E XP110




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EXP101

fTTTRVA CARA CTER I STI CA DEL DI ODO

L - O B J E T I V O .

• Obtener la curva característ ica del diodo, ut il izando el osci loscopio como un t razado r de

curvas.

n . - L I S T A D E M A T E R I A L Y E Q U I P O .

1 Osci loscopio

1 Mi crocompu t adora 386

1 Puen te rect i ficador de 1 ampere y 50 vol ts

1 Di odo 1N914.

1 Transformado r 120/ 12 VCA, 250mA.

1 Resistencia de 1KÍ1

1 Resi s t enci a 3 . 3KQ


7/45

120/12

VCA

VERTICAL

r

HORIZONTAL

Figura 1. Obtención de la curva característ ica de un diodo.

Una señal rect i ficada de onda completa, se usará como fuente de exci tación para un

circui to serie formado por el diodo de prueba y una resistencia l imitadora (fig. 1).

El vol taje en la resistencia RD de lk, es proporcional a la comente del diodo con un

factor de conv ersión de 1 vol t por cada mil iampere de corriente. Esta señal de vol taje servirá

para deflexionar el haz de electrones del osci loscopio operando en modo XY en dirección

v e r ti c al . ^ ^ ^ ^ ^ ^ ^

d i o d o g e u t i l i z a r á p a r a d e f le x

i onar e l haz de e l ec t rones

horizontalmente.


8/45

V . - P R O C E D I M I E N T O :

1Im pl e me nt a r e l c i rcuit o de l a f i g. 1 .

2.- Conecte al osci loscopio los puntos C, X, Y tal y como se indica en el diagrama.

3.- Ajuste los controles del osci loscopio para operar en modo XY; ganancia vert ical 2 V/div,

ganancia ho rizontal 1 V/div. Asegúr ese de que los vernieres de cal ibración estén en la

posición correcta.

4.-Observe la curva característ ica del diodo; haga uso de los controles de posición vert ical y

horizontal para acomodar la curva. Con el veraier de cal ibración horizontal ajuste para tener

una escala horizontal de 0.5 V/div.

5.- Dibuje lo mas aproximado posible la curva característ ica del diodo, en la siguiente

cuadrícula, indicado los valores de las escalas de corriente y vol taje en el diodo.

V L - S I M U L A C I O N

Figura 2. Obtención de la curva característ ica del diodo, mediante simulación.

1.- Crear el archivo EXP01.CIR, con los datos de la fig. 2.

C U R V A C A R A C T E R I S T I C A D E L D I O D O

* Archi vo EX P01. CIR

VD 1 0 DC 0

DI l 0 D 1N914

. LIB DIODE. LIB

. DC LIN VD 0 1 . 5 0 . 05

. PRINT V(l ) , I (D1)

. P R O B E

E N D

2.- Obtener en el graficador de al ta resolución el t razo de la corriente en el diodo.

Add-Trace I (D1)

3.- Agregar el t razo de una l inea de carga de C.D. Suponiendo VCC = 3V y R = 150C1.

Add-Trace (3-VD)/ 0 . 15K.

4.- Determinar el valor del punto de operación:

I D Q =

V D Q =

5.- Imprima la gráfica.

6 . Ob serve en el archivo de sal ida, la impresión de los valores del coman do .PR INT. Us e la

secuenci a FILE, BROW SE.


9/45

1.-Explique el porqué de la inversión de la curva característ ica del diodo, obtenida en el paso

5 del procedimiento.

2.-Dibuje en la misma cuadrícula la curva obtenida en el simulador, expl ique el porqué de la

diferencia.

3.-Dibuje en la cuadrícula una l ínea de carga de CD, con los siguientes valores:

V c c = 3 V

R=150Í2

4.-Determine con la ayuda del t razo anterior el punto de operación.

I D Q =

V D Q =

E X P 1 0 2

R E C T I F I C A D O R T I P O P U E N T E

L - O B J E T I V O S .

• Observ ar y medir las form as de onda de vol taje presentes en un circui to rect i ficador de

onda compl et a t i po puent e .

• Obtene r la curva de regulación de una fuente no regulada.

• Obtene r la curva de rizado de una fuente no regulada.

• Obser var y medir la corriente de pico repet i t iva en los diodos.

• Observ ar el efecto que produc e la modificación del valor del capaci tor del fi l tro.

H . - L I S T A D E M A T E R I A L Y E Q U I P O .

1 Osci loscopio.

1 M i c r o c o m p u t a d o r a 3 8 6 .

1 Mult ime tro digi tal .

1 Transformado r 120/ 12 VCA.

4 Di odos 1N4148.

2 Capac i tores electrol í t icos de 330pif, 50V.

10 Resi s t encias de 100Q, 3W .


10/45

A RS B

Figura 1. Circui to rect i ficador t ipo puente

La señal rect i ficada de onda completa, se puede observar en el osci loscopio en

modo de C.D. y entre los puntos O y G, siempre y cuando RL este conectado y el

capaci tor desco nectad o. . , , . ,

Si el capaci tor C se conecta, la señal pulsante se fi l t ra, obtemendose un rizado cuya

ampli tud es función directa de la corriente de carga e inversa al valor del capaci tor, bl

rizado puede observarse en el osci loscopio en el modo de C.A.

La resistencia RS t iene un valor práct icamente despreciable y su proposi to es

monitorear la corriente en los diodos. La caída de vol taje entre los puntos A y B es

proporcional a dicha corriente.


11/45

1.- Implementar el circuito de la figura 1. La resistencia RL es un arreglo de resistencias

de 100Q y el capacitor C puede tener un valor de 330| if o óóOfif al conectar dos en

paralelo.

2 . - C onec te so lamen te la re s is tenc ia R L en su va lo r máx imo 1KH.

3 . -C on ec te a l o sc i lo scop io so lamen te lo s pun tos O y G . De la s igu ien te manera :

O a la entrad a del canal A ó canal B.

G al com ún del osciloscopio.

4.- Ajuste los controles del osciloscopio para operar inicialmente en:

Modo de C .D.

2 o 5 V/div.

5 ms/div.

línea como fuente de disparo.

5.- Observe la forma de onda de la señal rectificada. Tome lectura del voltaje máximo.

Vm =

6.- Con el multimetro digital mida el voltaje de C.D. de salida.

VCD =

7.- Conecte un solo capacitor como filtro y efectúe las mediciones de voltaje de salida y de

voltaje de rizo.

V o

—

Medirlo con multimetro digital volts de C.D.

V r — Medirlo en el osciloscopio en mod o de C. A. en una escala ad ecuada.

R L

V o

V r

l L = V o / R L

íooon

9 0 0 Q

8oon

7oon

600Í1

soon

4oon

3 0 0 Q

2 0 0 Q

100Q

8.- Conectar los dos capacitores electrolíticos en paralelo y observar que sucede en el

voltaje de rizo.Al terminar desconecte el capacitor que agregó.

9.- Conecte al osciloscopio solamente los siguientes puntos de prueba:

A al canal A ó canal B.

B al común del osciloscopio.

10.- Observe y tome lectura del valor de la corriente de pico repetitiva con los diodos.

IP R =


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VIN

Figura 2. Simulación del rect i ficador de onda completa.

1.- Efectuar el anál isis t ransi torio del ci rcui to rect i ficador, considerando RL = 100Q y C =

330jxf. Para el lo escriba la siguiente información en el archivo EXP02.CIR.

R E C T I F I C A D O R D E O N D A C O M P L E T A

* Archi vo E XP02. CIR

VIN 1 3 SIN(0, 170, 60)

RG 1

2

1M

R G N D 3 0

1 M E G

LPR I 2 3 1.5

LSEC 4

5

0.015

K T R A N L P R I

LSEC 0 . 99

DI 4 6 D1N4148

D2 0 5

D1N4148

D3 0

4 D1N4148

D4 5 6 D1N4148

L I B D I O D E . L I B

. TRAN 0. 1M 33. 33M

. P R O B E

E N D

2.- Observar en el graficador de al ta resolución las formas de onda de los vol tajes en el

primario y en el secundario.

Add-Trace V(2 , 3) V(4 , 5)

3.- Remover el t razo anterior para observar el vol taje de sal ida y de ser posible imprima la

salida.

Add-Trace V(6)

4.- Remover el t razo anterior para observar la corriente en la carga.

Add-Trace I (RL)

5.- Graficar la corriente en los diodos DI y D4

Add-Trace I (D1) I (D4)

EXP102-7

FIME, Depto. Electrónica


13/45

1.- En los pasos 5 y 6 mediste los valores de los vol tajes de sal ida máximo y de C.D.

Determ ine el valor teórico del vol taje de C.D.

V C D = 2 V M / 7 T .

V C D =

2.- Con los datos de la tabla obtenida en el punto 7 del procedimiento, obtener la curva de

regulación de la fuente. Es decir graficar Vo contra IL.

3.- Similar al punto anterior obtenga la curva de rizo de la iuente no regulada. Para el lo

graficar Vr contra IL.


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E X P 1 0 3

ttFaiTTAfíOR

Z E N E R


• Com prob ar el principio de funciona miento del regulado r

ü . - L I S T A D E M A T E R I A L Y E Q U I P O

1 Mult im etro digi tal

1 M i c r o c o m p u t a d o r a 3 8 6

1 Fuen te de al imentación

1 Di odo zener 12V, l W at t

1 Resi s t enci a de 58Q, 1W

2 Resistencias de 1.2KÍ1, V£W


15/45

Figura 1. Regulador Zener

Se diseño el ci rcui to regulador zener de la figura 1 bajo las siguientes condiciones:

a) La corriente en la carga varia de 10 a 20 mA.

b) El vol taje de la fuente VS varia de 10 a 20V.

Si consideramos constante el valor de la resistencia de carga es fact ible medir el porciento de

regulación de la siguiente forma:

% Reg = (Vomax - Vomi n)/ V onomi nal.

en donde Vonominal es igual a 12 Volts.


16/45

1.- Implemente el ci rcui to de la figura 1. Ajuste VS = 10V y RL = 0.6KQ (dos resistencia de

1.2K en paralelo).

2.- Tome lectura del vol taje de sal ida mínimo Vomin, ut i l izando el mult imetro digi tal en

Volts de C.D.

Vomi n =

3. - A j ust e para obt ener: VS = 20V y RL = 0 . 6KQ .

4.- Tome lectura del vol taje de sal ida máximo Vomax, usando el mult imetro digi tal en vol ts

de C.D.

V o m a x =

5.- Repi ta los pasosdel 1 al 4 con un valor de RL igual a 1.2KÍ1

Vomi n =

V o m a x =

Figura 2. Regulador Zener

1.- Crear el archivo EXP03.CIR con la información del ci rcui to de la figura 2.

R E G U L A D O R Z E N E R 1

•Archi vo EXP03. CIR

V S

1

0

10

RI

1

2

58

R L

2

0

0. 6K

D Z

0

2

D Z E N E R

. M O D E L D Z E N E R D ( V S = 0 . 7 , B V = 1 2 , R S = 0 )

. DC LIN VS 10 20 0 . 05

. P R O B E

E N D

2.-Obtener la curva de regulación para RL = 0.6K, para esto en el graficador de al ta

resolución agregar el t razo.

Add-Trace V(2)

Det ermi ne:

Vomi n =

V o m a x =

3.- Remover el t razo y graficar la corriente I(RI), I(DZ), I(RL) en función de VS.

Add-Trace I (RI) I (DZ) I (RL)

4.- Repet i r lo s pasos del 1 al 2 modificand o el valor de la resistencia de carga R L a 1.2K.

Vomi n =

V o m a x =


17/45

1.- Calcular el valor de la resistencia Ri del ci rcui to de la figura 1. Considere el ci rcui to de

diseño visto en el l ibro de texto.

Dat os :

VSmax = 20V

VSmi n = 10V

ILmax = 20mA

ILmi n = l OmA

Vz = 12V

2.- Determinar el % de regulación del ci rcui to con RL = 0.6KÍ1 Uti l ice los resul tados de los

pasos del 2 al 4 del procedimiento de diseño.

3.- Determinar el % de regulación del ci rcui to con RL = 1.2KÍX Use los resul tados

obtenidos en el punto 5 del procedimiento de diseño.

4.- Determine el % de regulación del ci rcui to con RL = 0.6 KÍX Use los resul tados

obtenidos en el punto 2 de la simulación.


18/45

E X P 1 0 4

C I R C U IT O R E C O R T A P O R


• Comprob ar e l funci onami ent o de un c i rcuit o recor t ador .


1 Osci loscopio



1 Generador de funci ones

1 Poten cióm etro l ineal de 1KÍ2

1 Di odo 1N914


19/45

D1

Figura 1. Circui to recortador.

En el ci rcui to recortador serie de la figura 1, el diodo únicamente conduce cuando

la señal de entrada Vin excede al vol taje de referencia VB. De tal manera que el

comportamiento del ci rcui to se puede resumir de la siguiente manera

Vo = Vi para Vi < VB

Vo = VB para Vi > VB

lo anterior considerando que el diodo es ideal .


20/45

SIN(0

VIN _

,5,1K)L

3IKI-Ä ,75K

L— -4 I VBB

R P L I ^ K ^ P +12V

-12V

-

Figura 2. Circui to recortador serie.

1.- Crear el archivo EXP04.CIR con la información del ci rcui to recortador serie de la figura

1.

C I R C U I T O R E C O R T A D O R 1


• D I O D O Y F U E N T E O R I G I N A L

VIN 1

0

SIN(0 5 1K)

R1

1

2 100K

R P 1

3 0

0. 25K

RP2 3 4 0 . 75K

D I

2

3 D 1 N 4 1 4 8

V B B 4

0

DC 12

L I B E V A L . L I B

. TRAN . Ol m 2m

P R O B E

E N D

2.- En el graficador de al ta resolución observar caso por caso las formas de onda de los

vol tajes de entrada y de sal ida.

Add-Trace V(l ) V(2)

3.- Imprimir la gráfica del primer caso con el diodo y la fuente en posición original .

V I L - R E P O R T E

1.-Explicar el funcionamiento del ci rcui to recortador serie de la figura 1.

2.-Explique el comportamiento de del ci rcui to de figura 1, si el potenciómetro se ajusta para

VB=0.

3.-Explique el comportamiento del ci rcui to de la figura 1, cuando la fuente VBB es igual a -

12 V . (Paso 6 del procedi mi ento) .

4.-En el ci rcui to de la figura 2, porqué se asignaron los valores de RP1-0.25K y

RP2=0. 75K.


21/45

Figura 1. Circui to Sujetador.

VIN

10Vp-p,

1KHZ

Exi s t en dos formas de agregar una component e de CD a una señal de ent rada de CA.

• Agre gand o una fuen te de vol taje de CD en serie.

. Agre gand o un circui to sujetado r (Capaci tor, Resistencia y Diodo).

En el ci rcui to de la figura 1, durante el semiciclo negat ivo de la señal de entrada, el

capaci tor se carga hasta un vol taje igual a Vm-VB.

Durant e e l semi ci c l o posi t i vo l a const ant e de t i empo RLC»T/ 2 (T=perí odo) no permi t e

que el capaci tor se descarge y el diodo no conduce, por lo que:

Vo=Vi +Vm-VB

Esta úl t ima ecuación es la expresión del vol taje de sal ida para todo el t iempo.


22/45

1.-Implementar el ci rcui to sujetador de la figura 1.

2.-Use el mult imetro digi tal (Volts de CD) para cerciorarse que la señal de entrada Vin no

t iene componente de CD. Si la t iene cancelarla con control de offset del generador de

funciones.

3.-Use el mult imetro digi tal para ajustar el potenciómetro , hasta que el vol taje de CD en

VB sea de 3 vol ts.

4.-Observe en el osci loscopio en modo de CD, las señales de entrada y de sal ida

respect ivamente. Use la misma escala de deflexión vert ical en ambos canales.

5.-Dibuje la forma de onda de los vol tajes Vin y Vo.

VIN CA

SIN(0,5/IK)

C1

H h

0.1

R1

100K

I

D1

1N914

RP2€ .75K

RP À .25K

C H V B B

T +12V

0V

Figura 1. Circui to Sujetador.

. -Crear el archivo EXP05.CIR con la información del ci rcui to sujetador de la figura 2.

C I R C U I T O S U J E T A D O R


V I N

1

0

SIN(0, 5 , 1K)

C l

1

2

0. 1UF

R 1

2

3

100K

R P 1

3

0

0.25K

R P 2

4

3

0. 75K

D I

3

2

D 1 N 9 1 4

V B B

4

0

D C

L I B D I O D E . L I B

. TRAN0. 001 M 5M UIC

P R O B E

E N D

2 _En el graficador de al ta resolución observar los vol tajes de entrada y de sal ida.

A d d T r a c e V ( 1 ) V ( 2 )

3.-Imprimir la gráfica anterior.

4,-Repe t i r los pasos 1,2 y 3 , modificand o el vaolr de la fuente VBB a 0 vol ts.


23/45

1.-Explicar el funcionamiento del ci rcui to sujetador de la figura 1.

2.-Real ice una simulación del ci rcui to considerando VBB=-12V, RP1=0.25K y

RP2=0.75k. Proporcione el l istado del ci rcui to e impresión de la gráfica de las formas de

onda.

r i T R V A S C A R A C T E R I S T I C A S D E L T R A N S I S T O R B I P O L A R

I . -OBJETI VOS.

• Obtene r las curvas característ icas de un t ransistor bipolar ,usando el osci loscopio

como un t razador de curvas .

• Determ inar la ganancia de corriente directa del t ransistor.

• Determ inar la ganancia de corriente al terna del t ransistor.

Ü . - L I S T A D E M A T E R I A L Y E Q U I P O .

1 Osci loscopio

1 Mi crocompu t adora 386

1 Mult ime tro digi tal


1 Puen te rect i ficador 1 Amper e, 50 V

1 Transi s t or 2N3904

1 Resistencia 100K Q, VáW

1 Resistencia 100Q, V2W

1 Resistencia de 3 3KH , V2W

1 Transformador 120/ 12 VCA, 250 mA


24/45

i

i

i-—•

HORIZONTAL

INPUT X

100KÍI

r ~

- r 2N39C

100ÍÍ

2N3904

Figura 1. Circuito para obtener curvas características del transistor.

Las curvas característ icas del transistor, es un conjunto de curvas, que representan la

variación de la corriente de colector iC con respecto al voltaje entre colector y emisor VC E,

para un valor constante de la corriente de base iB.

El circuito de la figura 1, permite por el lado del circuito base-emisor, ajustar el valor de la

corriente de base. Por ejemplo, s i la fuente E se ajusta de tal modo que la caída en RB sea de

2V, entonces la corriente de base es de 20[xA.

Por el lado del circuito colector-emisor, se aplica una señal rectif icada de onda com pleta. La

caída de voltaje en la resistencia del colector RC, es proporcional a la corriente de colector

iC, por lo que se usará para la deflexión vertical del haz de electrones en el osciloscopio. El

voltaje entre colector y emisor VCE con signo negativo se aplicará a la entrada horizontal

del osciloscopio operando en modo XY.

De la forma anterior es posible obtener una curva característ ica del transistor y sólo es

cuestión de ajustar de nuevo la corriente de base para observar un nuevo trazo.


25/45

. -Implementar el ci rcui to de la figura 1.

2.-Con el mult ímetro digi tal mida la caída en RB y ajuste la fuente de al imentación para

obtener una caída de vol taje igual a 2 vol ts.

3.-Ajuste los controles del osci loscopio de la siguiente forma:

Acopl ami ent o de CD

500 mv/div

M o d o X Y

Atenuación horizontal 1:10

Vernier en posición de cal ibración

4.-Observe lo siguiente:

• Se form a una curva característ ica del t ransistor.

• La deflexión vert ical es provo cada por la caída en RC .

K

r

RC

Re

• La deflexión horizontal es provo cada por el vol taje entre colector y emisor VCE y es

negat iva.

• La escala horizontal es lOv/div.

• La corriente de base está determinad a por la caída de vol taje en RB.

v

i _

y

RB

5.-Ajuste el vernier de cal ibración de ganancia horizontal hasta tener un desplazamiento

horizontal igual

a 4 veces el actual .

El resul tado de esto es un escala horizontal de 2.5V/div.

En este paso ut i l ice los controles los controles de posición vert ical y horizontal , para

hacer que el origen de la curva esté cerca de la esquina inferior derecha de la pantal la

del osci loscopio.

6.-Dibuje una famil ia de curvas característ icas para los siguientes valores de caída de vol taje

e n R B . L a

curva se observa en el osci loscopio y se debe dibujar en la cuadrícula.

VRB 2 4

6 8

10

12 14 16 18

20

V

iB 20

40 60

80 100

120 140 160

180

200

HA

Para cambiar el vol taje en RB, ajuste el valor de la fuente de al imentación E y mida

solamente la caída

de vol taje con el mult imetro digi tai .

E t i quet e a cada curva con e l va l or de l a coni ent e de base que l e corresponde.


26/45

IB

20-200£ A

V C E

0-20V

Figura 1. Circui to para obtener curvas característ icas del t ransistor.

1.-Crear el archivo EXP06.CIR con la descripción del ci rcui to de la figura 1.

C U R V A S C A R A C T E R I S T I C A S D E L T R A N S I S T O R B I P O L A R


VCE 2 0

0

IB 0 1

2 0 V A

Q1 2 1

0 Q2N3904

LIB BIPOLAR. LIB

D C V C E 0

20 0 . 1 IB 20VA 200VA 20VA

P R O B E

. END

2.-En el graficador de al ta resolución observar la famil ia de curvas característ icas del

t ransistor.

Add Trace IC(Q1)

3 . -Agregar e l t razo de una l í nea de carga de CD, con l os s i gui entes da t os VCC =15 , RC= l Kn

, RE=0. 5K

Add Trace (15-VCE)/ 1 . 5K

4.-Imprimir la gráfica.

. -Determine el valor de la ganancia de corriente directa (PF) del t ransistor para el punto

de operaci ón

dado por :

IBQ=60|¿A

VCEQ=10V

Emplear la famil ia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento.

ICQ=

PF=

2.-Determine el valor de la ganancia de corriente al terna P) del t ransistor para el siguiente

punt o de

operación:

l BQ=60| i A

V C E Q = 1 0 V

Para el lo determine de la misma famil ia de curvas:

i C2= para i B2=80 | i A

ÍC1= para i B l =4 0 | i A

P=

3.-Con la gráfica impresa en el paso #4 de la simulación, determine los valores de las

ganancias de CD y

CA del t ransistor para VCEQ=10V, lBQ=60|iA.

Alternat ivamente, puede hacer uso de las faci l idades del graficador de al ta resolución.


27/45

EXP107

C I R C U I T O D E P O L A R I Z A C I O N E M T S O R - C O M U N

I . - OBJETI VO.

• Diseña r la red de polarización de un amplificador EC, medir el punto de opera ción,

determinar la máxima oscilación del voltaje de salida y medir la ganancia de voltaje.

n.- LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO.

1 Osciloscopio

1 Microcomputadora

1 Fuente de poder

1 Generador de funciones

1 Transistor 2N3 904

1 Resistenc ia de 15KÍ2, V2W

1 Resistencia 120KQ, V2W

2 Resistencias 10KÍ2, V2W

1 Resistencia lK fí , VzW

1 Resistencia

220Q,

V2W

2 Capacitores de 47|aF, 50v

1 Capac itor lOO^iF, 50v


28/45

CHA

R2=€120K

Vi

r «

• -

1

—

47 M F

+12V

RC

10K

+

4 7 # F

CHB

R1

2N3904

RE1

22QÍ1

• : RL

10K

-12V

RE2

1K

1004F

Figura 1. Am plificador Emisor-Común.

Se procederá a reparar el diseño del circuito de polarización del amplificador EC

mostrado en la figura 1. Se seguirá el procedimiento de diseño sugerido en el libro de texto,

pero mo dificado para el caso de dos fuentes de alimentación.

Los datos para el diseño son:

VC C = 12V R E I = 220H

VE E = -12V R E 2 = 1KH

RC = 10KQ BJT = 2N3904

RL = 10KÍ2 (3F= 100

PA SO 1.- Determinar ICQ para máxima oscilación simétrica.

RE = REI + RE2 RCD = RC + RE

R E = 1 .22 KH R C D = 11 .22KO

RCA = REI + (RC*RL)/(RC + RL)

R C A = 5 .22KH

VCC-VEC _

RCA+ RCD

P A S O 2. - Determinar el valor de VCEQ.

VC E Q = IC Q*R C A

VC E Q = VC C - VE E - IC Q*R C D

VC E Q = 7 .6V.

PASO 3.- Seleccionar RB.

RB = (3RE / 10

R B = 12 .2KÍ1

P A S O 4. - Determinar el voltaje de Thevenin VBB.

VB B = ( IC Q*R B ) /p + VB E + IC Q*R E + VE E

VB B = -9 .34V

PASO 5.- Encontrar los valores de R1 y R2.

R 1 = (VC C - VE E )*R B / (VC C - VB B )

R2 = (VCC - VEE ) *RB/(VBB - V EE)

R1 = 13.72KH seleccionar 15KO

R2 = 110KÍ1 seleccionar 120KÍ2.


29/45

PASO 6.- Determinar el vol taje máximo de sal ida.

V C E M = V C E Q

VCEM = Voltaje máximo entre colector-emisor.

VLM = Voltaje máximo en la carga.

VLM = VCEM[(RC*RL)/ (RC+RL)] / [RE1 + (RC*RL)/ (RC + RL)]

VLM = 7 . 3 V .

1.- Implementar el ci rcui to mostrado en la figura 1. Observe que los valores corresponden a

los resul tados del diseño real izado en la teoría prel iminar.

2.- Medir el punto de operación con la ayuda del mult imetro digi tal . Tome lectura de los

siguientes vol tajes (todos son con respecto a t ierra). Use escalas adecuadas.

vc c =

V E E =

VC =

VB =

VE =

3.- Una forma de saber si el ci rcui to está funcionando bien es tomar en cuenta lo siguiente:

El vol taje de la base VB debe de ser aproximadamente 0.7V mayor que el vol taje del emisor

VE.

El vol taje del colector VC debe de ser mayor que el vol taje de la base VB.

El vol taje del colector VC es mayor que el vol taje del emisor VE.

El vol taje del colector VC debe de ser menor que el vol taje de al imentación VCC.

Si lo anterior no se cumple revisar las conexiones del ci rcui to, checar el t ransistor y repet i r

los pasos 2 y 3.

4.- Aplique en la entrada del amplificador una señal senoidal de 5KHz y 200mV

aproximadamente. Observe en el osci loscopio las señales de entrada y sal ida

simultáneamente.

5.- Tomar lectura de las ampli tudes de los vol tajes de entrada y de sal ida.

Vo =

Vi =

* Obser ve que la señal de sal ida está invert ida con respecto a la señal de entrada.

6.- Incremente la ampli tud de la señal de entrada hasta observar que la sal ida empieza a

distorsionarse.

1 - Tom ar lectura de la máxima osci lación del vol taje de sal ida.

VLM = Vpp


30/45

Figura 1. Amplificador Emisor Común.

1.- Crear el archivo EXP07.CIR con la información del amplificador emisor-común de la

figura 1.

+

A M P L I F I C A D O R E M I S O R - C O M U N

V I N

1

0

SIN(0, .1, 5K)

VCC 3 0

12V

VEE 0 4

12V

C1

1 2 47uF

R 1

2 4 15K

R 2

2 3

120K

Q i

5

2 6 Q 2N3904

RC 3 5

10KRE1 6 7 220

R E 2 7

4 1K CE 0 7 lOOuF

C2 8

5 47uF

RL

8

0

10K

LEB BIPOLAR. LIB

. T R A N . l m . 5 m S . 0 0 5 m S

E N D

2.- Observar en el graficador de al ta resolución, la forma de onda de los vol tajes de entrada

y de sal ida.

Add-Trace 10*V(1) V(8)

3.- Use las faci l idades del graficador para medir la ampli tud del vol taje de sal ida.

Vo =

4.- Edi tar el archivo para modificar la ampli tud de Vin a 0.32 o un valor cercano con el

propósi to de determinar la máxima osci lación posible del vol taje de sal ida. Repi ta los pasos

2 y 3 .

Vo =


31/45

1.- Con las mediciones real izadas en el paso 2 del procedimiento determinar indirectamente:

ICQ =

V C E Q =

2.- Explique el porqué de la pequeña diferencia entre la ICQ de diseño y la ICQ:

3.-Con las mediciones real izadas en el paso 5 del procedimiento, determine la ganancia del

amplificador:

4.- Efectúe una comparación entre el valor teórico y práct ico del vol taje máximo de sal ida.

Revise la sección de teoría prel iminar y el resul tado del paso 7 del procedimiento.

5.- Determine la ganancia de vol taje con los resul tados obtenidos en los pasos 2 y 3 de la

simulación.

6.- Compare los valores teórico y práct ico de la simulación del vol taje máximo de osci lación

en la salida.

D I S E Ñ O D E U N A M P L I F I C A D O R E M I S O R C O M U N

I . - OBJETI VOS.

• Diseñar un amplificador EC; medir los parám etros de funciona miento del amplificador,

n.- LISTA DE MATERIAL Y EQUIPO.

1 Osci loscopio


1 Fuent e de poder



1 Resi s t encia de 22K fí ,

V2W

1 Resistencia 120K H, ViW

2 Resi s t encias ÍOKO,

V2W

1 Resistencia 1.2KQ , V2W

1 Resistencia 330Í1 , V2W

2 Capaci t ores de 47 | i f , 50V

1 Capaci t or 100 | i f , 50V


32/45

VCC=12V

C2

47 MF

CE

100WF

Figura 1. Amplificador Emisor-Común.

Se efectuará el diseño de un amplificador EC, con las siguientes característ icas:

Av = -20 VCC = 12V

Ro > = 8KX2 BJT = 2N39 04

RL = 10KQ P = 100

Máxima osci lación simétrica.

PASO 1.- Seleccionar el valor de la resistencia del colector RC

RC > = Ro

RC = 10KQ

PAS O 2. - Est abl ecer ecuaci ones de d i seño:

Av = - [RC*RL]/ [(RC + RL)(RE1+ Ri b)]

I C Q = V C C / ( R C A + R C D )

RE = VCC/ (10* ICQ) Ri b = 0 . 026/ ICQ

R E = R E I + R E 2

Sust i tuyendo los valores conocidos en las primeras t res ecuaciones se obt iene:

20 = 5 / [REl + . 026/ ICQ]

ICQ = 12/ [5 + REI + 10 +RE]

R E = 1 . 2 / I C Q

PASO 3. - Val ores de ICQ, RE Y REI

Se determinan resolviendo las ul t imas t res ecuaciones del paso anterior:

ICQ = 0 . 699mA

R E = 1 . 7 2 K H

REI = 0 . 363KH Sel eccionar 330H

RE 2 = 1.72 - .363 = 1.357KÍ2 Seleccionar 1.2KQ

PASO 4. - Cal cul ar RB

RB = PRE/ 10

RB = 17 . 2KÍ2

PA SO 5. - Cal cul ar e l vol t a je de Theveni n VBB

V B B = I C Q * R B / p + V B E + I C Q R E

VBB = 1 . 82V

PA SO 6. - Cal cular l as res i s tenci as R1 Y R2

R 1 = V C C * R B / ( V C C - V B B )

R1 = 20 . 27K Q Sel eccionar 22KH


33/45

P A S O

7.- Se determina la resistencia de entrada:

Ri = RB * (h i e+PRE)/ (RB + h i e + pRE)

Ri = 15.6KÍ2

1.- Implementar el ci rcui to del amplificador EC de la figura 1. Observe que los valores

corresp

onden al diseño planteado en la teoría prel iminar.

2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes vol tajes de CD con el

mult imetro digi tal :

vc c =

vc =

V B =

VE =

3.- Observe que se cumplan los siguientes requisi tos:

VB»VE+ 0.6

V C > V B

V C > V E

V C < V C C

Si no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, checar el t ransistor y anal izar los

pasos del 1 al 3 nuevamente.

4.- Aplique en la entrada del amplificador una señal senoidal de 5KHz y 200mVp-p

aproximadamente. Observe en el osci loscopio las señales de entrada y de sal ida

simultáneamente.

5.- Tomar lectura de las ampli tudes de los vol tajes de entrada y de sal ida.

Vo =

Vi =

Observe que la señal de sal ida, esta invert ida con respecto a la señal de

entrada.

6.-Para medir el valor de la resistencia de entrada del amplificador, inserte una resistencia de

1OKQ entre los puntos A y B

Tome lectura con el osci loscopio de los siguientes vol tajes (al ternat ivamente puede

ut i l izar el mult imetro digi tal en vol taje de C .A.):

V A =

VB =

El valor de Ri se puede determinar sabiendo que

VB = VA*Ri / (10K + Ri )

Al terminar ret i re del ci rcui to la resistencia d e 10KXX


34/45

7.- Para medir la resistencia de sal ida del amplificador, tome nota de los siguientes vol tajes

de C.A.

Con l a carga RL = 10KH conect ada .

Vo =

Con una carga RL' = 5KQ. (use dos de 10KQ en paralelo)

Vo ' =

La resistencia de sal ida se puede determinar de la siguiente relación:

RL ÍRo

RL'\

Vo' +

V I N C ~ >

Figura 2. Amplificador Emisor-Común.

1.- Crear el archivo EXP08.CIR con la información del ci rcui to amplificador EC de la figura

2

A M P L I F I C A D O R E M I S O R C O M U N

* Archi vo E XP08. CIR

VIN 1 0 AC 1

VC.C 3 0 DC 12

V I N

1

0

AC

v c c

3

0

D C

C1

2

1

47UF

C2

4

7

47UF

CE

6

0

100UF

R 1

2

0

22K

R 2

3

2

120K

R C

3

4

10K

R E I

5

6

330

R E 2

6 0

1.2K

R L

7

0

10K

Ql

4

2

5

Q2N3904

. LIB BIPOLAR. LIB

. TF V(7) VIN

E N D

2. - Los resul t ados de l a s i mul aci ón se pueden observar en e l a rchi vo de sa li da EX P08 . 0UT ,

para e l l o vea l a opci ón FILE, BR OW S E

3.- Tome nota de los vol tajes del punto de operación:

VC =

VB =

VE =


35/45

4.- Tome nota de los resul tados del coman do TF, que determina la función de t ransferencia

Vo/Vin, Rin y Ro.

Vo/ Vi n =

Rin

=

Ro =

La resistencia de sal ida incluye el valor de RL = lOKfí en paralelo.

1.- Repi ta con mayor detal le el diseño del amplificador emisor común planteado en la

sección de teoría prel iminar.

2.- Determine indirectamente el valor de ICQ, con los resul tados obtenidos en el paso 2 del

procedi mi ent o

3.- Determine el valor de la ganancia de vol taje del amplificador, haciendo uso de los

resul tados obtenidos en el paso 5 del procedimiento.

4 - Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resul tados del

paso 6 del procedimiento. Demuestre la relación planteada. Calcule la resistencia de entrada

t eór i ca y efec t úe una comparaci ón .

5.- Determine el valor de la resistencia de sal ida, con los resul tados obtenidos en el paso 7

del procedimiento. Demuestre la relación planteada.

6.- Con los resul tados obtenidos en el paso 3 de la simulación, determine el valor de ICQ.

7.- Determine el valor de la resistencia de sal ida del amplificador, tomando como base la Ro

obtenida en el paso 4 de la simulación.


36/45

EX P109

C U R V A S C A R A C T E R I S T I C A S D E L F E T

L- OBJETIVOS.

• Obtener las curvas característ icas del t ransistor de efecto de campo, usan do el

osc i l oscopio com o un t razador de curvas .

• Determ inar la t ranscond uctancia del FET .


1 Osci loscopio

1 Mi crocomp ut adora 386

1 Mult imetro digi tal


1 Pue nte rect i ficador 1 Amper e,

50 V


1 Resi s t enci a 100Q, V2W

1 Resistencia 3 3KQ , V2W

1 Transformador 120/ 12 VCA


37/45

S 1 2 0 / 1 2

1

* VCA

HOTIZONTAL

INPUT X

Figura 1. Determinación de las curvas característ icas del FET.

Las curvas característ icas del FET, son un conjunto de curvas que describen el

comportamiento de la corriente de sal ida iD, con respecto al vol taje de sal ida VDS, para

dist intos valores de vol taje de entrada VGS.

El circui to de la figura 1, permite por el lado del ci rcui to compuerta-surt idor, ajustar

el valor del vol taje VGS. Por ejemplo VGS = 0 si la fuente E esta desconectada, ó bien VGS

puede tomar un valor negat ivo como -0.5V si el valor de E se ajusta convenientemente.

Por el lado del ci rcui to drenador-surt idor, se apl ica una señal rect i ficada de onda

completa. La caída de vol taje en la resistencia del drenador RD, es proporcional a la

corriente del drenador iD, por lo que se usará para la deflexión vert ical del haz de electrones

en el osci loscopio. El vol taje entre drenador y surt idor VDS con signo negat ivo se apl icará a

la entrada horizontal del osci loscopio, operando en modo XY.

De la forma anterior es posible obtener una sola curva característ ica del FET y solo

es cues t i ón de e j ecut ar de nuevo e l vol t a j e VGS, para observar un nu evo t razo .


38/45

1.- Implementar el ci rcui to de la figura 1.

2 . - Con e l mul t i met ro d i g i t a l mi da e l vol t a j e en t re compuert a 2 sur t i dor VGS. In i c i e

con VG S=0 Vol t s desconect ando ó apagand o l a fuent e de a li ment aci ón E .

3 . - A j u st e l os cont ro l es de l osc i l oscopi o de l a s i gui ente form a:

Acopl ami ent o de C . D.

200 mV / di v i n i c i a l ment e .

M o d o X Y .

Verni eres en posi c i ón de ca l i brac i ón .

4 . -Observe l o s i gui ent e :

Se form a una curva carac t er í s t ica de l FE T.

La def l exi ón ver t i ca l es provocada por l a ca í da en RD

l o que s i gni f i ca 2 mA/ di v .

La def l exi ón hor i zont a l es provocada por e l vol t a j e en t re drenador y sur t i dor y

es negat i va .

5 . - A j ust e e l vern i er de ca l i brac i ón de gananci a hor i zont a l has t a t ener un

despl azami ent o hor i zont a l i gual a 2 V/ DIV.

El resul t ado de es t o es una escal a hor i zont a l de 2 V/ di v .

En este paso ut i l ice los controles de posición vert ical y horizontal , para hacer

que el origen de la curva este cerca de la esquina inferior derecha de la pantal la del

osc i l oscopi o .

6 . - D i buj e una fami l i a de curva carac t er í s t i ca para l os s i gui ent es va l ores de VGS. La

curva se observa en e l oscüos copi o y se t i ene que d i buj ar en l a cuadr i cul a .

- 0 . 5 1 - 1 . 0 1 - 1 . 5 1 - 2 . 0 1 - 2 . 5 1 - 3 . 0 | V

GS 0

Para cambi ar e l vol t a j e VGS, a j us t e e l va l or de l a fuent e de a l i ment aci ón E y

mida solamente el vol taje VGS con el mult imetro digi tal .

E t i quet e a cada curva con e l va l or de l vol t a j e VGS que l e corresp onde.

Figura 2. Circui to para obtener las curvas característ icas del FET.

1.- Crear el archivo EXP09.CIR con la descripción del ci rcui to de la figura 2.

C U R V A S C A R A C T E R I S T I C A S D E L F E T .

* Archi vo EX P09. CIR

VDS 2 0 0

VGS 0 1 0

J1 2 1 0

. LIB FET. LIB

JDC VDS 0 20 0 . 1 VGS 0 3 0 . 5

. P R O B E

E N D

2.- En el graficador de al ta resolución observar la famil ia de curvas característ icas del FET.

Add-Trace ID(J1)

3.- Agregar el t razo de una l inea de carga de CD, con los siguientes datos VDD = 15, RD =

1KH,

RS = 0 . 5KQ.

Add-Trace (15 - VDS)/ 1 . 5K

4.- Imprimir la gráfica.


39/45

1.- Determinar el valor de la t ransconductancia gm del FET para el punto de operación dado

por:

VGSQ = -1 . 5V.

VDSQ = 10V.

Emplear la famil ia de curvas obtenidas en el paso 6 del procedimiento. Para lograr lo

anterior determine con VDS = 10V.

i D2 = para VGS = -1 . 0V

i Dl = para VGS = -2 . 0V

A * "

gm r=

A

VGS

2.- Graficar la curva de t ransferencia del FET. Para el lo complete la siguiente tabla,

haciendo uso de la famil ia de curvas obtenida en el paso 6 del procedimiento.

Para VDS = 10V

VGS 0

-0 . 5

-1 . 0

-1 . 5

-2.0

-2 . 5

-3 . 0

iD

3.- De la curva de t ransferencia determine los siguientes valores característ icos:

IDSS = Corr i ent e de sa t urac i ón del drenador .

Vp = Voltaje de estrangulamiento de la comp uerta.

4.- Con la gráfica impresa en el paso 4 de la simulación, determina el valor de la

t ransconduct anci a de l FET, para VGSQ = -1 . 5V y VDSQ = 10V.


40/45

E X P 1 1 0

D T S E ÑO P E T IN A M P L I F I C A D O R S U R T I D O R C O M U N

I . - O B J E T I V O S .

• Diseñar un amplificado r SC.

• Medir los parám etros de funcion amiento del amplificador.

Ü . - L I S T A D E M A T E R I A L Y E Q U I P O .

1 Osci loscopio



1 F E T 2 N 5 9 5 1

1 Resistenc ia 100K H, V4W

1 Resisten cia 10KQ , V4W

1 Resistencia 22KÍ1, V&W

1 Resistencia 68H , VSW

1 Resistenc ia 470Í 1, V6W

2 Capaci t ores IO

ji

F, 50V

1 Capaci t or 1 0 0 | I F , 5 0 V


41/45

VDD=12V

1 0 K F

* ^ H F -

R D ^ 2 . 2 K

1 Q A F

+ •• —

Figura 1.

Se desea diseñar un am plif icador surtidor-común, como el de la f igura 1, y con las siguientes

especificaciones:

Av =-5

R L = 1 0 K N

Rin =100KÍ2

Usar el transistor JFET 2N5951 que t iene los siguientes parámetros:

Vp =-2 .5V

IDSS = 1 0 m A

La fuen te de alimentación disponible es de 12 volts , y se recomienda el s iguiente punto de

operación:

IDQ =2 .5mA

V D S Q = 6 V

Se procederá al diseño de acuerdo con el s iguiente procedimiento:

PASO 1.- Especificar punto de operación.

I

DQ

= 2.5mA

V

DSQ

=6V

Smo

21

_ DSS

v

P

a = mmhos

omo

Sm Si

Ip


42/45

R

s

+R»=.

D s e

DQ

i

+ g j t ,51

V =-T R

GSQ

1

DQ S

Rs =Rsi R-S2

Susti tuyendo valores en las ecuaciones anteriores, se determinan los siguientes valores:

RD=1.9K Seleccionar 2.2KQ

n

RS1 =69 Seleccionar 47 D.

n

R S2=431 Se lecc iona r 330Q

n

PASO 3.- Seleccionar RG

RG>Rin

R G=100KH

1.- Implementar el circuito del amplificador SC de la figura 1. Observe que los valores

corresponden al diseño planteado en la teoría preliminar.

2.- Medir el punto de operación, tomando lectura de los siguientes voltajes de CD con el

multímetro digital:

VDD

VD

VG

V S

3.- Observe que se cumplan las siguientes condiciones:

VG « 0

VS > 0

VD > VS

VD < VDD

Si no se cumplen estas condiciones, revisar las conexiones, checar el transistor y analizar los

pasos del 1 al 3 nuevam ente.

4.- Aplique en la entrada del amplif icador una señal senoidal de 5KHz y 200mVp-p

aproximadamente. Observe en el osciloscopio las señales de entrada y de salida

simultáneamente.

5.- Tomar lectura de las amplitudes de los voltajes de entrada y de salida

Vo =

Vi =

Observe que la señal de salida, esta invertida con respecto a la señal de entrada.

6.-Para medir el valor d e la resistencia de entrada del amplif icador, inserte una resistencia de

1OOKQ entre los puntos A y B .

Tome lectura con el osciloscopio de los siguientes voltajes (alternativamente puede uti l izar

el multímetro digital en voltaje de C.A.):

VA =

VB =

El valor de Ri se puede determinar sabiendo que


43/45

HIOOA:+/&-J

Al terminar retire del circuito la resistencia de 100KH.

7.- Para m edir la resistencia de salida del amplif icador, tome nota de los siguientes voltajes

de C.A.

Con la carga RL = 10KH conectada.

Vo =

Con una carga RL' = 2.2KÍ2 (use un nuevo valor)

Vo' =

La resistencia de salida se puede determinar de la siguiente relación:

Vo

_ RL i

Ro+RL'\

Vo'

RL''

^Ro RL

VDD

S= 12V

Figura 2. Amplificador Surtidor Común.

1.- Crear el archivo EXP10.CIR con la información del circuito amplif icador SC de la

figura 1.

A M P L I F I C A D O R S U R T I D O R C O M U N

•Arch ivo E XP10 .C IR

VIN 1 0 AC 1

V D D 3

0 DC 12

C1 2

1

10UF

C2 4 7

10UF

CS 6

0 100UF

R G 2

0

100K

R D 3

4 2.2K

RS1 5

6 68

RS2 6

0

470

R L 7

0 10K

J1 4

2

5

J2N5951

L IB FE T .L IB

T F V(7 ) VIN

E N D

2.- Los resultados de la simulación se pueden observar en el archivo de salida

EXPIO.OUT, para ello vea la opción FILE BROWSE.

3.- Tom e nota de los voltajes del punto de operación:

VD =

VG =

v s =


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4.- Tome nota de los resultados del comando .TF, que determina la función de transferencia

Vo/Vin, Rin y Ro.

Vo /Vin =

Rin =

Ro =

La resistencia de salida incluye el valor de RL = 10KJQ en paralelo.

1.- Repita con mayor detalle el diseño del amplif icador surtidor-común planteado en la

sección de teoría preliminar.

2.-

Determine indirectamente el valor de

IDQ,

con los resultados obtenidos en el paso

2

del

procedimiento

3.- Determine el valor de la ganancia de voltaje del amplif icador, haciendo uso de los

resultados obtenidos en el paso 5 del procedimiento.

4.- Determinar el valor de la resistencia de entrada del amplificador, con los resultados del

paso 6 del procedimiento. C ompare co n el valor teórico.

5.- Determine el valor de la resistencia de salida, con los resultados obtenidos en el paso 7

del procedimiento.

6.-

Con los resultados obtenidos en el paso

3

de la simulación, determine el valor de

IDQ.

7.- Determine el valor de la resistencia de salida del amplif icador, tomando como ba se la Ro

obtenida en el paso 4 de la simulación.


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Practicas Con Diodos y Transistores UANL