(;$0(13$5&,$/'(7(&12/2*$(/(&751,&$)(%,1*(1,(5$7e&1,&$,1'8675,$/&8(67,21(6Las cuestiones, que suponen un 40% de la nota de examen, tienen todas la misma puntuacin positiva en caso de respuesta correcta y negativa en caso contrario . Los problemas representan el 60% restante de la nota de examen con la misma puntuacin para cada problema. Para que ambas partes promedien es necesario obtener un mnimo de 3 sobre 10 en cada una.

&8(67,21(6-XVWLILFDUD]RQDGD\EUHYHPHQWHVLVRQYHUGDGHUDVRIDOVDVODVVLJXLHQWHVDILUPDFLRQHV

La conduccin en semiconductores se debe slo al movimiento de los electrones. Los huecos son la ausencia de un electrn en un enlace covalente. Los huecos se comportan como una partcula cargada positivamente en el interior del semiconductor. Los semiconductores intrnsecos son cristales de semiconductor puro. Los semiconductores intrnsecos ,tienen mayor nmero de electrones que de huecos. Los semiconductores intrnsecos, no tienen carga neta. Los semiconductores extrnsecos tienen carga neta. Los semiconductores extrnsecos de tipo n estn cargados negativamente. En los semiconductores extrnsecos, los tomos donadores ceden un electrn libre. En los semiconductores extrnsecos, los aceptadores se convierten en iones negativos. Para un mismo nmero de impurezas la resistividad de un semiconductor de tipo p es mayor que la de un tipo n. La difusin tiende a homogeneizar las concentraciones. Los procesos de difusin, aunque suponen movimientos de carga, no dan lugar a corrientes elctricas en el semiconductor. La corriente de difusin de huecos es proporcional al gradiente de la concentracin de huecos. A mayor nmero de huecos, mayor nmero de recombinaciones. La conductividad de un semiconductor extrnseco siempre aumenta con la temperatura Cuantas mas impurezas se hayan introducido en un semiconductor, mayor ser la concentracin de portadores minoritarios, si ste est en equilibrio. Una unin PN muy dopada posee una tensin de ruptura menor que la de una unin PN menos dopada. Si en un punto de un semiconductor en equilibrio hay mas huecos que en otro punto del mismo ,el potencial elctrico en el primero, ser mayor que en el segundo. En una unin PN la anchura de la zona de transicin aumenta cuanto menor sea el grado de dopado y cuanto mayor sea el potencial de polarizacin en sentido inverso.

352%/(0$6

Se desea estabilizar una tensin que puede variar entre 10 y 20V, para lo cual se disea el circuito de la figura1 realizado con un zener de cuya curva caracterstica aparece en la figura 2.

a)Si R=1k, calcular los posibles valores de Vz para que la salida permanezca estabilizada. b)Si Vz=4V.Valores de R para que Vs permanezca estabilizada. c)Si R=1k , Vz=4V e IZM=16mA a 300 K, qu sucede al variar la temperatura?.

Se dispone de una pastilla de silicio de 10mm de longitud y 1 mm2 de seccin, que se encuentra a 300 K y esta dopada con tomos de boro. Calcular el valor de la resistencia de la pastilla para los diferentes valores de dopado siguientes:108,1010,1012 y 1014 cm-3. Nota. Considrese que las movilidades de los portadores son independientes del dopado. n=1100cm2/Vs p=400 cm2/Vs ni(300K)=1010cm-3

Calcular la corriente de todos los diodos y las resistencias del circuito tomando V=0,7V y Vz=3,1V y verificando las hiptesis realizadas.

-9V 9V

R1 R2 R3 R4

D1 D2 D3

R1=R2=R3=R4=1k

Determnese los valores lmites de los diodos (VRM e IFM) para que no se destruyan en el circuito de la figura. En las otras dos figuras aparecen la curva caracterstica de los diodos y la seal de entrada del circuito.

I(mA)

V(V)VRM

IFM

-

+

_

Ve

D1

D3

D2

D4

R=1k

20V

-20V

Ve(t)

tT

T/2

Calcular la funcin de transferencia del circuito de la figura .V=0.6V D1

D2

R2=1k

R1=1K

5V

+

_

Vin

_

+

Vo