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Tiristores y Dispositiv

de ConmutaciónIntegrantes:

Alejandra Estefania Alarcón Hinojo

Ana Mireya Castro Cervantes

Martín Emanuel Martínez Bueno

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UJT

El transistor de uni-unión UJT está constituido regiones contaminadas con tres terminales exterbases y un emisor.

Funcionamiento: Al aplicar una tensión V al circ!-" #ormado por la resistencia $ariable !% y el con%" dic&o condensador comien'a a cargarse. ocondensador está conectado al emisor" cuando se tensión intr(nseca" el UJT entrará en conducción.


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Aplicación de UJT

Aplicaciones: Una de las aplicaciones del UJT más como generador de pulsos en diente de sierra. Est

resultan muy útiles para controlar el disparo de la

TRIACS y SCR.


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SCR Tipo de tiristor formado por cuatro capas de material semiconductor

Funcionamiento: Funciona ásicamente como un diodo rectificadpermitiendo circular la corriente en un solo sentido. "ientras no se ap

tensi$n en la puerta del SCR no se inicia la conducci$n y en el insta

apli#ue dic%a tensi$n! el tiristor comien&a a conducir. Traa'and

alterna el SCR se des e(cita en cada alternancia o semi)ciclo. T

corriente continua! se necesita un circuito de lo#ueo for&ado! o iencircuito.

Aplicaciones: Una aplicaci$n muy frecuente de los SCR es el contren alterna en reguladores de lámparas! calentadores el*ctricos y moto


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TRIAC

Funcionamiento: tiene dos estados de #uncionamiento: blo)ueo y coonduce la corriente entre sus terminales principales en un sentidin$erso" por ello" al igual )ue el diac" es un dispositi$o bidireccional.

onduce entre los dos ánodos *A+ y A, cuando se aplica una seal a la*/.

%e puede considerar como dos tiristores en anti-paralelo. Al igual )ueel paso de blo)ueo al de conducción se reali'a por la aplicación de un icorriente en la puerta" y el paso del estado de conducción al de blo)disminución de la corriente por deba0o de la intensidad de mantenimien


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Aplicaciones de un TRIA

Aplicación: 3a aplicación de los triacs" a di#erelos tiristores" se encuentra básicamente en calterna.


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DIAC

Funcionamiento4 Act5a como un interruptor bidireccual se acti$a cuando el $olta0e entre sus terminalesel $olta0e de ruptura" dic&o $olta0e puede estar entr$olts seg5n la re#erencia.

Aplicaciones: %e utili'a principalmente en aplicaccontrol de potencia mediante control de #ase.


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BCT

FuncionamientoEs un dispositi$o 5nico )ue combina las $enta0as de tener dos tirun encapsulado" permitiendo disear e)uipos mas compactos" simel sistema de en#riamiento y aumento la #iabilidad del sistema

Aplicaciones3os 9T son adecuados en aplicaciones tales como compeestáticos de Volt-Amperes reacti$os * VA! " interruptores arrancadores sua$es y controles de moto


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LASCR

Este dispositi$o se acti$a mediante radiación directa de lu' sobresilicio. 3os pares electrón-&ueco )ue se crean debido a la radiacióncorriente de disparo ba0o la in#luencia de un campo elctrico. 3a ecompuerta se disea a #in de proporcionar la su#iciente sensibildisparo" a partir de #uentes luminosas

Aplicaciones

3os 3A%! se utili'an en aplicaciones de alto $olta0e y corriente ptransmisión de cd de alto $olta0e *2V; y compensación de potenestática o de $olt-amperes reacti$os *VA!.


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RCT

Un !T es un intercambio entre caracter(sticas del disre)uisitos del circuito4 puede considerarse como un tiristor coantiparalelo incorporado.

Un !T se conoce tambin como tiristor asimtrico *A%!

cuenta con tres pines ánodo" cátodo y puerta. El $olta0e ddirecto $aria de


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T!

FU>1?>A@1E>T?

Un tiristor /T?" al igual )ue un %! puede acti$arse maplicación de una seal positi$a de compuerta. %in embargodesacti$ar mediante una seal negati$a de compuerta. Un

dispositi$o de enganc&e y se construir con especi#icaciones dy $olta0es similares a las de un %!. Un /T? se acti$a aplicompuerta un pulso positi$o corto y se desacti$a mediantnegati$o corto.


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Aplicaciones del T!3os /T? son 5tiles por)ue las estrategias de conmutación )ue posee" pueden s

regular la potencia" como el #actor de potencia. a ni$el industrial algunos usos son

+ Troceadores y con$ertidores.

+ ontrol de motores as(ncronos.

+ 1n$ersores.

+ aldeo inducti$o.+ !ecti#icadores.

+ %oldadura al arco.

+ %istema de alimentación ininterrumpida *%A1.

+ ontrol de motores.

+ Tracción elctrica


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"ET#CT$

Un dispositi$o FET-T2 combina un @?%FET y un tiristor en genera internamente una corriente de disparo para el tiristoralta $elocidad de conmutación.

Este dispositi$o se puede acti$ar como los tiristores con$

pero no se puede desacti$ar mediante control de compser$ir(a en aplicaciones en las )ue un disparo óptico debe utel #in de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal dde control y el dispositi$o de conmutación del con$ertidor de p


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ICT

3os cambios sustanciales se &an &ec&o para el /T?dispositi$os para obtener el 1/T. El diseo de la capa transde /T? reduce la prdida en estado de manera signi#icatientrada no$ela diseo se emplea para reducir la inductanpuerta. Unidad aumento de des$(o se logra en el 1/T.


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Mos # Ti%isto% Cont%olado &MC

El tiristor controlado por @?%" es un tiristor como desencadispositi$o de conducción )ue se puede acti$ar o -on 6## ppulso en la puerta @?%. ;ebido a )ue el dispositi$o se puede y #uera de la terminal de puerta" )ue comparte el atracti$o carde controlabilidad de desacti$ación de puerta */T? tiristor m

el des$(o de ganancia de corriente es muy alta. El dispositi$o cpropiedades de conducción &acia adelante deseablesregenerati$a tiristor de cuatro capas con la entrada alta caractla impedancia de una estructura de puerta controlado por @?%


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SIT$

Un %it& es un auto controlado /T? como encendido y apagado 3a edispositi$o es similar a la %1T excepto )ue una D capa &a sido aadidánodo. %imilar a un %1T" se es una normalmente en el dispositi$o eánodo es positi$o y el $olta0e de puerta es cero" el dispositi$o se compdiodo y corriente de ánodo #luirá libremente. El empu0e &acia delanteunión pro$ocará una inyección de &uecos en la región > y su condmodula. %i la puerta está polari'ado en sentido in$erso con respecto a

capa de agotamiento blo)ueará el ánodo #lu0o de corriente.

El dispositi$o tiene aplicaciones en calentamiento por inducción de a#recuencia con$ertidor ;-;" l(nea de potencia acti$a acondic$ariadores de #recuencia D@ ruido menos.


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DISE(! DE UN SCR

G ;ispositi$o semiconductor de < capas conestructura pnpn y 7 0unturas J+" J, y J7

G Tres terminales: Hnodo *A" átodo *I y /ate ocompuerta */.

G En polari'ación directa *A J+y J7 están enpolari'ación directa y J, en in$ersa .

G %in disparo de puerta #luye corriente de #uga directa.


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C!NTR!L DE DIS)AR! DE UN


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C!NSTRUCCI!N DEL DI

%e puede disparar mun pulso de cde gate y no

alcan'ar el $olta0e Vel diac.


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C!NTR!L DE UN TRIA

El triac puede dispararse de tpotencia en alterna sea sumcarga durante un tiempo dcada ciclo. 3a di#erencia con se puede disparar tanto en la

)ue en la negati$a del ciclo" )ue la corriente en la carga pulos dos sentidos.


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IBT

El transistor 1/9T" de las siglas en ingls 1solated/ate 9ipolar TransistorK" es un dispositi$o &(brido")ue apro$ec&a las $enta0as de los transistoresdescritos en los apartados anteriores" o sea" el 1/9Tre5ne la #acilidad de disparo de los @?%FET con laspe)ueas prdidas en conducción de los 9JT depotencia. 3a puerta está aislada del dispositi$o" con

lo )ue se tiene un control por tensión relati$amentesencillo. Entre el colector y el emisor se tiene uncomportamiento tipo bipolar" con lo )ue elinterruptor es muy cercano a lo ideal. 3a #igura ,.,<muestra la simbolog(a para este tipo de transistores.


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M!S"ET

@?%FET *@etal-?xide-%emiconductor Transistors As( como podemos decir )ubipolar se controla por corriente" los transistores controlados por tensión. Elaislamiento *óxido de %ilicio de la puerresto del dispositi$o. Existen dos tipo@?%FET" los de canal n y los de canal

Electrónica de Dotencia los más comprimeros" por presentar menores prd$elocidad de conmutación" debido a la made los electrones con relación a los agu0er

3a #igura ,.,+ muestra un recordatorio deutili'ados para estos dispositi$os.

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