Transistor UJT

04/07/2011

1

Contenido. Historia Estructura Modelo Equivalente. Funcionamiento. Aplicaciones.

04/07/2011

2

Transistor uniunin

UJT

04/07/2011

3

Transistor UJTHistoria de UJTUnijunction transistor circuits were popular in hobbyist electronics circuits in the 70s and early 80s because they allowed simple oscillators to be built using just one active device. Later, as integrated circuits became more popular, oscillators such as the 555 timer IC became more commonly used.

04/07/2011

4

El Transistor UJT(transistor de unijuntura) Tambien llamado transistor monounin, ununin. Este es un dispositivo de conmutacin del tipo ruptura. Es un dispositivo semiconductor unipolar, con un funcionamiento diferente al de otros dispositivos. Es un dispositivo de disparo04/07/2011 5

Transistor UJTEstructuraEl transistor de uni-unin ( unijuntion transistor) o UJT est constituido por dos regiones contaminadas, con tres terminales externas: 2 bases 1 emisor

04/07/2011

6

Transistor UJTEstructura El emisor est fuertemente dopado con impurezas p y la regin n dbilmente dopado con n. Por ello, la resistencia entre las dos bases, RBB o resistencia interbase, es elevada (de 5 a 10K estando el emisor abierto).04/07/2011 7

Transistor UJTEsquemticos

Transistor UJT. a) Estructura fsica, b) modelo equivalente, c) circuito equivalente, 04/07/2011 d) smbolo

8

Transistor UJTModelo equivalente El modelo equivalente est constituido por un diodo que excita la unin de dos resistencias internas, R1 y R2, que verifican RBB=R1+ R2. Cuando el diodo no conduce, la cada de tensin en R1 (V1) se puede expresar como:

04/07/2011

9

Transistor UJTModelo equivalente en donde VB2B1 es la diferencia de tensin entre las bases del UJT y es el factor de divisin de tensin conocido como relacin intrnseca.

04/07/2011

10

Transistor UJTModelo equivalente El modelo de este dispositivo utilizando transistores tiene una estructura muy similar a un diodo de cuatro capas. Cuando entra en conduccin los transistores la cada de tensin en R1 es muy baja.

04/07/2011

11

Transistor UJTFuncionamientoEl funcionamiento de un UJT es muy similar al de un SCR. La grfica describe las caractersticas elctricas de este dispositivo a travs de la relacin de la tensin de emisor (VE) con la corriente de emisor (IE).

04/07/2011

12

Transistor UJTFuncionamientoSe definen dos puntos crticos: Punto de pico o peak-point (VP, IP) y punto de valle o valleypoint (VV, IV), ambos verifican la condicin de dVE/dIE=0. Estos punto a su vez definen tres regiones de operacin: Regin de corte, regin de resistencia negativa y regin de saturacin, que se detallan a continuacin:

04/07/2011

13

Transistor UJTFuncionamiento Regin de corte. En esta regin, la tensin de emisor es baja de forma que la tensin intrnseca mantiene polarizado inversamente el diodo emisor. La corriente de emisor es muy baja y se verifica que VE