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TRANSISTORES UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP INGENIERIA DE SISTEMAS

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TRANSISTORES

TRANSISTORESUNIVERSIDAD PRIVADA TELESUPINGENIERIA DE SISTEMASTRANSISTOR 2N3819

TRANSISTOR, JFET, N, TO-92

Tipo de transistor: Desglose JFET Voltaje Vbr: 25V Cero Puerta Voltaje drenaje actual Idss: 2 mA a 20 mA puerta-fuente Cutoff Voltaje Vgs (apagado) Max: 8 V Disipacin de energa Pd: de 350mW actual Idss Max: 20 mA Idss actual mnima: 2 mA Corriente Ig: 10mA Dispositivo Marcado: Drenaje 2N3819 Tensin de fuente Vds: 25V Transconductancia Gfs Max: 6.5mA / Full V Potencia nominal Temperatura: 25 C Gfs mnima: 2 mA / V Nmero de transistores: 1 Paquete / Caso: TO-92 Disipacin de potencia Ptot Max: 200mW Polaridad del transistor: N Rango de frecuencia de canal de funcionamiento: 1 MHz a 500 MHz

TRANSISTOR 2N3055

TRANSISTOR, NPN, TO-3

Polaridad del transistor: NPNColector-to-Emisor Tensin de disparo: 60VDisipacin de energa Pd: 115WCorriente de colector dc: 15ADC actual Ganancia hFE: 70Tipo de encapsulado Transistor: A-3N. de clavijas: 2Tipo de caja: TO-3Tensin IC hFE: 10ACompleto Temperatura Potencia nominal: 25 C?Max Ic actual: 15AMax Ic actual una continua: 15APotencia mxima disipacin Ptot: 115WMximo Voltaje Vce Sb: 1VMejor ganancia de ancho de banda pies: 3MHZMejor HFE: 5Potencia de disipacin: 115WTipo de terminacin: Agujero pasanteTipo de transistor: BipolarTensin VCBO: 100V

TRANSISTOR BD712

TRANSISTOR, PNP, TO-220Polaridad del transistor: PNPCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 100VTransition Frequency Typ ft: 3MHZPower Dissipation Pd: 75WDC Collector Current: 12ADC Current Gain hFE: 120Transistor Case Style: TO-220Collector Emitter Voltage Vces: 1VContinuous Collector Current Ic Max: 12ACurrent Gain Hfe Max: 400Current Ic @ Vce Sat: 4ACurrent Ic Continuous a Max: 4ATensin IC hFE: 500mAGain Bandwidth ft Typ: 3MHZHfe Typ: 120N. of Transistors: 1Package / Case: TO-220Power Dissipation Pd: 75WPower Dissipation Ptot Max: 75WTensin Vcbo: 100VTRANSISTOR BD678

DARLINGTON TRANSISTORTransistor Polarity: PNPCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 60VPower Dissipation Pd: 40WDC Collector Current: 4ADC Current Gain hFE: 750Transistor Case Style: SOT-32Av Current Ic: 4ACollector Emitter Voltage Vces: -2.5VContinuous Collector Current Ic Max: 4ACurrent Ic Continuous a Max: 4ACurrent Ic hFE: 1.5ADevice Marking: BD678Full Power Rating Temperature: 25CHfe Min: 750No. of Transistors: 1Package / Case: TO-126Power Dissipation Ptot Max: 40WTermination Type: Through HoleTransistor Type: DarlingtonVoltage Vcbo: 60VTRANSISTOR TIP3055

TRANSISTOR, NPN, 100V, TO-247Transistor Polarity: NPNCollector Emitter Voltage V(br)ceo: 70VPower Dissipation Pd: 90WDC Collector Current: 15ADC Current Gain hFE: 70Operating Temperature Min: -65COperating Temperature Max: 150CCollector Emitter Voltage Vces: 1VContinuous Collector Current Ic Max: 15ACurrent Ic Continuous a Max: 15ACurrent Ic hFE: 4ADevice Marking: TIP3055Full Power Rating Temperature: 25CGain Bandwidth ft Min: 2.5MHzHfe Min: 20No. of Transistors: 1Operating Temperature Range: -65C to +150CPower Dissipation Ptot Max: 90WTransistor Type: BipolarVoltage Vcbo: 100V