Tema:
TRANSISTORES INTEL ENTRAN EN LA TERCERA DIMENSIN
Objetivo:
Estudiar las innovaciones que se vienen dando en los
transistores tales como su tamao
y calidad, para obtener una visin ms amplia en lo que se refiere
a este dispositivo
Transistores Intel entran en la tercera dimensin
Por Rachel Courtland
Publicado el 4 de Mayo del 2011
De lo que recuerdo de Cario, encog a los nios, ser alcanzado por
el rayo de Wayne
Szalinski no era motivo de celebracin. Pero el Intel Senior
Fellow Mark Bohr, quien
se somete a un proceso de miniaturizacin virtual que lo deja a
100nm de alto, parece
positivamente jubiloso en este nuevo video de la compaa.
Bohr est celebrando el nuevo, ms pequeo, y, por primera vez
transistor tri-
dimensional de Intel. Apodado Tri-Gate (tres-puertas), el
dispositivo cuenta con un
diseo innovador muy anticipado - mltiples puertas que se colocan
alrededor de un
canal de silicio elevado.
Los transistores van a aparecer en el nuevo microprocesador de
Intel "Ivy Bridge", que
se realizar mediante un proceso de fabricacin de 22 nm y
comenzar a comercializar a
finales de este ao. El procesador de Intel es el primero en dar
el salto de 32 nm a 22
nm, continuando las dcadas de carrera para seguir aumentando el
nmero de
transistores que pueden ser empacados en el mismo espacio.
El cambio a 3D aborda algunos de los problemas fundamentales que
han estado
plagando a los transistores como su caracterstica de tamao que
se ha reducido. Los
transistores han sido durante mucho tiempo asuntos de dos
dimensiones, con una fuente
y un drenaje separados por un canal a lo largo del cual fluyen
de electrones. Los nicos
componentes que se colocan por encima del plano son la puerta,
que enciende y apaga
el flujo de electrones, y una capa aislante delgada intercalada
entre la puerta y el canal.
Pero a medida que los ingenieros han creado transistores cada
vez ms pequeos, la
distancia de la fuente al drenaje se ha hecho tan corto que los
electrones pueden filtrarse
a travs de la parte inferior del canal, donde la influencia de
la puerta es ms dbil,
desperdiciando poder. Para resolver el problema de la fuga, los
diseadores de
transistores han estado mirando diseos en tres dimensiones en el
que los electrones no
tienen un lugar a donde ir que no est controlado por la
puerta.
La solucin de Intel es un diseo FinFET que emplea un canal de
silicio similar a una
cresta que sobresale del sustrato de silicio. La puerta del
transistor corre perpendicular
al canal y cortinas sobre l, creando tres puertas alrededor del
canal.
Intel presenta sus nuevos transistores de 22 nm en 3D son 37 por
ciento ms rpido en
baja tensin en comparacin con actuales transistores planos de 32
nm de Intel, por lo
que son mejores para smartphones y otros dispositivos porttiles.
Consumen menos de
la mitad del poder como los chips de 32 nm de la empresa.
A pesar de eso, el New York Times dice, algunos piensan que
Intel est haciendo una
apuesta, porque los enfoques alternativos pueden ofrecer mejores
beneficios en la parte
delantera del motor:
Se ha especulado que la industria de la tecnologa FinFET dar a
Intel una
ventaja de velocidad claro, pero posiblemente menos control
sobre el consumo de
energa que los mtodos alternativos ... El alcance de la apuesta
de Intel es subrayado
por el hecho de que mientras que la empresa domina en los
mercados de las bases de
datos de computadoras, equipos de sobremesa y porttiles, en gran
medida han sido
excluidos de los mercados de tabletas y telfonos inteligentes
que estn creciendo
mucho ms rpido que la industria del PC tradicional.
Intel dio un paso tentativo en el mercado de la energa baja el
mes pasado, con la
introduccin de su primer procesador para computadoras
tablet.
