TRANSIS

TORES

L ED

GA

R J

AV

I ER

GU

ZM

ÁN

VA

LVE

RD

E

I NG

EN

I ER

Í A E

S S

I ST

EM

AS

E I

NF O

RM

ÁT

I CA

El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor que cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en inglés de transfer resistor («resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores, reproductores de audio y video, relojes de cuarzo, computadoras, lámparas fluorescentes, tomógrafos, teléfonos celulares, etc.

TRANSISTORES

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

Transistor de contacto puntualLlamado también transistor de punta de

contacto, fue el primer transistor capaz de obtener ganancia, inventado en 1947 por John Bardeen y Walter Brattain. Consta de una base de germanio, semiconductor para entonces mejor conocido que la combinación cobre-óxido de cobre, sobre la que se apoyan, muy juntas, dos puntas metálicas que constituyen el emisor y el colector. La corriente de base es capaz de modular la resistencia que se «ve» en el colector, de ahí el nombre de «transfer resistor». Se basa en efectos de superficie, poco conocidos en su día. Es difícil de fabricar (las puntas se ajustaban a mano), frágil (un golpe podía desplazar las puntas) y ruidoso. Sin embargo convivió con el transistor de unión (W. Shockley, 1948) debido a su mayor ancho de banda. En la actualidad ha desaparecido.

TRANSISTORES

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

El transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones NP.

La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsénico (As) o Fósforo (P).

El mecanismo que representa el comportamiento semiconductor dependerá de dichas contaminaciones, de la geometría asociada y del tipo de tecnología de contaminación (difusión gaseosa, epitaxial, etc.) y del comportamiento cuántico de la unión.

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

FOTOTRANSISTOR

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

FOTOTRANSISTOR

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

FICHA TECNICA DE FOTOTRANSISTOR

FUNCIONAMIENTO TRANSISTOR JFET

El transistor unipolar está formado por una sola capa de semiconductor de tipo n sobre un substrato de tipo p . Se distingue el canal cuyo dopado es n y las − − conexiones al exterior, drenador y surtidor, que son material dopado de tipo n+. Encima del canal, que conecta drenador y surtidor, se ha difundido una capa adicional de tipo p. Las zonas dopadas tipo p se conectan conjuntamente y se llaman puerta. El drenador del JFET es equivalente al colector del BJT, el emisor al surtidor y la puerta a la base. Funcionamiento de un JFET de canal N (I) D •Unión GS polarizada inversamente •Se forma una zona de transición libre de Canal P P portadores de carga G •La sección del canal depende de la tensión USGUSG N Zona de •Si se introduce una cierta tensión D-S la transición corriente ID por el canal dependerá de S USG

CARACTERISTICAS TRANSISTOR JFET

características de un JFET de unión

•La corriente de drenador se controla mediante tensión (a diferencia de los transistores bipolares donde se controla la corriente de colector mediante la corriente de base)•La unión puerta-fuente se polariza en zona inversa y existe un valor límite de UGS a partir del cual el canal se cierra y deja de pasar corriente de drenador•Entre drenador y fuente el JFET se comporta como una resistencia o una fuente de corriente dependiendo de la tensión UDS.•Aplicaciones típicas: amplificadores de audio y de radiofrecuencia

TRANSISTORES MOSFET

Transistores MOSFET (FET Metal-oxido-semiconductor) Estructura y funcionamiento de un MOS de acumulación de canal N (III) +++ +++ N n N UGS P - - - - e e e e • Al aplicar tensión positiva UGS los electrones libres de la zona P (sustrato) son atraídos hacia el terminal de puerta • Por efecto del campo eléctrico se forma un canal de tipo ‘n’ (zona rica en electrones) que permite el paso de la corriente entre drenador y surtidor

CARACTERISTICAS DE TRANSISTORES MOSFET

La corriente de drenador se controla mediante la tensión UGS • En los MOSFET de acumulación a partir de un cierto valor umbral de UGS se forma el canal y puede circular la corriente de drenador • En los MOSFET de deplexión una difusión adicional permite la circulación de la corriente de drenador incluso para tensión UGS nula • Aplicaciones típicas: convertidores y accionadores electrónicos de potencia, etapas amplificadoras, circuitos digitales