UNIDAD I: INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA Y TEORIA DE UNIDAD I: INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA Y TEORIA DE DIODOSDIODOS

UNIDAD 1:INTRODUCCIÓN A LA ELECTRÓNICA Y

TEORIA DE DIODOS

UNIVERSIDAD ALONSO DE OJEDA

FACULTAD DE INGENIERIAESCUELA DE COMPUTACIONASIGNATURA: ELECTRÓNICA

PROFESOR: ING. GERARDO ALBERTO LEAL, MSc

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CONCEPTO DE ELECTRÓNICA

Es el campo de la física y la ingeniería que estudia el diseño y aplicación de dispositivos, cuyo funcionamiento depende del flujo de electrones en el espacio, en semiconductores o en otros medios especiales, para la generación, transmisión, recepción, almacenamiento y control de la información. Esta información puede consistir en datos, voz, sonido, imágenes, señales, variables de procesos, entre otros.

ELECTRONTelecomunicaciones

Computación

Control

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Un semiconductor, es un material que tiene las propiedades eléctricas de un conductor y de un aislante, como por ejemplo el Germanio y el Silicio (metaloides),

este ultimo el más utilizado en la actualidad para la fabricación de componentes electrónicos.

LOS SEMICONDUCTORES

Un material conductor, desde el punto de vista electrónico es aquel que tiene gran

cantidad de electrones libres, permitiendo el flujo de electrones entre sus átomos

(electricidad) como por ejemplo el cobre.

Un aislante es todo lo contrario por lo cual se dice que no

conduce electricidad.

Después del oxigeno, el silicio es el elemento mas abundante en la corteza

terrestre en:Arena, cuarzo, granito, arcilla, mica, etc.

Silicio- Fabricación de componentes electrónicos

- Construcción de ladrillos, vidrios y otros materiales

- Silicona para implantes médicos

- Fertilízate en la agricultura

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SEMICONDUCTORES (CRISTAL DE SILICIO)

En equilibrio (Aislante)Electrones libres y zona de conducción. (Conductor)

Semiconductores Intrínsecos: cristales en estado puro, todos los átomos son iguales. No tiene impurezas

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TIPOS DE SEMICONDUCTORES

TIPO P:

Portadores mayoritarios huecos (+)

Semiconductores Extrínsecos: se le agregan impurezas, es decir átomos diferentes de otros materiales (aleaciones). Proceso conocido como dopaje del cristal de silicio.

TIPO N:

Portadores mayoritarios electrones (-)

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LA UNION PN

Zona de agotamiento

(Barrera de potencial)

ZONA P:

Portadores Mayoritarios Huecos

ZONA N:

Portadores Mayoritarios electrones

UNION DE DOS ELECTRODOS (DIODO)

(SEMICONDUCTORES P Y N)

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POLARIZACIÓN DIRECTA DE LA UNION PN

Zona de agotamiento se reduceSi la unión es de Silicio, el VD debe se superior a 0,7 V

Si la unión es de Germanio, el VD debe ser superior a 0,3 VHay circulación de corriente desde ID > 0

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POLARIZACIÓN INVERSA DE LA UNION PN

Zona de agotamiento se agranda.Tensión de ruptura, es el voltaje máximo permitido sin que se destruya la unión.

No hay circulación de corriente ID = 0