シリコンNチャネル接合形電界効果トランジスタSILICON N CHANNEL JUNCfION FIELD EFFECf TRANSISTOR
OFMチューナ用。VHF帯増幅用
二FMTuner and VHF Amplifier Applications.
・電力利得が大きい Gps=20dB(Typ.) (f=100MHz)
・雑音指数が小さい NF=2dB(Typ.) (f=100MHz)
・相互コ ンダク タンスが大きい gm=7mO(Typ.) (f=100MHz)
・人力インピーダンスが高い RiSS=5kg (Typ.) (f=100MHz)
・帰還容量が小さい Crss=0.45pF(Typ.)
・エポキシ封止
• Eopxiy Encapsulated.
最大定格 MAXIMUM RATING (Ta=250C)
Characteristic I Symbol Rating Unit
ばー ト・ ドレイン関電圧 VGOO -18 V
J ー ト電流 IG 10 mA
子容損失 Po 200 mW
=ミ金温度 TJ 125 。C
戸長存混度 Ts培 -55~125 。C
電気的特性 ELECTRICAL CHARACTERISTICS (Ta =250 C)
Characteristic
ーート漏れ電流
J ート・ドレイ ン間降伏電圧
、/イン電流(Note)
ギンチ ・オフ電圧
ござコンダクタンス
4宝容量
ミつ利得(Fig.1)
ミ音指数(Fig.1)
1 Symbol i
Jと二71V<BR)GOO I
I Ioss
Vp
gm
Crss
Gps
NF
Condition
vG8=-1.0V, VDS=O
IG=-100μA, Common Drain
VG8=0, VDs=10V
VDs=10V, ID=lμA
VGS=O, VDs=10V,f=lkHz
VGD=-lOV, f=lMHz
VDD=10V, f=100MHz
VDD=10V, f=100MHz
メote; IDssにより下表のように分類し現品表示してあります.
According to the value of Ioss, 2SK19 is classified as follows
二二竺翌年竺空竺_L_~空ヒ 1 Max. Fig.l lOOMHz GPS, NF,測定回路
-SK19-y I 3.0 I 7.0 100MHz Gps, NF TEST CIRCUIT
-SK19-GR I 6.0 I 14.0
:SK19-BL I 12.0 24.0 INPUT
50Sl
Ll : 0.8回世銀メッキ線空心、3η在径10mm世捲長10阻
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2SK19
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金二i1. DRAI:¥ 2. SOURC::: 3. GATE
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0.8回世 AgPLATED Cu WIRE 3 TURNS. 10==ご CI:~. 田 Lど‘;ー竺
W : 0 .8回世銀メッキ線空心3 . 511在任10mm9~き長 10 ""0.8mm¥') Ag PLATED Cu ¥¥'IRE 3.5 Tl'R¥S Ez:.::ご :コ := ι三¥プナY
-559-
2SK19
ID~VGS
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-3.2 -2.4 -1.6 -0.8 0
ゲート電圧 VCS(V) 、、工1
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IDSS: VDs=10¥.
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飽和ドレイン電流 IDSS(mA)
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ゲー ト・ドレイン間電庄 VCD(V)
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