Ing. Esp. María Nancy Espinel Calixto
Almacena datos e instrucciones de
programas en ejecución
Permite acceso rápido a los datos
Solo almacena la información mientras
tenga energía eléctrica (temporal)
Compuesta por circuitos integrados, donde
cada uno contiene celdas que se puede leer
o escribir en cualquier orden (Aleatoria).
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Su función consiste en tener preparadas las
instrucciones y los datos para que la CPU pueda
procesarlos, y en almacenar temporalmente el
resultado de las operaciones realizadas por la
CPU.
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La lectura y almacenamiento de la información se realiza mediante el uso del bus de datos y direcciones, en el siguiente orden:
Apuntar a la dirección de memoria que se desea leer o escribir mediante el uso del bus de direcciones
Selección del tipo de operación: Lectura o escritura.
Cargar los datos a almacenar (en el caso de una operación de escritura)
Retener los datos de la memoria (en el caso de una operación de lectura)
Habilitar o deshabilitar la memoria para una nueva operación.
Conjunto de condensadores que almacenanvarias palabras binarias de n bits. Cada unaalmacena 1 bit (celda de memoria)
Las celdas o bits de memoria se ubicanmediante la fila y la columna
DRAM dinámica: una celda está compuesta por un transistor y un condensador.
SRAM: una celda está compuesta por alrededor de cinco transistores.
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Fig: Diagrama electrónico de una celda de memoria
El capacitor pueden almacenar
solamente un bit de información
El transistor MOS actúa como
el interruptor que permite al
controlador de memoria leer el
estado del capacitor o
cambiarlo.
Tiempo de refresco era de 80 ó
70ns. Se utilizó en la época de los
i386, en forma de módulos SIMM o
DIMM.
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El procesador puede dirigirse directamente a cualquier celda y ver el contenido de la misma, simplemente debe conocer el número de fila y columna o “dirección de memoria” de la celda que está buscando
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Los módulos de memoria cuentan con unaserie de circuitos adicionales que se encarganentre otras cosas de lo siguiente:
identificar cada fila y columna
llevar un registro de la secuencia de actualización
leer y restaurar la señal de una celda de memoria
indicarle a una celda si debe guardar una carga o no
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Cuando el estado en la fila se
encuentra en alto, el transistor
entra en saturación y el dato
presente en el bus interno de
la memoria (columna) se
almacena en el condensador,
durante una operación de
escritura y se extrae en una
operación de lectura.
El microprocesador debe saber exactamente la posición en memoria de cada
dato, por lo que las posiciones están identificadas por un número denominado
dirección de memoria. Cada posición de memoria almacena un byte, lo que
hace pensar en la gran cantidad de posiciones que serán necesarias para poder
almacenar instrucciones y datos
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REFRESCO O LATENCIA: tiempo que tarda cargar eléctricamente las celdas de memoria
TIEMPO DE ACCESO: tiempo que tarda lamemoria en acceder a la informaciónalmacenada en una dirección.
VOLTAJE:
SIMM 5 voltios
DIMM SDRAM 3,3 voltios
DIMM SDRAM DDR 2,4 voltios
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Memoria asíncrona (SIMM)
No trabajan en forma síncrona con el reloj del sistema,es decir en un acceso a la memoria las señalesnecesarias para llevar a cabo este proceso, no estáncoordinadas con el reloj manejado por el sistema.Ejemplo: FPM-RAM (modo de Página Rápida) ,
Memoria síncrona (DIMM)
Utilizan un reloj para sincronizar la entrada y salida delas señales necesarias durante un acceso a memoria,este reloj trabaja de manera coordinada (sincronizada)con el reloj del sistema. Ejemplo: SDR SDRAM, DDRSDRAM
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FPM-RAM (Fast Page Mode RAM, modo de página rápida):
70 ó 60 ns.
Usadas en la primera generación de Pentium.
Incorpora un sistema de paginado debido a que consideraprobable que el próximo dato a acceder este en la mismacolumna, ganando tiempo en caso afirmativo.
Mantiene constante la dirección de fila mientras se leenconsecutivamente los datos de varias columnas
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EDO-RAM (Extended Data Output RAM)
permite a la CPU acceder más rápido porqueenvía bloques enteros de datos; con tiempos deacceso de 40 ó 30 ns.
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BEDO-RAM (Burst Extended Data Output RAM)
• más rápida debido a que manda los datos en ráfagas (burst).
• velocidad de bus de 66 MHz
• una vez que se accede a un dato de una posicióndeterminada de memoria se leen los tressiguientes datos en un solo ciclo de reloj porcada uno de ellos, reduciendo los tiempos deespera del procesador
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la velocidad de bus temporización tasas de
transferencia
PC66 66 Mhz 15 ns 533 MB/s
PC100 125 Mhz 8 ns 800 MB/s
PC133 133 Mhz 7,5 ns 1066 MB/s.
tiempos de acceso de entre 25 y 10 ns y que se
presentan en módulos DIMM(Módulo de Memoria en
línea doble) de 168 contactos. Fue utilizada en los
Pentium 2, así como en los AMD K7. Dependiendo de
la frecuencia de trabajo se dividen en:
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Envía los datos dos veces por cada ciclo de reloj. De este modo trabaja al doble de
velocidad del bus del sistema, sin necesidad de aumentar la frecuencia de reloj. Se
presenta en módulos DIMM de 184 contactos. Del mismo modo que la SDRAM, en
función de la frecuencia del sistema se clasifican en :
Voltaje Velocidad de
bus
tasas de transferencia contactos
PC 1600 ó DDR200 2.5 V 100MHz 1,6 GB/s
PC 2100 ó DDR266: 2.5 V 133MHz 2,1 GB/s
PC 2700 ó DDR333 2.5 V 166MHz 2,7 GB/s
PC 3200 ó DDR400: 2.5V 200MHz 3,2 GBs 184
PC-4200 ó DDR2-533 1.8 V 266 MHz 4,2 GBs 240
PC-4800 ó DDR2-600 1.8V 300 MHz 4,8 GBs
PC-5300 ó DDR2-667: 1.8V 333 MHz 5,3 GBs
PC-6400 ó DDR2-800 1.8V 400 MHz 6,4 GBs
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Trabaja en sincronía con el bus del procesador, pero envía datos
en ambos flancos del ciclo de reloj (flanco de subida y flanco de
bajada)
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SDRAM: Utiliza módulos DIMM de 168 contactos y dos muescas en su parte inferior. Velocidad entre 66 y 133MHz
DDR: 184 Contactos y una única muesca entre ellos. Funciona con un voltaje de 2,5 voltios, y puede tener una velocidad de 200, 266, 333 y 400MHz
DDR2: Es muy parecida a la DDR, con una muesca. Tiene 240 contactos y un voltaje de 1,8 voltios que reduce la temperatura y le permite alcanzar mayores velocidades : 400, 533, 667 y 800MHz
RDRAM: Solo puede instalarse en procesadores Pentium 4 y su uso nunca estuvo demasiado extendido. Trabaja a velocidades entre 800 y 1066MHz
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están
soldadas los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para memoria DDR2.
4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura
de memoria DDR2.
Transmisión doble de datos tercer generación: Tienen los chips
de memoria en ambos lados de la tarjeta y cuentan con un
conector especial de 240 contactos. Tiene conectores
físicamente independientes por ambas caras como el primer
estándar DIMM. Este tipo de memoria cuenta en su gran
mayoría de modelos con disipadores de calor, debido a que se
sobrecalientan.
1.- Tarjeta: es una placa plástica sobre la cuál están soldadas
los componentes de la memoria.
2.-Chips: son módulos de memoria volátil.
3.- Conector (240 terminales): base de la memoria que se
inserta en la ranura especial para memoria DDR3.
4.- Muesca: indica la posición correcta dentro de la ranura de
memoria DDR3.
184 contactos,
capacidad
máxima de 1GB.
Voltaje 2.5V
240 contactos,
capacidad
máxima de 4GB.
Voltaje 1.8V
240 contactos,
capacidad
máxima de 8GB.
Voltaje 1.5V
Puede alcanzar velocidades de transferencia de2.133 Gbps a 1,2 V, en comparación con DRAMDDR3 a 1.35V y 1.5V con una tecnología de procesode clase 30nm equivalente , con velocidades dehasta 1,6 Gbps. Reduce el consumo de energía enun 40 por ciento en comparación con un móduloDDR3 de 1.5V. Capacidad de almacenamiento 8 y16 GB
SDRAM SO-DIMM
DDR SDRAM SO-DIMM
flip-flop o biestable (también llamado
báscula) compuesto por 4 o 6 transistores
MOSFET para almacenar los ceros y unos,
Mas costosa de fabricar, por ello solo se
utilizan unos pocos Megabytes en algunos
dispositivos.
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La celda se activa mediante
un nivel activo a la entrada
superior y los datos se
cargan o se leen a través de
las líneas laterales
cada una de las filas se habilita de forma simultánea para
recibir o cargar los datos del bus de entrada/salida
tiene incluida una poca cantidad de memoria SRAM
Ocasionalmente se utiliza como memoria cache L1 y L2
Algunas veces se le conoce como DRAM cacheada.
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•incluye una pequeña memoria estática en el interior del chip SDRAM.
•Permite tiempos de latencia más bajos
• funciona a 133MHz y alcanza transferencias de hasta 1,6 GB/s, pudiendo
llegar a alcanzar en modo doble, con una velocidad de 150MHz hasta 3,2
GB/s.
utiliza un sistema propietario lo cual la hace mas costosa
Memoria síncrona
Pentium III con chipset 820 de intel
Frecuencia entre los 600 y 800 MHz
Memoria de bus o ancho de palabra de 16 bits
funciona con ambos flancos ascendente y descendente del
pulso del reloj del microprocesador.
El modulo es RIMM (Rambus Inline Memory Module)
Memoria de acceso al azar dinámica del acoplamiento síncrono
bus de 64 bits
velocidad de reloj de 200 MHz
transferencia de datos con el flanco de subida y el flanco de bajada del reloj del sistema, lo cual genera una velocidad efectiva de 400 MHz
legando a alcanzar 1,6GHz, 3,2GHz en modo doble, y hasta 4GB/s de transferencia
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DIP (dual in-line package, Paquete dual en
línea)
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TARJETA PRINCIPAL DE
IBM XT CON CHIP DE
MEMORIA DIP
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1983 en los laboratorios WANG.
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SIMM de 30 pines
1MB 30-pin 70ns 3c 1x4 Parity FPM SIMM
16MB 30-pin 60ns non-parity SIMM
8MB 72-pin 60ns EDO SIMM
16MB 72-pin 60ns 2K EDO SIMM
32MB 72-pin 60ns EDO 5V SIMM
32MB EDO 4K refresh 4-chip 72-pin 60ns SIMM
64MB 72-pin 60ns EDO 8-chip 5V SIMM
128MB 72-pin 60ns EDO non-parity SIMM
8MB 72-pin 70ns FPM non-parity SIMM
4MB 72-pin 60ns FPM SIMM
8MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM
16MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM
16MB 72-pin 70ns FPM non-Parity SIMM
32MB 72-pin 60ns 16-chip 4x4 2K Refresh non-Parity FPM
SIMM
32MB 72-pin 70ns 16-chip 4x4 2K FPM SIMM
64MB 72-pin 60ns FPM non-Parity SIMM
64MB 72pin 60ns FPM Gold-Lead 8 chip SIMM
128MB 72-pin 60ns 5V FPM SIMM
http://www.memoryx.net/72pinsimm.html
FACTOR DE FORMA O RANURAS
SIMM (Módulo de Memoria en Línea Simple) : 30 ó 72 contactosDIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble)
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72 contactos y 144,
taza de transferencia de datos de 32
y 64 bits respectivamente.
3.3 Voltios
•160 pines
•Frecuencia de
operación de 600 /
700 / 800 Mhz
•Voltaje de 2.5V
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Motherboard A85F2-A
Golden con socket FM2
4 ranuras DIMM DDR3 2600 MHz (OC) que soportan hasta 64 GB de
capacidad en una configuración de doble canal con soporte para
la tecnología AMP. Incorpora dos ranuras PCI Express 2.0 x16
compatibles con CrossFireX y se le suman tres ranuras PCI Express x1
y dos PCI regulares.
7 SATA 6.0 Gbps, 6
USB 3.0, 8 SB 2.0,
1Gigabit Ethernet y
1 eSATA de 6.0
Gbps. Salidas de
video, HDMI, DVI, D-
Sub y DisplayPort,
junto con audio de
8 canales HD con
soporte THX
TruStudio PRO.
sucesor de las memorias Rambus RDRAM
Usa Octal Data Rate (ODR): Ocho bits por ciclo de reloj por
línea
Tasa de transferencia
Se han alcanzado (2009) hasta 28.8 GB/s de transferencia a 7.2 GHz,
en una configuración de x32-bit
utilizada en las tarjetas gráficas (controladores gráficos)
es accesible de forma simultánea por dos dispositivos.
determina su limitación con respecto al número de colores y
resolución.
A mayor cantidad de memoria que se encuentra en la tarjeta de
video, mayor es la resolución
SAM (serial access memory)
WRAM (Window RAM)
SGRAM (Synchronous Graphics RAM)
MDRAM (Multi-bank DRAM)
CDRAM (Cache DRAM)
3D RAM
GDDR-SDRAM (Graphics Double Data Rate SDRAM)
RAM extendida
•Agrega mejoras como bit masking (escribir en
un bit específico sin afectar a otros) y block
write (rellenar un bloque de memoria con un
único color).
• A diferencia de la VRAM y la WRAM, SGRAM
es de un solo puerto.
•Puede abrir dos páginas de memoria como
una, simulando el doble puerto que utilizan
otras tecnologías RAM
es un tipo de VRAM
equipada con líneas
separadas de lectura y
escritura, que ofrece
tiempos rápidos de
acceso y es barata de
producir.
Incorpora al doble puerto
de la VRAM
infraestructura dedicada
para operar sobre bloques
enteros de memoria