UNIVERSIDAD TECNOLÓGICA CENTROAMERICANA
FACULTAD DE INGENIERIAS
Electrònica II
Secc.2343
Laboratorio 3: Amplificadores JFET.
Equipo: Jerson Orlando Castillo Berrios………….…..11411205
Denuar Alberto Chirinos Rodriguez.………...11511328
Parcial: Primer.
Instructor: Ing. Ricardo Tellez Trochez.
Fecha: 06 de Agosto del 2019
Campus: Tegucigalpa D.C.
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ContenidoResumen Ejecutivo.....................................................................................................................3
Objetivos.....................................................................................................................................3
Marco Teòrico.............................................................................................................................3
Amplificadores JFET..............................................................................................................3
Ventajas de los FET................................................................................................................5
Resultados Teòricos....................................................................................................................6
Resultados Experimentales.......................................................................................................12
Tabla_1_Anàlisis DC............................................................................................................12
Tabla_2_Anàlisis AC............................................................................................................12
Tabla_3_Anàlisis DC............................................................................................................12
Tabla_4_Anàlisis AC............................................................................................................13
Tabla_5_Anàlisis DC............................................................................................................13
Tabla_6_Anàlisis AC............................................................................................................13
Vout_Vin_Pràctica_1............................................................................................................14
Vout_Vin_Pràctica_2............................................................................................................14
Vout_Vin_Pràctica_3............................................................................................................15
Cuestionario..............................................................................................................................16
Conclusiones.............................................................................................................................16
Bibliografía...............................................................................................................................17
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Resumen Ejecutivo
El desarrollo de esta pràctica de laboratorio analizamos a fondo el transistor JFET 2N3819
utilizándolo como amplificador de señal, donde hicimos uso prácticamente del mismo circuito
eléctrico con algunos cambios (impedancias en la puerta, drenador y surtidor, retroalimentación).
Hicimos un total de 3 circuitos similares, donde para cada uno de ellos se fueron llenando sus
respectivas tablas de valores como la corriente del drenador, el voltaje puerta-surtidor, el voltaje
drenador surtidor, el voltaje de entrada (excitación) y el voltaje de salida, para finalmente
calcular su ganancia.
Objetivos
Comprender el funcionamiento de los transistores JFET como amplificadores.
Identificar las distintas configuraciones de los amplificadores basados en JFET.
Marco Teòrico
Amplificadores JFET
Los transistores de efecto de campo (FET) son dispositivos de tres terminales: surtidor, puerta
y drenaje, que trabajan regulando la corriente entre drenaje y surtidor a través del campo
eléctrico establecido mediante la tensión aplicada al terminal de puerta. El terminal de puerta,
que funciona como terminal de control, no maneja virtualmente corriente, el componente
presenta, en consecuencia, una alta impedancia de entrada (puede llegar a valores del orden de
MΩ) que resulta esencial en variadas aplicaciones como ser:
Interruptor analógico.
Amplificadores.
Oscilador cambio de fase.
Limitador de corriente. (Floyd, 2008, pág. 437)
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Son muy utilizados, también, como resistencias controladas por tensión y fuentes de corriente,
este es un componente cuyo funcionamiento puede ser comparado al de una fuente dependiente
de corriente controlada por tensión y presenta las siguientes características:
Es un dispositivo unipolar, tiene un único tipo de portadores.
Presenta alta impedancia de entrada. La corriente de entrada es prácticamente nula
(IG).
Tiene un bajo producto ganancia-ancho de banda.
Es de fácil construcciòn.
“ Como amplificadores hacen uso de la naturaleza de fuente de corriente controlada por
tensión del dispositivo, para ello se debe fijar un punto de trabajo en la zona de saturación del
canal, zona donde la corriente ID depende en forma casi exclusiva de VGS.” (Robert L.
Boylestad, 2018, pág. 481)
Ilustración 1:FET (Tutoriales de Electrònica Bàsica, s.f.)
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Ilustración 2:Equivalente AC
Ventajas de los FET
Son elementos sensibles a la tensión con alta impedancia de entrada, como esta
impedancia de entrada es considerablemente mayor que la de los BJT, se prefieren los
FET a los BJT para la etapa de entrada de un amplificador multietapa.
Los FET generan un nivel de ruido menor que los BJT.
Los FET son más estables con la temperatura que los BJT.
Los FET son, en general, más fáciles de fabricar que los BJT pues suelen requerir
menos pasos de fabricación, es posible fabricar un mayor número de elementos en un
circuito integrado ( consiguiendo una densidad de empaque mayor ).
Los FET se comportan como resistores variables controlados por tensión
para valores pequeños de tensión de drenaje a fuente.
La alta impedancia de entrada de los FET les permite almacenar carga
el tiempo suficiente para permitir su utilización como elementos
de almacenamiento.
Los FET de potencia pueden disipar una potencia mayor y conmutar corrientes
grandes.
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Resultados Teòricos
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Resultados Experimentales
Tabla_1_Anàlisis DC
Valor Experimentales Teòricos
ID 5.35mA 2.5mA
VGS -706mV -1.5V
VDS 3.89V 10V
Tabla_2_Anàlisis AC
Valor Experimentales Teòricos
VOUT 0.2611V 0.3333V
VIN 0.0449V 0.05V
A1 5.8117 6.666
Tabla_3_Anàlisis DC
Valor Experimentales Teòricos
ID 2.7mA 2.0159mA
VGS -2.176V -1.6530V
VDS 1.918V 3.912V
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Tabla_4_Anàlisis AC
Valor Experimentales Teòricos
VOUT 150.23mV 269.9mV
VIN 44.74mV 0.05V
A1 3.3578 5.3978
Tabla_5_Anàlisis DC
Valor Experimentales Teòricos
ID 4.25mA 3.6286mA
VGS -1.684V 1.1929V
VDS 2.240V 3.5816V
Tabla_6_Anàlisis AC
Valor Experimentales Teòricos
VOUT 125.94mV 301.1mV
VIN 45.09mV 0.05V
A1 2.7931 6.022
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Vout_Vin_Pràctica_1
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Vout_Vin_Pràctica_2
Vout_Vin_Pràctica_3
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Cuestionario
1. Una característica importante del JFET es su gran resistencia de entrada mayor o igual
a 1 MΩ
R//: Verdadero
2. ¿Cuál configuración es la que más se utiliza para proporcionar una señal invertida y
amplificada?
R//: Función inversora.
Conclusiones
Para un transistor FET la variable de control es un voltaje.
La relación no lineal entre ID y VGS puede complicar el método matemático del
análisis de DC de las configuraciones a FET. Una solución grafica limita las
soluciones a una precisión de décimas, pero resulta un método más rápido para la
mayoría de los amplificadores.
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Para el análisis de un circuito con JFET se dice que la corriente de la puerta es
aproximadamente 0, lo que intuye una resistencia en la puerta bastante grande.
Bibliografía
Floyd, T. L. (2008). Dispositivos Electrònicos (octava ed.). Mèxico, Distrito Federal, Mèxico:
Pearson. doi:978-970-26-1193-6
Robert L. Boylestad, L. N. (2018). Electrònica: Teorìa de circuitos y dispositivos electrònicos.
(Decimoprimera ed.). (B. G. Hernàndez, Ed.) Mèxico, Distrito Federal, Mèxico: Pearson.
doi:978-607-32-4395-7
Tutoriales de Electrònica Bàsica. (s.f.). Obtenido de
http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-jfet-de-fuente-
comun.html: http://tutorialesdeelectronicabasica.blogspot.com/2018/06/amplificador-jfet-
de-fuente-comun.html
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