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Asignatura: Física Electrónica Unidad III: Dispositivos Semiconductores ACTIVIDAD: Diodo UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP FACULTAD DE INGENIERÍA DE SISTEMAS Ciclo IV Alumno: Juan A. Moreno Albinagorta Código: UT10104963

Diodo

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Page 1: Diodo

Asignatura: Física Electrónica Unidad III: Dispositivos Semiconductores

ACTIVIDAD: Diodo

UNIVERSIDAD PRIVADA TELESUP

FACULTAD DE INGENIERÍA DE SISTEMAS Ciclo IV

Alumno: Juan A. Moreno Albinagorta

Código: UT10104963

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DIODO RECTFICADO 1N4001 – 1N4007El Diodo 1N4007 es un dispositivos utilizado hoy en día en muchos proyectos electrónicos.

Descripción 1N4007 es uno de los diodos de una serie muy utilizados en infinidad de equipos electrónicos. Se utiliza principalmente para convertir la corriente alterna en directa.  Su encapsulado es de tipo DO-41. Principales características Tensión inversa de pico máximo: 1KV (VRRM) maxTensión máxima en un circuito rectificador de madia onda con carga capacitiva: 500 V (Vef)Rango de temperatura: - 65 ºC a +125 ºCCaída de tensión: 1,1 V (VF)maxCorriente en sentido directo: 1 A (If)Corriente máxima de pico: 30 A (Ifsm) max

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DIODO LEDUn led o diodo emisor de luz es un dispositivo semiconductor (diodo) que emite luz incoherente de espectro reducido cuando se polariza de forma directa la unión PN del mismo y circula por él una corriente eléctrica. Este fenómeno es una forma de electroluminiscencia. El color, depende del material semiconductor empleado en la construcción del diodo y puede variar desde el ultravioleta, pasando por el visible, hasta el infrarrojo. Los diodos emisores de luz que emiten luz ultravioleta también reciben el nombre de led UV (ultraviolet light: "luz ultravioleta") y los que emiten luz infrarroja se llaman IRED (InfraRed Emitting Diode:"radiación infrarroja"). El nombre español proviene del acrónimo inglés LED (Light-Emitting Diode: ‘diodo emisor de luz’). Tecnología LED/OLED En corriente continua (CC), todos los diodos emiten cierta cantidad de radiación cuando los pares electrón-hueco se recombinan; es decir, cuando los electrones caen desde la banda de conducción (de mayor energía) a la banda de valencia (de menor energía), emitiendo fotones en el proceso. Indudablemente, por ende, su color, dependerá de la altura de la banda prohibida (diferencias de energía entre las bandas de conducción y valencia), es decir, de los materiales empleados. Los diodos convencionales, de silicio o germanio, emiten radiación infrarroja muy alejada del espectro visible. Sin embargo, con materiales especiales pueden conseguirse longitudes de onda visibles. Los ledes e IRED, además tienen geometrías especiales para evitar que la radiación emitida sea reabsorbida por el material circundante del propio diodo, lo que sucede en los convencionales.

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DIODO TUNEL 1N3712 – 1N3721El diodo túnel es un semiconductor verdaderamente único, con una serie de características interesantes y un pasado histórico inusual. Desarrollado por Leo Esaki a Sony en 1957, y hecho público en 1958, el túnel (o Esaki) diodo fue el primer dispositivo que demuestra la validez de la física cuántica. Muy alta velocidad de conmutación (túnel cuántico) y el atributo de desempeño conocida como resistencia negativa parecían colocar el diodo túnel como el sucesor del transistor para muchas aplicaciones. Aunque varias empresas invirtieron fuertemente en el desarrollo de diodo túnel, esta tecnología única ha encontrado sólo aplicaciones de nicho y, desde mediados de la década de 1960 se ha visto en gran medida como una curiosidad tecnológica. 

Diseño de circuitos con el diodo túnel es muy difícil, debido a su característica inusual conocido como resistencia negativa, que se encuentra en sólo unos pocos otros dispositivos oscuros (puntos de contacto y transistores Unijunction, por ejemplo). Su GE 1N3712 / TD-1 es un dispositivo de propósito general, muy adecuado para la experimentación como un amplificador de potencia muy baja o oscilador. Se le intrigado con este dispositivo de germanio 45 años de edad, que funciona mediante el mecanismo de túnel cuántico de los electrones.

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FOTODIODO SFH206KCaracterísticas

• Especialmente adecuado para aplicaciones de400 nm a 1100 nm• Corto tiempo de conmutación (típ. 20 ns)• 5 mm de paquetes de plástico LED• También disponible en la cinta.

Aplicaciones

• Flashes controlados por ordenador• Fotointerruptores• Electrónica industrial• Para los circuitos de control y accionamiento

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Diodo High-Power Blue laser