El transistor es un dispositivo electrónico semiconductor electrónico utilizado para producir una señal de salida en respuesta a otra señal de entrada. .Cumple funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectificador. El término «transistor» es la contracción en Ingles de transfer resistor ( resistencia de transferencia»). Actualmente se encuentran prácticamente en todos los aparatos electrónicos de uso diario: radios, televisores , reproductores de audio y video , relojes de cuarzo, computadoras , lámparas fluorescentes , tomógrafos , teléfonos móviles celulares etc,etc

El transistor bipolar fue inventado en los laboratorios Bell de EE.UU, en diciembre de 1947 por John Bardeen,Walter Houser Brattain y William Bradford Shockley, quienes fueron galardonados con el Premio Nobel de Física en 1956. Fue el sustituto de la válvula termoiónica de tres electrodos, o tríodo.

con los transistores?Debemos primero definir y conocer la construcción y estructura física de un transistor para saber bien lo que vamos a medir. Como todos saben o han escuchado o leído, los transistores “bipolares” se concentran en dos grandes grupos: los N-P-N y los P-N-P, siendo su simbología también muy conocida y vista en cada lugar que se hable de circuitos electrónicos.

Tipos de transistores según fabricación

Existen millares de tipos de transistor, pertenecientes a numerosas familias de construcción y uso. Las grandes clases de transistores, basadas en los procesos de fabricación son:•Transistores de punta de contacto: El transistor original fue de esta clase y consistía en electrodos de emisor y colector que tocaban un pequeño bloque de germanio llamado base.El material de la base podía ser de tipo N y del tipo P y era un cuadrado de 0.05 pulgada de lado aproximadamente. A causa de la dificultad de controlar las características de este frágil dispositivo, ahora se le considera obsoleto.

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Transistor de unión bipolarEl transistor de unión bipolar, o BJT por sus siglas en inglés, se fabrica básicamente sobre un mono cristal de Germanio, Silicio o Arsenio de galio, que tienen cualidades de semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante. Sobre el sustrato de cristal, se contaminan en forma muy controlada tres zonas, dos de las cuales son del mismo tipo, NPN o PNP, quedando formadas dos uniones N-P.La zona N con elementos donantes de electrones (cargas negativas) y la zona P de aceptadores o «huecos» (cargas positivas). Normalmente se utilizan como elementos aceptadores P al Indio (In), Aluminio (Al) o Galio (Ga) y donantes N al Arsenio (As) o Fosforo (P).

El transistor de efecto de campo de unión (JFET), fue el primer transistor de efecto de campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más básica. Si se difunden dos regiones P en una barra de material N y sera de material N y se conectan externamente entre sí, se producirá una puerta. A uno de estos contactos le llamaremos surtidor y al otro drenador. Aplicando tensión positiva entre el drenador y el surtidor y conectando la puerta al surtidor, estableceremos una corriente, a la que llamaremos corriente de drenador con polarización cero. Con un potencial negativo de puerta al que llamamos tensión de estrangulamiento, cesa la conducción en el canal.

Transistor de Efecto de Campo

El transistor de efecto de campo o , FET por sus siglas en inglés, que controla la corriente en función de una tensión; tienen alta impedancia de entrada.•Transistor de efecto de campo de unión, JFET, construido mediante una unión PN.•Transistor de efecto de campo de compuerta aislada, IGFET, en el que la compuerta se aísla del canal mediante un dieléctrico

Fototransistor

Los fototransistores son sensibles a la radiación electromagnética en frecuencias cercanas a la de la luz visible; debido a esto su flujo de corriente puede ser regulado por medio de la luz incidente. Un fototransistor es, en esencia, lo mismo que un transistor normal, sólo que puede trabajar de 2 maneras diferentes:

•Como un transistor normal con la corriente de base (IB) (modo común);•Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de corriente de base. (IP) (modo de iluminación).

Es un transistor utilizado para amplificar o conmutar señales electrónicas. Es el transistor más utilizado en la industria microelectrónica, ya sea en circuitos analógicos o digitales, aunque el transistor de unión bipolar fue mucho más popular en otro tiempo. Prácticamente la totalidad de los microprocesadores comerciales están basados en transistores MOSFET.

El transistor de efecto de campo metal-óxido-semiconductor o MOSFET (en inglés Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor)

El transistor de potencia

El funcionamiento y utilización de los transistores de potencia es idéntico al de los transistores normales, teniendo como características especiales las altas tensiones e intensidades que tienen que soportar y, por tanto, las altas potencias a disipar.

Existen tres tipos de transistores de potencia: bipolar. unipolar o FET (Transistor de Efecto de Campo). IGBT. IGBT.

Parámetros MOS Bipolar

Impedancia de entrada Alta (1010 ohmios) Media (104 ohmios)

Ganancia en corriente Alta (107) Media (10-100)

Resistencia ON (saturación)

Media / alta Baja

Resistencia OFF (corte) Alta Alta

Voltaje aplicable Alto (1000 V) Alto (1200 V)

Máxima temperatura de operación

Alta (200ºC) Media (150ºC)

Frecuencia de trabajo Alta (100-500 Khz) Baja (10-80 Khz)

Coste Alto Medio

TRANSISTOR DE UNIÓN BIPOLAR

El transistor de unión bipolar se fabrica básicamente sobre un monocristal de Germanio, Silicio o Arseniuro de Galio, los cuales tienen semiconductores, estado intermedio entre conductores como los metales y los aislantes como el diamante.

TRANSISTOR DE UNIÓN UNIPOLAR O DE EFECTO DE CAMPO

El transistor de unión unipolar, o también llamado JFET, fue el primer transistor de efecto en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio de tipo N o P.