AUTOR: Walter Siguas M.

Fototransistor:

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los

infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en ella. Esta

carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El fototransistor es más

sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia propio del transistor.

Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el primero

puede trabajar de 2 formas:

Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las veces de

corriente de base. Ip (modo de iluminación).

Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el fototransistor se

utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

Transistor uniunión: El transistor uniunión .-es un tipo de tiristor que contiene dos zonas

semiconductoras.

Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base dos (B2). Está

formado por una barra semiconductora tipo N, entre los terminales B1-B2, en la que

se difunde una región tipo P+, el emisor, en algún punto a lo largo de la barra, lo que

determina el valor del parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de

resistencias o factor intrínseco.

Transistor IGBT El transistor bipolar de puerta aislada es un

dispositivo semiconductor que generalmente se

aplica como interruptor controlado en circuitos de

electrónica de potencia.

Este dispositivo posee la características de las

señales de puerta de los transistores efecto campo

con la capacidad de alta corriente y voltaje de baja

saturación del transistor bipolar, combinando una

puerta aislada FET para la entrada de control y un

transistor bipolar como interruptor en un solo

dispositivo. El circuito de excitación del IGBT es

como el del MOSFET, mientras que las

características de conducción son como las del

BJT.

Transistores de Efecto de Campo:

JFET:

También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de

campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de silicio

de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto

óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma más

básica.

MESFET:

Transistores de efecto de campo metal semiconductor.

MOSFET:

Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos

componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una dopada

para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio, actuando como una

puerta, un electrodo de metal.