TRANSISTORES

AUTOR: Walter Siguas M.

Fototransistor:

Se llama fototransistor a un transistor sensible a la luz, normalmente a los

infrarrojos. La luz incide sobre la región de base, generando portadores en

ella. Esta carga de base lleva el transistor al estado de conducción. El

fototransistor es más sensible que el fotodiodo por el efecto de ganancia

propio del transistor.

Un fototransistor es igual a un transistor común, con la diferencia que el

primero puede trabajar de 2 formas:

Como transistor normal con la corriente de base Ib (modo común).

Como fototransistor, cuando la luz que incide en este elemento hace las

veces de corriente de base. Ip (modo de iluminación).

Puede utilizarse de las dos en formas simultáneamente, aunque el

fototransistor se utiliza principalmente con el pin de la base sin conectar.

FOTOTRANSITOR

Transistor uniunión: El transistor uniunión .-es un tipo de tiristor que contiene dos zonas

semiconductoras.

Tiene tres terminales denominados emisor (E), base uno (B1) y base

dos (B2). Está formado por una barra semiconductora tipo N, entre los

terminales B1-B2, en la que se difunde una región tipo P+, el emisor,

en algún punto a lo largo de la barra, lo que determina el valor del

parámetro η, standoff ratio, conocido como razón de resistencias o

factor intrínseco.

Transistor IGBT El transistor bipolar de puerta aislada es

un dispositivo semiconductor que

generalmente se aplica como interruptor

controlado en circuitos de electrónica de

potencia.

Este dispositivo posee la características de

las señales de puerta de los transistores

efecto campo con la capacidad de alta

corriente y voltaje de baja saturación del

transistor bipolar, combinando una puerta

aislada FET para la entrada de control y un

transistor bipolar como interruptor en un solo

dispositivo. El circuito de excitación del IGBT

es como el del MOSFET, mientras que las

características de conducción son como las

del BJT.

Transistores de Efecto de Campo:

JFET:

También llamado transistor unipolar, fué el primer transistor de efecto de

campo en la práctica. Lo forma una barra de material semiconductor de

silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se establece un contacto

óhmico, tenemos así un transistor de efecto de campo tipo N de la forma

más básica.

MESFET:

Transistores de efecto de campo metal semiconductor.

MOSFET:

Transistores de efecto de campo de metal-oxido semiconductor. En estos

componentes, cada transistor es formado por dos islas de silicio, una

dopada para ser positiva, y la otra para ser negativa, y en el medio,

actuando como una puerta, un electrodo de metal.

CARACTERISTICAS