PRESENTADO POR:

LIZBETH BEATRIZ ESPIRITU MAURICIO.

CARRERA: ING.SISTEMAS E INFORMATICA.

CICLO : IV.

AÑO : 2014

Altecsa - Alternativa Electrotécnica Sac.

EPLI S.A.C - Líder en Electrónica de Potencia.

Centralion - Uninterruptible Power Supply.

MTC Radio & Tv.

Tai Loy S.A..

RTA Eventos - Producción de Eventos.

TRANSISTOR:

Es un pequeñodispositivosemiconductor quecierra o abre uncircuito o amplificauna señal; se empleaen circuitosintegrados paragenerar bits (ceros yunos).

TRANSISTORES DE PUNTA DE CONTACTO:El transistor original fue de esta clasey consistía en electrodos de emisor ycolector que tocaban un pequeño bloquede germanio llamado base. El materialde la base podía ser de tipo N y del tipoP y era un cuadrado de 0.05 pulgada delado aproximadamente. A causa de ladificultad de controlar lascaracterísticas de este frágildispositivo, ahora se le consideraobsoleto.

TRANSISTORES DE UNION POR CRECIMIENTO:

Los cristales de esta clase se obtienen por un proceso de"crecimiento" partiendo de germanio y de silicio fundidos demanera que presenten uniones muy poco separadas embebidasen la pastilla. El material de impureza se cambia durante elcrecimiento del cristal para producir lingotes PNP o NPN, queluego son cortados para obtener pastillas individuales. Lostransistores de unión se pueden subdividir en tipos de unión decrecimiento, unión de alineación y de campo interno. Eltransistor del último tipo es un dispositivo de unión dealineación en que la concentración de impurezas que estácontenida dentro de una cierta región de la base a fin demejorar el comportamiento en alta frecuencia del transistor.

TRANSISTOR DE UNION DIFUSA:Esta clase de semiconductor se puedeutilizar en un margen más amplio defrecuencias y el proceso de fabricaciónha facilitado el uso de silicio en vez degermanio, lo cual favorece la capacidadde potencia de la unidad. Lostransistores de unión difusa se puedensubdividir en tipos de difusión única(hometaxial), doble difusión, dobledifusión planar y triple difusión planar.

TRANSISTORES EPITAXIALES:Estos transistores de unión se obtienenpor el proceso de crecimiento en unapastilla de semiconductor y procesosfotolitográficos que se utilizan paradefinir las regiones de emisor y de basedurante el crecimiento. Las unidades sepueden subdividir en transistores debase epitaxial, capa epitaxial ysobrecapa (overlay).

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO:El transistor de efecto de campo de unión (JFET), o

transistor unipolar, fue descubierto en 1928, pero hasta1958 no se construyó el primer transistor práctico deefecto de campo. Se puede considerar a este dispositivocomo si fuese una barra, o canal, de materialsemiconductor de silicio de cualquiera de los tipos N o P.En cada extremo de la barra se establece un contactoóhmico, que representa un transistor de efecto de campotipo N en su forma más sencilla. Si se difunden dosregiones P en una barra de material N (desde los extremosopuestos del canal N) y se conectan externamente entresí, se produce una puerta o graduador. Un contacto sellama surtidor y el otro drenador.

Podemos clasificar los transistores de efecto campo según el método de aislamiento entre el canal y la puerta:•El MOSFET (Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor) usa un aislante (normalmente SiO2).•El JFET (Junction Field-Effect Transistor) usa una unión p-n•El MESFET (Metal-Semiconductor Field Effect Transistor) substituye la unión PN del JFET con una barrera Schottky.•En el HEMT (High Electron Mobility Transistor), también denominado HFET (heterostructureFET), la banda de material dopada con "huecos" forma el aislante entre la puerta y el cuerpo del transistor.•Los MODFET (Modulation-Doped Field Effect Transistor)•Los IGBT (Insulated-gate bipolar transistor) es un dispositivo para control de potencia. Son comúnmente usados cuando el rango de voltaje drenaje-fuente está entre los 200 a 3000V. Aun así los Power MOSFETtodavía son los dispositivos más utilizados en el rango de tensiones drenaje-fuente de 1 a 200V.•Los FREDFET es un FET especializado diseñado para otorgar una recuperación ultra rápida del transistor.por eso tenemos lareferencia•Los DNAFET es un tipo especializado de FET que actúa como biosensor, usando una puerta fabricada de moléculas de ADN de una cadena para detectar cadenas de ADN iguales.

BIBLIOGRAFIA:

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor_de_efecto_ca

mpo

http://es.wikipedia.org/wiki/Transistor

http://rabfis15.uco.es/transistoresweb/Tutorial_Gene

ral/tiposTransistoresFabricacion.html

http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSIST

OR-FET.php