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ESCUELA POLITCNICA DEL EJRCITO
EXTENSIN LATACUNGA
ELECTRNICA I
Integrantes: Lissette Paredes
Mauricio Rosero
Alex Tipantua
Carrera: Electrnica e Instrumentacin - Tercer nivel
Tema:
TRANSISTORES INTEL ENTRAN EN LA TERCERA DIMENSIN
Objetivo:
Estudiar las innovaciones que se vienen dando en los transistores tales como su tamao
y calidad, para obtener una visin ms amplia en lo que se refiere a este dispositivo
Transistores Intel entran en la tercera dimensin
Por Rachel Courtland
Publicado el 4 de Mayo del 2011
De lo que recuerdo de Cario, encog a los nios, ser alcanzado por el rayo de Wayne
Szalinski no era motivo de celebracin. Pero el Intel Senior Fellow Mark Bohr, quien
se somete a un proceso de miniaturizacin virtual que lo deja a 100nm de alto, parece
positivamente jubiloso en este nuevo video de la compaa.
Bohr est celebrando el nuevo, ms pequeo, y, por primera vez transistor tri-
dimensional de Intel. Apodado Tri-Gate (tres-puertas), el dispositivo cuenta con un
diseo innovador muy anticipado - mltiples puertas que se colocan alrededor de un
canal de silicio elevado.
Los transistores van a aparecer en el nuevo microprocesador de Intel "Ivy Bridge", que
se realizar mediante un proceso de fabricacin de 22 nm y comenzar a comercializar a
finales de este ao. El procesador de Intel es el primero en dar el salto de 32 nm a 22
nm, continuando las dcadas de carrera para seguir aumentando el nmero de
transistores que pueden ser empacados en el mismo espacio.
El cambio a 3D aborda algunos de los problemas fundamentales que han estado
plagando a los transistores como su caracterstica de tamao que se ha reducido. Los
transistores han sido durante mucho tiempo asuntos de dos dimensiones, con una fuente
y un drenaje separados por un canal a lo largo del cual fluyen de electrones. Los nicos
componentes que se colocan por encima del plano son la puerta, que enciende y apaga
el flujo de electrones, y una capa aislante delgada intercalada entre la puerta y el canal.
Pero a medida que los ingenieros han creado transistores cada vez ms pequeos, la
distancia de la fuente al drenaje se ha hecho tan corto que los electrones pueden filtrarse
a travs de la parte inferior del canal, donde la influencia de la puerta es ms dbil,
desperdiciando poder. Para resolver el problema de la fuga, los diseadores de
transistores han estado mirando diseos en tres dimensiones en el que los electrones no
tienen un lugar a donde ir que no est controlado por la puerta.
La solucin de Intel es un diseo FinFET que emplea un canal de silicio similar a una
cresta que sobresale del sustrato de silicio. La puerta del transistor corre perpendicular
al canal y cortinas sobre l, creando tres puertas alrededor del canal.
Intel presenta sus nuevos transistores de 22 nm en 3D son 37 por ciento ms rpido en
baja tensin en comparacin con actuales transistores planos de 32 nm de Intel, por lo
que son mejores para smartphones y otros dispositivos porttiles. Consumen menos de
la mitad del poder como los chips de 32 nm de la empresa.
A pesar de eso, el New York Times dice, algunos piensan que Intel est haciendo una
apuesta, porque los enfoques alternativos pueden ofrecer mejores beneficios en la parte
delantera del motor:
Se ha especulado que la industria de la tecnologa FinFET dar a Intel una
ventaja de velocidad claro, pero posiblemente menos control sobre el consumo de
energa que los mtodos alternativos ... El alcance de la apuesta de Intel es subrayado
por el hecho de que mientras que la empresa domina en los mercados de las bases de
datos de computadoras, equipos de sobremesa y porttiles, en gran medida han sido
excluidos de los mercados de tabletas y telfonos inteligentes que estn creciendo
mucho ms rpido que la industria del PC tradicional.
Intel dio un paso tentativo en el mercado de la energa baja el mes pasado, con la
introduccin de su primer procesador para computadoras tablet.
Conclusin:
Es indiscutible el avance en cuanto a la dimensin y calidad de los transistores y
dispositivos electrnicos en general, este hecho se lo puede evidenciar en el tamao de
computadoras y dispositivos mviles que se va reduciendo cada vez ms y al mismo
tiempo aumenta su capacidad y fiabilidad.
Con esta reduccin en el tamao de los transistores es posible empacar un nmero
mayor de estos en un espacio menor. Adems consumen menos energa.
Fuente:
http://spectrum.ieee.org/tech-talk/semiconductors/design/intels-new-transistors-enter-
the-third-dimension
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