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DESARROLLO UNIDAD 1 1. a). CUADRO COMPARATIVO SEMEJANZAS Y DIFERENCIAS CARACTERÍSTICAS CI 74HC02 CI 74LS04 CI 74HC132 Semejanz a diferenci as Semejanza Diferenc ias capacidad de transmisión de salida Cargas 10 LSTTL - - Cargas 10 LSTTL - Interfaz de salidas directas a CMOS, NMOS Y TTL TTL No tiene salidas CMOS y NMOS CMOS, NMOS Y TTL - Rango operacional de voltaje 2.0V a 6.0 V - 0.75V a 5.25V 2.0V a 6.0 V - Entrada de corriente baja 1.0 µA - no tiene entrada de corriente baja, se alimenta con 5V 1.0 µA - Rendimiento ESD HBM > 2000V; modelo de maquina > 200V - - HBM > 2000V; modelo de maquina > 200V - Escala de integración MSI o LSI - SSI MSI o LSI - Alta inmunidad de ruido característico de los dispositivos CMOS si - no si - Rango operacional de temperatura -55 ˚C mínimo a 125 ˚C - -65 ˚C mínimo a 150 ˚C -55 ˚C mínimo a 125 ˚C -

Desarrollo Unidad 1

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solución unidad 1 identificación CI y compuertas lógicas

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Page 1: Desarrollo Unidad 1

DESARROLLO UNIDAD 11. a).

CUADRO COMPARATIVOSEMEJANZAS Y DIFERENCIAS

CARACTERÍSTICAS CI 74HC02 CI 74LS04 CI 74HC132Semejanza diferencias Semejanza Diferencias

capacidad de transmisión de salida

Cargas 10 LSTTL

- - Cargas 10 LSTTL

-

Interfaz de salidas directas a CMOS, NMOS Y TTL

TTL No tiene

salidas CMOS y NMOS

CMOS, NMOS Y TTL

-

Rango operacional de voltaje 2.0V a 6.0 V - 0.75V a 5.25V 2.0V a 6.0 V -

Entrada de corriente baja 1.0 µA

- no tiene entrada de corriente baja, se

alimenta con 5V

1.0 µA -

Rendimiento ESDHBM > 2000V;

modelo de maquina >

200V- -

HBM > 2000V; modelo de maquina >

200V-

Escala de integración MSI o LSI - SSI MSI o LSI -

Alta inmunidad de ruido característico de los dispositivos CMOS

si - no si-

Rango operacional de temperatura

-55 ˚C mínimo a 125 ˚C máximo

--65 ˚C mínimo

a 150 ˚C máximo

-55 ˚C mínimo a 125 ˚C máximo

-

Complejidad del chip 40 FETs o

equivalente a 10 puertas

-6 compuertas

inversoras NOT

-72 FETs o

equivalente a 18 puertas

Funciones de entrada A B

-A A B

-LLHH

LHLH

LH

LLHH

LHLH

Page 2: Desarrollo Unidad 1

funciones de saliday

-

y

-

yHLLL

HL

HHHL

tipo de puertas lógicas NOR - NOT - NAND

B). CI 74HC02: Pertenece a la familia MOS por tener tecnología CMOS y tener en sus salidas compatibilidad con interfaz NMOS, CMOS, aunque también es compatible con la tecnología TTL o LSTTL. CI 74HC132: Hace parte también de la familia MOS al tener las mismas características tecnológicas del CI 74HC02. CI 74LS04: hace parte de la tecnología Bipolar TTL Low Schottky (LS) ósea TTLLS.

C. CI 74HC02: este circuito tiene una escala de integración media (MSI), por tener una capacidad de 10 a 100 puertas, aunque este CI contiene dentro de sí, la mínima, que es de 10 pertas lógicas NOR según sus características en la hoja de datos (DATASHEET).

CI 74HC132: al igual que el anterior, este CI tiene una escala de integración media (MSI) por tener un rango de 18 pertas lógicas NAND.

CI 74LS04: este CI pertenece a una escala de integración pequeña (SSI), por contener solo 6 puertas lógicas NOT.

2. Familia TTL: (Transistor Transitor Logig), su tensión de alimentación característica

se halla comprendida entre los 4.74V y los 5.25V.

Como su rango de alimentación es estrecho, los niveles lógicos vienen definidos por el rango de tensión comprendida entre 0.2V y 0.8V para el estado L (Low, bajo, 0) y los 2.4V y Vcc para el estado H (Higth, alto, 1).

La velocidad e transmisión entre los estados lógicos es bueno, en el caso de la TTLS (Long Scale) es de 250Mhz.

Debido a su buena capacidad de transmisión se sacrifica en el gasto energético sacrificando el Fan Out.

Tratando de mejorar sus condiciones en carga y velocidad han aparecido diferentes versiones de TTL como FAST, SL, S, etc. Y últimamente los TTL, HC, HCT y HCTLS.

Tiene gran velocidad de transmisión.

Page 3: Desarrollo Unidad 1

Debido a su alto consumo su cargabilidad en Fan Out es de 10 elementos o compuertas.

Familia CMOS: (Metal Oxid Silicon Complementary), en la tecnología TTL la disipación de potencia en función de la frecuencia es constante, en cambio en la tecnología CMOS depende de la frecuencia.

esta tecnología puede trabajar en un rango de voltaje entre 3V y 15V, se recomienda no exceder los 12V dándole un tiempo de vida mayor y evitando su prematuro deterioro, debido al amplio abanico de voltajes, los niveles lógicos vienen definidos a su vez por el rango de tensión comprendida aproximadamente entre los 0V y 1/3 de Vcc para el nivel de estado bajo (L) y los 2/3 de Vcc y Vcc para el nivel alto (H).

El caso de tecnología CMOS, dispone de un rango de tensión para su alimentación más amplio que la familia TTL (la cual se encuentra entre 4.75V y 5. 25V), con la ventaja añadida que, su consumo es alrededor de 10 veces menor que el obtenido por la familia TTL, la capacidad de carga en la salida de una puerta CMOS es de unas 400 frente a las 10 que admite la TTL. El rechazo o inmunidad al ruido es el factor que le hace ser más utilizada esta familia en la industria. Todas esta ventajas, frente a una menor velocidad de transmisión en cuyo caso la CMOS se ve comprometida, podemos decir que es muy lenta, en casos extremos puede alcanzar los 50Mhz. frente a los 250Mhz. de la serie TTLS (Long Scale) estándar.

La velocidad es un factor fundamental en la actualidad, es por esto que la tecnología viene buscando una nueva familia lógica capaz de satisfacer las dos características más importantes; el consumo y la velocidad.

En conclusión, si se busca velocidad, la tecnología TTL es la adecuada y si se busca capacidad la CMOS es la indicada.

3.

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