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ESCUELA POLITÉCNICA NACIONAL DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIÓN Y CONTROL INDUSTRIAL MSc. Leonardo Ortega Dispositivos Electrónicos de Potencia Quito, Abril de 2015

Modulo 1 Introducción

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  • ESCUELA POLITCNICA NACIONAL

    DEPARTAMENTO DE AUTOMATIZACIN Y CONTROL INDUSTRIAL

    MSc. Leonardo Ortega

    Dispositivos Electrnicos de Potencia

    Quito, Abril de 2015

  • Escuela Politcnica NacionalDispositivos Electrnicos de Potencia

    MSc. Leonardo Ortega

    PLANIFICACIN

    Objetivo: Estudiar sistemas estticos de conversin de Energa de aplicacin Industrial.

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    CAPTULOS

    Captulo 1: Proteccin de semiconductores de potencia

    1.1. Protecciones contra sobretemperatura, sobrecorriente, sobrevoltaje

    1.2. Redes supresoras (Snubber)

    1.3. Interferencia ElectromagnticasCaptulo 2. Modelado de Convertidores de Potencia

    Captulo 2: Reguladores de Corriente Alterna

    2.1. Introduccin a las Tcnicas de Control

    2.2. Control de fase y control por ciclo integral, anlisis de ondas

    2.3. Conversores AC-AC trifsicos, anlisis de ondas

    Captulo 3: Conversores AC-DC

    3.1: Conversores AC-DC monofsicos, anlisis de ondas

    3.2: Conversores AC-DC trifsicos de 3 pulsos, anlisis de ondas

    3.3: Conversores AC-DC trifsicos de 6 pulsos, anlisis de ondas

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    PLANIFICACIN

    Objetivo: Estudiar sistemas estticos de conversin de Energa de aplicacin Industrial.

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    CAPTULOSCaptulo 4: Modelo real del conversores AC/DC y su operacin

    4.1 Retardo en la conmutacin

    4.2 Modelo no ideal de un conversor AC/DC

    4.3 Efectos de la operacin del conversor AC/DC en la redCaptulo 2: Reguladores de Corriente Alterna

    Captulo 5: Conversores DC/DC

    5.1 Estudio y anlisis de las topologas bsicas (reductor, elevador,

    elevador/reductor)

    5.2 Componentes magnticos usados en conversores DC/DC

    5.3 Conversores DC/DC aislados (Forward y Flyback)

    Captulo 6: Conversores DC/AC

    6.1 Estudio y anlisis de las topologas bsicas(toma central en la fuente, push-pull,puente)

    6.2 Tcnicas de control y reduccin de armnicos en conversores DC/AC

    6.3 Conversores AC/DC resonantes.

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    BIBLIOGRAFA

    1. N. Mohan, " Power Electronics, converter, applications and design, 3th ed.,USA, Mc. Graw Hill, 2009.

    2. M. Rashid,"Power Electronics Hadbook," 3thed., USA, Academic Press, 2011

    3. Andrs Barrado, Antonio Lzaro. Problemas de Electrnica de Potencia. Pearson Educacin, Prentice Hall, . 2007

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    EVALUACIN Deberes y Laboratorio 2

    Evaluacin 1 2

    Evaluacin 2 2

    Proyecto 4

    Total 10 puntos

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    INTRODUCCIN

    4

    La electrnica de Potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de Estado Solido para el control y conversin de la Energa Elctrica

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    INTRODUCCION

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    Principios para la construccin de un convertidor esttico:

    La electrnica de Potencia se puede definir como la aplicacin de la electrnica de Estado Solido para el control y conversin de la Energa Elctrica

    El dispositivo debe ser eficiente:

    =

    > 95%

    El elemento de control debe operar como un interruptor es decir en corte y saturacin

    Idealmente Elemento Real

    Elemento Abierto 0 = 0 0 =

    Elemento cerrado 0 = 0 I 0 =

    Potencia Cero Perdidas

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    Clases de Convertidores de Potencia

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    Etapas de Un convertidor de Potencia

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    FUENTEFILTRO DE ENTRADA

    CONVERTIDOR ESTTICO

    FILTRO DE SALIDA

    CARGA

    Proteccin de la Red Armnicos

    Proteccin del Convertidor

    De Corriente Continua

    De Corriente Alterna :MonofsicoTrifsica

    Control

    Tecnicas de Control Basadas en sistemasMicroprocesados

    Proteccin de la carga

    Reduccin del rizadoEn convertidor cuya Salida es DC

    Motores DC, AC

    Cualquier carga electrnica

    TODO CONVERTIDOR DE POTENCIA ES UN GENERADOR DE ARMNICOS !!

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    Dispositivos semiconductores

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    Dispositivos semiconductores

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    El DIODO

    Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario

    al de conduccin.

    El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodo de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequea tensin.

    En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea Intensidad de fuga.

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    Dispositivos semiconductores

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    El DIODO

    Son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la corriente en sentido contrario

    al de conduccin.

    El nico procedimiento de control es invertir el voltaje entre nodo y ctodo. Los diodo de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de soportar una alta intensidad y una pequea tensin.

    En sentido inverso, deben de ser capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea Intensidad de fuga.

    TIPO Especificacin de

    Voltaje/corriente

    Alta Frecuencia

    (Hz)

    Tiempos de

    conmutacin

    (S)

    Resistencia en

    estado activo

    ()

    Uso general 5000 V / 5000 A 1K 100 0.16 m

    Alta

    velocidad

    3000 V / 1000 A 10K 2-5 1 m

    Schouky 40 V / 60 A 20K 0.23 10 m

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    Curva de Funcionamiento

    P

    N

    +

    -

    i

    V

    0

    1

    VD

    i [mA]

    V [V]

    (exponencial)

    A (nodo)

    K (ctodo)

    -40

    0

    -2

    i [A]

    V [Volt.]

    V

    rd

    real (asinttico)

    ideal

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    Concepto de diodo ideal

    En polarizacin inversa, la corriente conducidaes nula, sea cual sea el valor de la tensininversa aplicada

    En polarizacin directa, la cada detensin es nula, sea cual sea el valor dela corriente directa conducida

    nodo

    Ctodo

    i

    V

    i

    V

    +

    -

    curva caracterstica

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    Caractersticas fundamentales

    Tensin de ruptura

    Cada de tensin en conduccin

    Corriente mxima

    Velocidad de conmutacin

    Tensin de ruptura

    Baja tensin Media tensin Alta tensin

    15 V

    30 V

    45 V

    55 V

    60 V

    80 V

    100 V

    150 V

    200 V

    400 V

    500 V

    600 V

    800 V

    1000 V

    1200 V

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    a b

    V1V2

    Ri

    V+

    -

    Transicin de a a b

    i

    V

    t

    t

    trr

    V1/R

    -V2/R

    tstf (i= -0,1V2/R)

    -V2

    ts = tiempo de almacenamiento (storagetime )

    tf = tiempo de cada (fall time )

    trr = tiempo de recuperacin inversa (reverse recovery time )

    Caractersticas dinmicas

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    Tipos de diodos

    Se clasifican en funcin de la rapidez (trr)

    Standard

    Fast

    Ultra Fast

    Schottky

    VRRM trrIF

    100 V - 600 V

    100 V - 1000 V

    200 V - 800 V

    15 V - 150 V

    > 1 s

    100 ns 500 ns

    20 ns 100 ns

    < 2 ns 1 A 150 A

    1 A 50 A

    1 A 50 A

    1 A 50 A

    Las caractersticas se pueden encontrar en Internet (pdf)

    Direcciones web

    www.irf.com

    www.onsemi.com

    www.st.com

    www.infineon.com 15