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NIVEL 2: PROYECTOSISTEMAS ELECTRNICOS.
Grupo 2: Diego jara Josefa Bonilla Karla Altamirano
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PENDIENTES: CIRCUITO DE RELOJCON OSCILADOR DE CRISTAL
DECUARZO
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PENDIENTES: TIPOS DE MEMORIA YNOMENCLATURAS
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PENDIENTES: TIPOS DE MEMORIA YNOMENCLATURAS
Nomenclaturas de memorias microcontrolador:
SRAM: Static Random Acces Memory.
DRAM: Dinamic Random Access Memory.
ROM: Read Only Memory.
EEPROM: Electrically Erasable Programmable Read-Only Memory.
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OBJETIVOS PROYECTO:
Nivel 1: Puesta en marcha microprocesador,generacin seal PWM
Nivel 2: Diseo convertidor, simulaciones yarmado del
circuito
Nivel 3: Rectificador puente MOSFET con
microprocesador
Nivel 4: Estudio terico control de motor DC
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NIVEL 2: DISEO DE CONVERTIDOR
Esquema final a implementar: Control de motor DC
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NIVEL 2: AVANCE PROYECTO (CARTAGANTT)
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NIVEL 2: ANLISIS CONVERTIDORBOOST
Caractersticas:Circuito conmutado elevador de voltaje
(boost).Dos interruptores semiconductores (diodo e IGBT).Dos
componentes almacenadores de energa(Inductor y capacitor).
Circuito de dos estados: IGBT On e IGBT Off.
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NIVEL 2: ANLISIS CONVERTIDORBOOST
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NIVEL 2: ANLISIS CONVERTIDORBOOST CON EL INTERRUPTOR CERRADO
Realizando la LVK en el lazo de la fuente deentrada y bobina se
obtiene la ecuacin:
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Circuito
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