UNIVERSIDAD DE EL SALVADOR

FACULTAD DE INGENIERIA Y ARQUITECTURA

ESCUELA DE INGENIERIA ELECTRICA

PROGRAMA DE ASIGNATURA

ELECTRONICA I

I GENERALIDADES

Código : ELC 115

Prerrequisito : Análisis Eléctrico I

Número de horas / ciclo : 96

Número horas teóricas semanales : 4

Número horas de laboratorio semanales: 2

Duración del ciclo : 16 semanas

Duración hora clase : 50 minutos

Unidades valorativas : 4

Ciclo : II/2015

Docentes : Ing. José Ramos López

II DESCRIPCION DE LA ASIGNATURA

Este es un curso básico de dispositivos electrónicos para estudiantes de ingeniería

eléctrica. La metodología del curso establece un fundamento sólido del

funcionamiento físico, análisis y diseño de circuitos y sistemas electrónicos.

Esta asignatura está pensada como la primera parte del estudio de la electrónica y se

concentra en los principales dispositivos semiconductores diodo de unión, transistor

de efecto de campo (MOSFET) y Transistor de unión bipolar (BJT). Esta parte del

estudio de la electrònica está pensada para estudiantes que no tienen ningún

conocimiento previo de electrónica. La base de matemáticas y física obtenida en los

primeros dos años del programa de ingeniería eléctrica son el único requisito real

para estudiar electrónica. Sin embargo la mayoría de estudiantes ha tomado cursos de

análisis de circuitos antes de estudiar electrónica.

III OBJETIVOS GENERALES

1. Conocer y comprender la operación física, análisis y diseño de circuitos y

sistemas electrónicos

IV METODOLOGIA DE LA ENSEÑANZA

Dos lecturas semanales con una duración de 1 hora 40 minutos por lectura. Más una

sesión experimental bisemanal

- Clases expositivas y demostraciones: (70 %)

- Laboratorios, y Tareas (30 %)

V CONTENIDO.

UNIDAD CONTENIDO DURACION

H.

CLASE

H.

LABORA-

TORIO

I- DIODO DE UNION

P-N

II- TRANSISTOR DE

EFECTO DE CAMPO

1.0 Semiconductores intrínsecos

y extrínsecos

1.1 Variaciones en las

propiedades del silicio

1.2 Difusión

1.3 3.1 La unión en circuito

abierto

1.4 3.2 La unión polarizada

1.5 La característica voltaje-

corriente del diodo de unión

1.6 Dependencia de la

temperatura

1.7 Diodos de germanio

1.8 Diodos como elementos

circuitales

1.9 Modelos y aplicaciones

1.10 Diodos Zener

2.2 Transistor de Efecto de

Campo

2.3 Características Voltaje

corriente

2.4 FET de enriquecimiento

(enhancement)

2.5 Características V-I del

enhancement FET

2.6 FET de agotamiento

(Depletion)

2.7 Características V-I del

depletion FET

20

20

4

4

III-TRANSISTORES

DE UNION BIPOLAR

IV-

AMPLIFICADORES

DE UNA ETAPA

2.8 Análisis DC

2.9 FET´s como interruptores

2.10 FET´s como

amplificadores

2.11 Modelo en pequeñas

señales

2.12 Dispositivos CMOS

3.1 El BJT

3.2 Representación Ebbers Moll

3.3 Características Base-Común

3.4 Configuración emisor común

3.5 Modos de corte y saturación

3.6 Modelos en DC

3.7 El BJT como interruptor

3.8 El BJT como amplificador

3.9 Modelo para pequeñas señales

del BJT

3.10 BJT como diodo

3.11 Par con acoplamiento de

emisor

4.1 Amplificadores MOSFET

4.2 Amplificadores BJT

20

20

4

4

VI EVALUACIONES

Las evaluaciones y ponderaciones de los contenidos del curso se distribuirán de la

siguiente forma:

* Primera evaluación parcial : Unidad 1-2-4 30%

* Segunda evaluación parcial : Unidad 2-3-4 40%

*

* Laboratorios y Tareas 30%

Totales 100%

VII BIBLIOGRAFIA

1 Sedra y Smith. Circuitos Microelectrónicas, Quinta Edición. Mc-Graw-Hill,

2ª edición en español, 2006

2 Neamen. Dispositivos y Circuitos Electrónicos. McGraw-Hill Interamericana

2012.

3 Hambley. Electrónica, 2ª edición. Prentice Hall, 2001.

4 Horowitz. The Art of Electronics, 2nd Edition. Cambridge, 1990