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Ingeniería de Sistemas Informática ALUMNO: Guillermo Pardavé Montalvan CURSO: Física Electrónica PROFESOR: Condori Zamora Kelly SEMICONDUCTORES

Trabajos semiconductores intrínsecos y dopados

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Page 1: Trabajos semiconductores intrínsecos y dopados

Ingeniería de Sistemas Informática

ALUMNO: Guillermo Pardavé Montalvan

CURSO: Física Electrónica

PROFESOR: Condori Zamora Kelly

SEMICONDUCTORES

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Semiconductor es un elemento que se comporta como un conductor o como un aislante dependiendo de diversos factores, como por ejemplo el campo eléctrico o magnético, la presión, la radiación que le incide, o la temperatura del ambiente en el que se encuentre. Los elementos químicos semiconductores de la tabla periódica se indican en la siguiente tabla:

CONCEPTO:

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Se dice que un semiconductor es “intrínseco” cuando se encuentra en estado puro, o sea, que no contiene ninguna impureza, ni átomos de otro tipo dentro de su estructura. En ese caso, la cantidad de huecos que dejan los electrones en la banda de valencia al atravesar la banda prohibida será igual a la cantidad de electrones libres que se encuentran presentes en la banda de conducción.

1. Semiconductor intrínseco

TIPOS:

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Como se puede observar en la ilustración anterior, en el caso de los semiconductores el espacio correspondiente a la banda prohibida es mucho más estrecho en comparación con los materiales aislantes. La energía de salto de banda (Eg) requerida por los electrones para saltar de la banda de valencia a la de conducción es de 1 eV aproximadamente. En los semiconductores de silicio (Si), la energía de salto de banda requerida por los electrones es de 1,21 eV, mientras que en los de germanio (Ge) es de 0,785 eV.

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Cuando se conecta un generador a un semiconductor intrínseco, los electrones libres se mueven hacia el polo positivo del generador y los electrones del polo negativo del generador, saltan a los huecos del semiconductor y se mueven también hacia el polo positivo saltando de hueco en hueco. Esto último equivale a decir que los huecos se mueven hacia el polo negativo del generador.

Se dice pues que la corriente que circula por un semiconductor posee dos contribuciones: una debida a movimiento de electrones (con carga negativa) hacia el polo positivo y otra debida a movimiento de huecos (con carga positiva) hacia el polo negativo. La carga positiva del hueco es en realidad la carga positiva del núcleo del átomo del cual ha saltado el electrón debido a la energía térmica.

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Otro tipo de semiconductores que se obtienen artificialmente añadiendo impurezas a lossemiconductores intrínsecos. Estos nuevos semiconductores se denominan dopados. Existen dos clase de semiconductores dopados: semiconductores N y semiconductores P.

Un semiconductor N se obtiene añadiendo un pequeño número de átomos pentavalentes (con cinco electrones en su última capa) a un semiconductor intrínseco.

2. Semiconductor dopado Estos átomos pueden ser de P, As

o Sb. De los cinco electrones, cuatro realizan enlaces covalentes con los átomos del semiconductor intrínseco y el otro será libre. A temperatura ambiente los electrones libres de un semiconductor N provienen de los electrones sobrantes de las impurezas y de los electrones térmicos (o liberados por energía térmica).

La corriente eléctrica en el semiconductor N es también debida a electrones y huecos. Los electrones son portadores mayoritarios y los huecos son portadores minoritarios.

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Un semiconductor tipo P es el resultado de añadir un pequeño número de átomos trivalentes (con tres electrones en la última capa) a un semiconductor intrínseco. Estos tres electrones formaran enlaces covalentes con los átomos del semiconductor intrínseco. Queda por lo tanto un electrón del semiconductor intrínseco sin emparejar para formar el enlace covalente. Esto es, habrá un hueco donde cabría un electrón. Los átomos que se añaden pueden ser de Al, B o Bi.

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El número de huecos será por lo tanto mayor en un semiconductor dopado P que en el correspondientes semiconductor intrínseco. Al conectar un generador externo, los huecos se moverán hacia el polo negativo del generador y los electrones libres hacia el polo positivo.

Los huecos serán los portadores mayoritarios y los electrones térmicos los portadores minoritarios.

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REFERENCIAS:

http://es.wikipedia.org/wiki/Semiconductor

http://www.uv.es/~navasqui/Tecnologia/Tema3.pdf

http://www.asifunciona.com/fisica/ke_semiconductor/ke_semiconductor_4.htm

http://www.ifent.org/lecciones/semiconductor/dopado.asp