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QUE ES UN DIDO GUNN,PARA QUE SIRVE UN DIODO GUNN ,DONDE APLICO UN DIODO GUNN COMO FUNCIONA DIDO GUNN, OBJETIVOSGENERAL, ESPECIFICOS,, CONCLUSIONES, CURVA CARACTERISTICASDEL DIODO GUNNSee more
FACULTAD:
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INFORMÁTICA &ELECTR
ÓNICA
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ESCUELA: ING.ELECTR ÓNICA
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CARR ERA: ING. EN
TELEC
OMUNI
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CACION
ES YREDES
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INTEGARNTES:
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EDWIN
JAMI 185EDYYGUSQUI
211EDU
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ARDO
TENEZACA 183
MATERIA:
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TEORÍA
ELECTR OMAGNÉTICA
II
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LEER LA VERSIÓN COMPLETA
1. TEMA:
EL DIODO GUNN2.
OBJETIVOS OBJETIVOSGENERAL
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Obtener los conoci
mientos sobre las características del di
odo Gunn. OBJETIVOS
ESPECIFICOS Conocer las distint
as aplicaciones del
diodo Gunn
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Ampliar
conocimientossobre el tema
específico sobreosciladores
en línea coaxial
y enguía de ondas
3.INTRODUC
CIÓN.
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La generación de
frecuencias para elrango
de microondasse puede realizar de
variasmaneras,
siendo las más
comunes el uso del
Klystron,Magnetrón, sobre
todo enaplicaciones
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de grandes
potencias, paraotros fines lo más
común es el usodedispositivos
de estadosólido
como
los transistoresde
efecto de campo deAsGay diodosGunn
, sobre todo por su
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tamaño pequeño y
bajo consumo. Enel
presente trabajo, seexplicara acerca de
los principiosy el
funcionamiento
deloscilador Gunn,
el mismo que se basa en el diodo
Gunn, y por ende
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en el efecto que
llevael mismonombre. Los
mismos que seutilizan para
aplicaciones
de semiconductores
serevisara
conceptos básicosreferentes al diodo
Gunn, así como a
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algunas de
suscaracterísticas, para desarrollar el
tema relacionado alefecto Gunn, que es
la base deloscilador
Gunn se verá
algunas de las
configuracionestípicas para la
obtención de
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unoscilador Gunn
dentro de cavidadesresonantes
osciladores Gunnen línea coaxial y
enguía de ondas.
4. MARCO T
EORICO QUE ES UNDIODO
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Un diodo es una
sustancia cuyaconductividad es
menor que la de unconductor y
mayorque la de un
aislante.
QUE ES UN
DIODO GUNN Los diodos Gunn
son unos
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dispositivos
electrónicos queemiten radiaciónele
ctromagnéticaen elrango de
las microondas. Es
una clase particular
de diodo,
que, junto con el diodo de efecto túnel,
permite disponer s
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olamente de una zo
na N en elmaterialEs una forma de
diodo usado en laelectrónica de alta
frecuencia. A
diferencia de
losdiodos
ordinarios Losdiodos Gunn son
usados para
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construir
osciladores en elrango
defrecuenciascomprendido entre
los 10 Gigahertzy
frecuencias aún
más
altas(hastaTerahertz). Este diodo
se usa
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en combinación co
n circuitosresonantes construidoscon
guías de ondas,cavidades coaxiales
y resonadores y la
sintonización es
realizadamediante
ajustes mecánico,eléctricos.Los
diodos Gunn suelen
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fabricarse
de arseniuro degalio para
osciladores dehasta 200GHz,
mientras que los de
Nitruro de Galio
pueden alcanzar los
3 Terahertz.Losque están
disponibles hoy en
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día emiten
radiación de unafrecuencia de entre
10 y100 GHz máso menos 1 GHz se
lee un gigahercioy
es una unidad que
significa que
laradiación tieneuna frecuencia de
1.000.000.000 Hz,
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que son
1.000.000.000 dehercios
o1.000.000.000 deoscilaciones por
segundo.
APLICACIONES
Mediciones de dist
ancia,
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Detección de movimientos (que no
sean muy rápidos),
Radares de velocid
ad,
Detectores para au
tomatismos de aper
tura/cierre de puert
as,
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Engeneral relacionada
s con detecciónde objetos y su
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DESCARGA
Sirve para
medir la
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efecto Gunn, una
propiedaddedeterminados
semiconductores J.B. Gunn se dio
cuenta de que al
aplicar una
diferenciade
potencial constanteen otras palabras,
una tensión o un
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voltaje constantes
entre losextremosde un trocito de un
semiconductorcomo el fosfuro de
indio(InP) o
el arseniurode
galio(GaAs),
dopados tipo n, lacorriente que
circulaba por el
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material dejaba de
sercontinua yoscilaba a gran
velocidad. Paso 1(a)
Esquema deldiodo.
(b) Relación entre la
velocidad de los
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electrones y el
campo eléctrico. Aun campoeléctrico
aplicado E lecorresponde una
velocidad de
electrones
determinada, va.
(c) Dependencia de la
densidad de
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electrones y el
campo eléctricorespecto de la
posicióndentro dela pieza de
GaAs. Aplicando el
diferencial de
voltaje en los
extremos tenemos (a)
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Para unos
determinadosvalores del campo
eléctrico dentro yfuera del dominio,
todoslos electrones
viajan a la misma
velocidad.
(b) El dominio de
carga espacial de
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Gunn ya no crece
más y sigue suviaje hacia
elelectrodo positivo.
(c) El campo eléctrico
fuera del dominio
no essuficientemente
grande como para
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que seformen más
dominiosadicionales.
FUNCIONAMIENTO EN
RESISTENCIAPOSITIVA
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DESCARGA
El Arseniuro de
Galio (GaAs) esuno de los pocos
materiales
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semiconductores
que en unamuestracon dopado tipo N,
tiene una banda deenergía vacía más
alta que la
máselevada de las
que se encuentran
ocupadas parcial ototalmente.Cuando
se aplica una
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tensión a una placa
(tipo N) deArseniuro de Galio
(GaAs),loselectrones, que
el material tiene en
exceso, circulan y
producen corriente.
Si se aumentalatensión, la corriente
aumenta.
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FUNCIONAMIENTO ENRESISTENCIA
NEGATIVA Si se le sigue
aumentando latensión, se les
comunica a los
electronesuna mayorenergía,
pero en lugar de
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moverse más
rápido, loselectrones saltan a
una bandadeenergía más
elevada, que
normalmente está
vacía, disminuyen
su velocidad y, porende,la corriente.
Así, una elevación
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de la tensión en
este elemento causauna disminución
delacorriente.Finalment
e, la tensión en la
placa se hace
suficiente para
extraer electronesde la bandade
mayor energía y
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menor movilidad,
por lo que lacorriente
aumentará denuevo con
latensión. La
característica
tensión contra
corriente se parecemucho a la
del Diodo
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Túnel. Sin
embargo, una delas dificultades de
utilizardirectamente el
compuesto como
unaresistencia
negativa en AC es
la aparición deinestabilidades
internas.
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Fluctuacionesespon
taneas de ladensidad
electrónicacausadas por ruido
o por un efecto en
el dopadopueden
dar lugar a
acumulacionesespaciales de carga
(dominios).En un
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dispositivo de
longitud finita, eldominio se forma
cerca del cátodo porque estaregión
presenta una mayor
no uniformidad
debido al dañado
que se produce enel cristal alformarse
los contactos. El
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dominio se
desplaza por elcristal con una
velocidad delordende 105 m/s
hasta q alcanza al
ánodo, donde
colapsa y el
potencial seredistribuye en
elcampo fuera del
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dominio. La
corriente tambiénaumenta con este
campo hastaquealcanza un
valor máximo,
donde de nuevo se
cae hasta q se
forma el dominiosiguiente.Como
resultado, la
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corriente a través
del dispositivo esuna serie de pulsos
superpuestossobreun nivel constante,
como se muestra en
la Figura.
Forma de onda
para la corrientetípica de tiempo
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de transito de undispositivo Gunn La frecuencia del
oscilador esta estádeterminada por el
tiempo de transitodel dominio.Sin
embargo se puede
forzar, medianteresonadores, que
los modos colapsen
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andealcanzar el
ánodo, lo cual permite modificar
el tiempo detransito, de este
modo se
puedesintonizar la
frecuencia de
operación. Por lo general
existen 3 diseños
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diferentes deosciladores:
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