DDR SDRAM

Módulo de memoria DDR.

DDR (Double Data Rate) significa doble tasa de transferencia de datos en español. Son módulos de memoria RAM compuestos por memorias sincrónicas (SDRAM), disponibles en encapsulado DIMM, que permite la transferencia de datos por dos canales distintos simultáneamente en un mismo ciclo de reloj. Los módulos DDR soportan una capacidad máxima de 1 GiB (1 073 741 824 bytes).

Fueron primero adoptadas en sistemas equipados con procesadores AMD Athlon. Intel con su Pentium 4 en un principio utilizó únicamente memorias RAMBUS, más costosas. Ante el avance en ventas y buen rendimiento de los sistemas AMD basados en DDR SDRAM, Intel se vio obligado a cambiar su estrategia y utilizar memoria DDR, lo que le permitió competir en precio. Son compatibles con los procesadores de Intel Pentium 4 que disponen de un Front Side Bus (FSB) de 64 bits de datos y frecuencias de reloj internas que van desde los 200 a los 400 MHz.

Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

Se utiliza la nomenclatura PCxxxxx, dónde se indica el ancho de banda del módulo y pueden transferir un volumen de información de 8 bytes en cada ciclo de reloj a las frecuencias descritas. Un ejemplo de cálculo para PC1600:

100 MHz x 2 Datos por Ciclo x 8 B = 1600 MB/s = 1 600 000 000 bytes/s

Muchas placas base permiten utilizar estas memorias en dos modos de trabajo distintos:

Single Memory Channel: Todos los módulos de memoria intercambian información con el bus a través de un sólo canal, para ello sólo es necesario introducir todos los módulos DIMM en el mismo banco de slots.

Dual Memory Channel: Se reparten los módulos de memoria entre los dos bancos de slots diferenciados en la placa base, y pueden intercambiar datos con el bus a través de dos canales simultáneos, uno para cada banco.

Contenido

 [ocultar]  1 Especificaciones estándar

o 1.1 Chips y Módulos

2 Véase también

3 Referencias

[editar] Especificaciones estándar

[editar] Chips y Módulos

Nombre estándar

Velocidad del reloj

Tiempo entre señales

Velocidad del reloj de E/S

Datos transferidos por segundo

Nombre del módulo

Máxima capacidad de transferencia

DDR-200 (2001)

100 MHz 10 ns 100 MHz 200 millones PC1600 1600 MB/s

DDR-266 (2002)

133 MHz 7,5 ns 133 MHz 266 millones PC2100 2133 MB/s

DDR-300 (2003)

150 MHz 7-ns 150 MHz 300 millones PC2400 2400 MB/s

DDR-333 (2004)

166 MHz 6 ns 166 MHz337,5 millones

PC2700 2667 MB/s

DDR-366(2004)

183 MHz 5,5 ns 183 MHz 366 millones PC3000 2933 MB/s

DDR-400 (2004)

200 MHz 5 ns 200 MHz 400 millones PC3200 3200 MB/s

DDR-433 (2004)

216 MHz 4,6 ns 216 MHz 433 Millones PC3500 3500 MB/s

DDR-466 (2004)

233 MHz 4,2 ns 233 MHz 466 millones PC3700 3700 MB/s

DDR-500 (2004)

250 MHz 4 ns 250 MHz 500 millones PC4000 4000 MB/s

DDR-533 (2004)

266 MHz 3,7 ns 266 MHz 533 millones PC4300 4264 MB/s

No hay diferencia arquitectónica entre los DDR SDRAM diseñados para diversas frecuencias de reloj, por ejemplo, el PC-1600 (diseñado para correr a 100 MHz) y el PC-2100 (diseñado para correr a 133 MHz). El número simplemente señala la velocidad en la cual el chip está garantizado para funcionar. Por lo tanto el DDR SDRAM puede funcionar a velocidades de reloj más bajas para las que fue diseñado (underclock) o para velocidades de reloj más altas para las que fue diseñado (overclock).

Los DIMMs DDR SDRAM tienen 184 pines (en comparación con los 168 pines en el SDRAM, o los 240 pines en el DDR2 SDRAM), y pueden ser diferenciados de los DIMMs SDRAM por el número de muescas (el DDR SDRAM tiene una, y el SDRAM tiene dos). El DDR SDRAM funciona con un voltaje de 2,5 V, comparado a 3,3 V para el SDRAM. Esto puede reducir perceptiblemente el uso de energía. Nota: algunos DIMMs tiene un voltaje nominal de 2,6 o 2,7 V.1

Muchos chips nuevos usan estos tipos de memoria en configuraciones Dual Channel, lo que dobla o cuadruplica el ancho de banda efectivo.

DDR2DDR2 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la DRAM.

Un módulo DDR2 de 1 GB con disipador

Los módulos DDR2 son capaces de trabajar con 4 bits por ciclo, es decir 2 de ida y 2 de vuelta en un mismo ciclo mejorando sustancialmente el ancho de banda potencial bajo la misma frecuencia de una DDR SDRAM tradicional (si una DDR a 200 MHz reales entregaba 400 MHz nominales, la DDR2 por esos mismos 200 MHz reales entrega 800 MHz nominales). Este sistema funciona debido a que dentro de las memorias hay un pequeño buffer que es el que guarda la información para luego transmitirla fuera del módulo de memoria, este buffer en el caso de la DDR convencional trabajaba tomando los 2 bits para transmitirlos en 1 sólo ciclo, lo que aumenta la frecuencia final. En las DDR2, el buffer almacena 4 bits para luego enviarlos, lo que a su vez redobla la frecuencia nominal sin necesidad de aumentar la frecuencia real de los módulos de memoria.

Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

Las memorias DDR2 tienen mayores latencias que las conseguidas con las DDR convencionales, cosa que perjudicaba su rendimiento. Reducir la latencia en las DDR2 no es fácil. El mismo hecho de que el buffer de la memoria DDR2 pueda almacenar 4 bits para luego enviarlos es el causante de la mayor latencia, debido a que se necesita mayor tiempo de "escucha" por parte del buffer y mayor tiempo de trabajo por parte de los módulos de memoria, para recopilar esos 4 bits antes de poder enviar la información.

Contenido

 [ocultar]  1 Características 2 Estándares

o 2.1 Módulos

3 La variante GDDR2

4 Integración

5 Véase también

[editar] Características

Las memorias DDR2 son una mejora de las memorias DDR (Double Data Rate), que permiten que los búferes de entrada/salida trabajen al doble de la frecuencia del núcleo, permitiendo que durante cada ciclo de reloj se realicen cuatro transferencias.

Operan tanto en el flanco alto del reloj como en el bajo, en los puntos de 0 voltios y 1,8 voltios, lo que reduce el consumo de energía en aproximadamente el 50 por ciento del consumo de las DDR, que trabajaban a 0 voltios y a 2,5.

Terminación de señal de memoria dentro del chip de la memoria ("Terminación integrada" u ODT) para evitar errores de transmisión de señal reflejada.

[editar] Estándares

[editar] Módulos

Para usar en PC, las DDR2 SDRAM son suministradas en tarjetas de memoria DIMM con 240 pines y una localización con una sola ranura. Las tarjetas DIMM son identificadas por su máxima capacidad de transferencia, llamado ancho de banda.

Nombre estándar

Velocidad del reloj

Tiempo entre señales

Velocidad del reloj de E/S

Datos transferidos por segundo

Nombre del módulo

Máxima capacidad de transferencia

DDR2-400

100 MHz 10 ns 200 MHz 400 millonesPC2-3200

3200 MB/s

DDR2-533

133 MHz 7,5 ns 266 MHz 533 millonesPC2-4200

4264 MB/s

DDR2-600

150 MHz 6,7 ns 300 MHz 600 millonesPC2-4800

4800 MB/s

DDR2-667

166 MHz 6 ns 333 MHz 667 MillonesPC2-5300

5336 MB/s

DDR2-800

200 MHz 5 ns 400 MHz 800 MillonesPC2-6400

6400 MB/s

DDR2-1000

250 MHz 3,75 ns 500 MHz1000 Millones

PC2-8000

8000 MB/s

DDR2-1066

266 MHz 3,75 ns 533 MHz1066 Millones

PC2-8500

8530 MB/s

DDR2-1150

286 MHz 3,5 ns 575 MHz1150 Millones

PC2-9200

9200 MB/s

DDR2-1200

300 MHz 3,3 ns 600 MHz1200 Millones

PC2-9600

9600 MB/s

Nota: DDR2-xxx indica la velocidad de reloj efectiva, mientras que PC2-xxxx indica el ancho de banda teórico (aunque suele estar redondeado). El ancho de banda se calcula multiplicando la velocidad de reloj efectiva por ocho, ya que la DDR2 (como la DDR) es una memoria de 64 bits, hay 8 bits en un byte, y 64 es 8 por 8 y por último por 2 (doble tasa de transferencia), esto se empezó a usar para mostrar la velocidad de transferencia frente a las memorias "Rambus" que eran mas rápidas en sus ciclos de reloj operación, pero solo eran de 16 bits

1 Algunos fabricantes etiquetan sus memorias DDR2-667 como PC2-5400 en vez de PC2-5300. Al menos un fabricante ha reportado que esto refleja pruebas satisfactorias a una velocidad más rápida que la normal.

[editar] La variante GDDR2

Artículo principal: GDDR2

El primer producto comercial en afirmar que usaba tecnología GDDR2 fue la tarjeta gráfica nVIDIA GeForce FX 5800. Sin embargo, es importante aclarar que la memoria "DDR2" usada en las tarjetas gráficas (llamada oficialmente GDDR2) no es DDR2, sino un punto intermedio entre las DDR y DDR2. De hecho, no incluye el (importantísimo) doble ratio del reloj de entrada/salida, y tiene serios problemas de sobrecalentamiento debido a los voltajes nominales de la DDR. ATI Technologies (ahora AMD) posteriormente ha desarrollado aún más el formato GDDR, hasta el GDDR3, que es más parecido a las especificaciones de la DDR2, aunque con varios añadidos específicos para tarjetas gráficas.

Tras la introducción de la GDDR2 con la serie FX 5800, las series 5900 y 5950 volvieron a usar DDR, pero la 5700 Ultra usaba GDDR2 con una velocidad de 450 MHz (en comparación con los 400 MHz de la 5800 o los 500 MHz de la 5800 Ultra).

La Radeon 9800 Pro de ATI con 256 MiB de memoria (no la versión de 128 MiB) usaba también GDDR2, porque esta memoria necesita menos pines que la DDR. La memoria de la Radeon 9800 Pro de 256 MiB sólo va 20 MHz más rápida que la versión de 128 MiB, principalmente para contrarrestar el impacto de rendimiento causado por su mayor latencia y su mayor número de chips. La siguiente tarjeta, la Radeon 9800 XT, volvió a usar DDR, y posteriormente ATI comenzó a utilizar GDDR3 en su línea de tarjetas Radeon X800 hasta la mayoría de la serie Radeon HD 4000.

Actualmente, las tarjetas de nueva generación usan el formato GDDR5; por parte de ATi, las tarjetas de alto rendimiento, algunas serie HD4000(solo la hd4870, hd4890 y la hd4770), las gamas medio-altas de las series HD5000 y HD6000, utilizan GDDR5. Por parte de Nvidia, las tarjeta gráficas de gama alta de las series 400 y 500

[editar] Integración

DDR2 se introdujo a dos velocidades iniciales: 200 MHz (llamada PC2-3200) y 266 MHz (PC2-4200). Ambas tienen un menor rendimiento que sus equivalentes en DDR, ya que su mayor latencia hace que los tiempos totales de acceso sean hasta dos veces mayores. Sin embargo, la DDR no ha sido oficialmente introducida a velocidades por encima de los 266 MHz. Existen DDR-533 e incluso DDR-600, pero la JEDEC ha afirmado que no se estandarizarán. Estos módulos son, principalmente, optimizaciones de los fabricantes, que utilizan mucha más energía que los módulos con un reloj más lento, y que no ofrecen un mayor rendimiento.

Actualmente, Intel soporta DDR2 en sus chipsets 9xx. AMD incluye soporte DDR2 en procesadores de la plataforma AM2 introducidos en el 2006.

Los DIMM DDR2 tienen 240 pines, mientras que los de DDR tienen 184 y los de SDR 168.

DDR3

En este artículo se detectó el siguiente problema: Carece de fuentes o referencias que aparezcan en una fuente acreditada.

Por favor, edítalo para mejorarlo, o debate en la discusión acerca de estos problemas.Estas deficiencias fueron encontradas el 3 de noviembre de 2010.

Comparación gráfica entre memorias DDR, DDR2 y DDR3

DDR3 es un tipo de memoria RAM. Forma parte de la familia SDRAM de tecnologías de memoria de acceso aleatorio, que es una de las muchas implementaciones de la SDRAM.

El principal beneficio de instalar DDR3 es la habilidad de poder hacer transferencias de datos más rápido,y con esto nos permite obtener velocidades de transferencia y velocidades de bus más altas que las versiones DDR2 anteriores. Sin embargo, no hay una reducción en la latencia, la cual es proporcionalmente más alta. Además la DDR3 permite usar integrados de 512 MB a 8 GB, siendo posible fabricar módulos de hasta 16 GiB. También proporciona significativas mejoras en el rendimiento en niveles de bajo voltaje, lo que lleva consigo una disminución del gasto global de consumo.

Se prevé que la tecnología DDR3 puede ser dos veces más rápida que la DDR2 y el alto ancho de banda que promete ofrecer DDR3 es la mejor opción para la combinación de un sistema con procesadores dual-core, quad-core y hexaCore (2, 4 y 6 núcleos por microprocesador). Las tensiones más bajas del DDR3 (1,5 V frente 1,8 V de DDR2) ofrecen una solución térmica y energética más eficientes.

Contenido

 [ocultar]  1 Historia 2 Estándares

3 GDDR3

4 Véase también

[editar] Historia

En febrero de 2009, Samsung Electronics anunció un chip prototipo de 512 MiB a 1.066 MHz (la misma velocidad de bus frontal del Pentium 4 Extreme Edition más rápido) con una reducción de consumo de energía de un 40% comparado con los actuales módulos comerciales DDR2, debido a la tecnología de 80 nanómetros usada en el diseño del DDR3 que permite más bajas corrientes de operación y tensiones (1,5 V, comparado con los 1,8 del DDR2 ó los 2,5 del DDR). Dispositivos pequeños, ahorradores de energía, como computadoras portátiles quizás se puedan beneficiar de la tecnología DDR3.

Teóricamente, estos módulos pueden transferir datos a una tasa de reloj efectiva de 800-2600 MHz, comparado con el rango actual del DDR2 de 400-1200 MHz ó 200-533 MHz del DDR. Existen módulos de memoria DDR y DDR2 de mayor frecuencia pero no estandarizados por JEDEC.

Si bien las latencias típicas DDR2 fueron 5-5-5-15 para el estándar JEDEC, para dispositivos DDR3 son 7-7-7-20 para DDR3-1066 y 7-7-7-24 para DDR3-1333.

Los DIMMs DDR3 tienen 240 contactos, el mismo número que DDR2; sin embargo, los DIMMs son físicamente incompatibles, debido a una ubicación diferente de la muesca.

[editar] Estándares

Estos son los estándares de memoria DDR3 actualmente en el mercado:

Nombre estándar

Velocidad del reloj

Tiempo entre señales

Velocidad del reloj de E/S

Datos transferidos por segundo

Nombre del módulo

Máxima capacidad de transferencia

DDR3-1066

133 MHz 7,5 ns 533 MHz1066 Millones

PC3-8500

8530 MB/s

DDR3-1200

150 MHz 6,7 ns 600 MHz1200 Millones

PC3-9600

9600 MB/s

DDR3-1333

166 MHz 6 ns 667 MHz1333 Millones

PC3-10700

10664 MB/s

DDR3-1375

170 MHz 5,9 ns 688 MHz1375 Millones

PC3-11000

11000 MB/s

DDR3-1466

183 MHz 5,5 ns 733 MHz1466 Millones

PC3-11700

11700 MB/s

DDR3-1600

200 MHz 5 ns 800 MHz1600 Millones

PC3-12800

12800 MB/s

DDR3-1866

233 MHz 4,3 ns 933 MHz1866 Millones

PC3-14900

14930 MB/s

DDR3-2000

250 MHz 4 ns 1000 MHz2000 Millones

PC3-16000

16000 MB/s

[editar] GDDR3

La memoria GDDR3, con un nombre similar pero con una tecnología completamente distinta, ha sido usada durante varios años en tarjetas gráficas de gama alta como las series GeForce 6x00 ó ATI Radeon X800 Pro, y es la utilizada como memoria principal de la Xbox 360. A veces es incorrectamente citada como "DDR3".

SIPP

SIPP es el acrónimo inglés de Single In-line Pin Package (Paquete de Pines en Línea Simple) y consiste en un circuito impreso (también llamado módulo) en el que se montan varios chips de memoria RAM, con una disposición de pines correlativa (de ahí su nombre). Tiene un total de 30 pines a lo largo del borde del circuito, que encajan con las ranuras o bancos de conexión de memoria de la placa base del ordenador, y proporciona 8 bits por módulo. Se usó en sistemas 80286 y fueron reemplazadas por las SIMM, más fáciles de instalar y que proporcionan 8 o 32 bits por módulo (según si son de 30 o de 72 contactos).

RIMM

Módulo de memoria Rambus.

RIMM, acrónimo de Rambus Inline Memory Module(Módulo de Memoria en Línea Rambus), designa a los módulos de memoria RAM que utilizan una tecnología denominada RDRAM, desarrollada por Rambus Inc. a mediados de los años 1990 con el fin de introducir un módulo de memoria con niveles de rendimiento muy superiores a los módulos de memoria SDRAM de 100 MHz y 133 MHz disponibles en aquellos años.

Los módulos RIMM RDRAM cuentan con 184 pines y debido a sus altas frecuencias de trabajo requieren de difusores de calor consistentes en una placa metálica que recubre los chips del módulo. Se basan en un bus de datos de 16 bits y están disponibles en velocidades de 300MHz (PC-600), 356 Mhz (PC-700), 400 MHz (PC-800) y 533 Mhz (PC-1066) que por su pobre bus de 16 bits tenía un rendimiento 4 veces menor que la DDR. La RIMM de 533MHz tiene un rendimiento similar al de un módulo DDR133, a pesar de que sus latencias son 10 veces peores que la DDR.

Inicialmente los módulos RIMM fueron introducidos para su uso en servidores basados en Intel Pentium 4. Rambus no manufactura módulos RIMM si no que tiene un sistema de licencias para que estos sean manufacturados por terceros siendo Samsung el principal fabricante de éstos.

A pesar de tener la tecnología RDRAM niveles de rendimiento muy superiores a la tecnología SDRAM y las primeras generaciones de DDR RAM, debido al alto costo de esta tecnología no tuvo gran aceptación en el mercado de PC. Su momento álgido tuvo lugar durante el periodo de introducción del Pentium 4 para el cual se diseñaron las primeras placas base, pero Intel ante la necesidad de lanzar equipos más económicos decidió lanzar placas base con soporte para SDRAM y más adelante para DDR RAM desplazando esta última tecnología a los módulos RIMM del mercado que ya no ofrecían ninguna ventaja.

SIMM

SIMM de 30 pines y 72 pines (tercera y cuarta desde arriba).

30, VRAM de 68, y 72 contactos.

SIMM (siglas de Single In-line Memory Module), es un formato para módulos de memoria RAM que consisten en placas de circuito impreso sobre las que se montan los integrados de memoria DRAM. Estos módulos se inserta en zócalos sobre la placa base. Los contactos en ambas caras están interconectados, esta es la mayor diferencia respecto de sus sucesores los DIMMs. Fueron muy populares desde principios de los 80 hasta finales de los 90, el formato fue estandarizado por JEDEC bajo el número JESD-21C.

Contenido

 [ocultar]  1 Historia 2 Patillajes

o 2.1 SIMM de 30 contactos

o 2.2 SIMM de 72 contactos

3 Enlaces externos

[editar] Historia

En los tiempos de la Computadora doméstica y del computador personal, los circuitos integrados de memoria (por lo general DIP de 14 o 16 pines) se soldaban o se insertaban en zócalos sobre la tarjeta madre como cualquier otro componente de la misma. Esto suponía el uso de un área muy grande ya que los integrados iban colocados uno al lado del otro, además que en el caso de un fallo, la reparación era difícil o imposible condenando toda la placa. La actualización de memoria no se contemplaba en equipos individuales, dado que el mercado de memoria no era tan común. Con el desarrollo de nuevas tarjetas madre se hicieron claras esas desventajas y en un principio se plantearon formatos SIPP (no estándar en computadores 80286) que fueron las primeras presentaciones modulares de memoria RAM y el antecedente directo de las SIMM.

Skip Coppola propuso durante su estancia en IBM usar un SIPP de 3,5 pulgadas sin los pines que tan fácilmente se quebraban. IBM los adopta como estándar en su gama IBM Personal System/2, y se extienden a todos los compatibles con CPU Intel 80286 e Intel 80386. Es también adoptado por Apple para sus Mac (el Macintosh IIfx usa unos

SIMMs no estándar de 64 pines, y la VRAM de los Macintosh LC de 68), y más tardíamente por Atari (en los Atari STe y Atari MEGA STe, aunque de los primeros existen unos pocos con SIPPs en lugar de SIMMs) y Commodore para los Amiga (los fabricantes de ampliaciones lo hicieron mucho antes). Se construyen de 8 chips + uno de paridad (9 bits) o sin paridad (8 bits, con el ahorro de un chip, pero menor fiabilidad), mayoritariamente de doble cara, y con capacidades de 256 kB, 1 MB, 4 MB, 16 MB. En algunos sistemas debían usarse a pares ya que cada banco de memoria estaba integrado por dos módulos.

Su gran ventaja es que elimina casi la mitad de la placa madre, convierte los conectores en independientes del formato de chip de memoria utilizado, y aporta más seguridad a la hora del mantenimiento y las ampliaciones. Vienen además nominados en Bytes en lugar de en bits como los chips de memoria. Las primeras placas requieren insertarlos a presión, pero al poco se generaliza el formato actual de inserción por giro.

La aparición del Intel 80486 trae también el paso al nuevo formato de 108 mm (4,25 pulgadas) y 72 pines. Esto era debido a que en un 386/486 era necesario instalar 4 SIMMs de 30 pines para completar una bancada de memoria. Dicha bancada podía sustituirse por un sólo DIMM de 72 pines (dos en los equipos Pentium) lo que permitió conservar el factor de forma Baby AT en las placas madre pese a cuadruplicarse la capacidad de memoria. Se fabrican con memoria EDO/FPM/ECC y capacidades de 1 MB, 2 MB, 4 MB, 8 MB, 16 MB, 32 MB, 64 MB, 128 MB (estos últimos sólo usados en servidores).

El factor de forma de memoria RAM utilizado en PC es una presentación de los módulos de memoria que fue utilizado en los sistemas cuyos buses de datos eran de 32 bits o menos. A partir del uso de buses de 64 bits han sido reemplazados por los DIMM, que son el nuevo factor de forma estándar para los módulos de memoria usados en ordenadores personales, en los que la capacidad de almacenamiento ya se mide en gigabytes.

Un PC usa tanto memoria de nueve bits (ocho bits para datos y un bit para chequeo, o control, de paridadad, en 9 chips de memoria RAM dinámica) como memoria de ocho bits sin paridad.

[editar] Patillajes

[editar] SIMM de 30 contactos

SIMM de 30 pinesPin Nombre Descripción1 VCC +5 VDC2 /CAS Column Address Strobe3 DQ0 Data 04 A0 Address 05 A1 Address 16 DQ1 Data 17 A2 Address 2

8 A3 Address 39 GND Ground10 DQ2 Data 211 A4 Address 412 A5 Address 513 DQ3 Data 314 A6 Address 615 A7 Address 716 DQ4 Data 417 A8 Address 818 A9 Address 919 A10 Address 1020 DQ5 Data 521 /WE Write Enable22 GND Ground23 DQ6 Data 624 A11 Address 1125 DQ7 Data 726 QP Data Parity Out27 /RAS Row Address Strobe28 /CASP Column Address Strobe Parity29 DP Data Parity In30 VCC +5 VDC

QP y DP no está conectados en los modelos sin paridad A9 no está conectado en los de 256 kB.

A10 no está conectado en los de 256 kB y 1 MB.

A11 no está conectado en los de 256 kB, 1 MB y 4 MB.

[editar] SIMM de 72 contactos

72-pin ECC SIMM Memory ModulePin # Non-Parity Parity Signal Description1 VSS VSS Ground2 DQ0 DQ0 Data 03 DQ1 DQ1 Data 14 DQ2 DQ2 Data 25 DQ3 DQ3 Data 36 DQ4 DQ4 Data 47 DQ5 DQ5 Data 58 DQ6 DQ6 Data 69 DQ7 DQ7 Data 710 VCC VCC +5 VDC11 PD1 PD1 Presence Detect 112 A0 A0 Address 013 A1 A1 Address 1

14 A2 A2 Address 215 A3 A3 Address 316 A4 A4 Address 417 A5 A5 Address 518 A6 A6 Address 619 A10 A10 Address 1020 n/c PQ8 Data 8 (Parity 1)21 DQ9 DQ9 Data 922 DQ10 DQ10 Data 1023 DQ11 DQ11 Data 1124 DQ12 DQ12 Data 1225 DQ13 DQ13 Data 1326 DQ14 DQ14 Data 1427 DQ15 DQ15 Data 1528 A7 A7 Address 729 A11 A11 Address 1130 VCC VCC +5 VDC31 A8 A8 Address 832 A9 A9 Address 933 /RAS3 RAS3 Row Address Strobe 334 /RAS2 RAS2 Row Address Strobe 235 DQ16 DQ16 Data 1636 n/c PQ17 Data 17 (Parity 2)37 DQ18 DQ18 Data 1838 DQ19 DQ19 Data 1939 VSS VSS Ground40 /CAS0 CAS0 Column Address Strobe 041 /CAS2 CAS2 Column Address Strobe 242 /CAS3 CAS3 Column Address Strobe 343 /CAS1 CAS1 Column Address Strobe 144 /RAS0 RAS0 Row Address Strobe 045 /RAS1 RAS1 Row Address Strobe 146 A12 A12 Address 1247 /WE WE Read/Write48 A13 A13 Address 1349 DQ20 DQ20 Data 2050 DQ21 DQ21 Data 2151 DQ22 DQ22 Data 2252 DQ23 DQ23 Data 2353 DQ24 DQ24 Data 2454 DQ25 DQ25 Data 2555 n/c PQ26 Data 26 (Parity 3)56 DQ27 DQ27 Data 2757 DQ28 DQ28 Data 2858 DQ29 DQ29 Data 29

59 DQ31 DQ31 Data 3160 DQ30 DQ30 Data 3061 VCC VCC +5 VDC62 DQ32 DQ32 Data 3263 DQ33 DQ33 Data 3364 DQ34 DQ34 Data 3465 n/c PQ35 Data 35 (Parity 4)66 PD2 PD2 Presence Detect 267 PD3 PD3 Presence Detect 368 PD4 PD4 Presence Detect 469 PD5 PD5 Presence Detect 570 PD6 PD6 Presence Detect 671 PD7 PD7 Presence Detect 772 VSS VSS Ground

DIMM

Módulos de memoria en formato DIMM (dos módulos SDRAM PC133).

DIMM son las siglas de «Dual In-line Memory Module» y que podemos traducir como Módulo de Memoria en línea doble. Son módulos de memoria RAM utilizados en ordenadores personales. Se trata de un pequeño circuito impreso que contiene chips de memoria y se conecta directamente en ranuras de la placa base. Los módulos DIMM son reconocibles externamente por poseer sus contactos (o pines) separados en ambos lados, a diferencia de los SIMM que poseen los contactos de modo que los de un lado están unidos con los del otro.

Las memorias DIMM comenzaron a reemplazar a las SIMM como el tipo predominante de memoria cuando los microprocesadores Intel Pentium dominaron el mercado.

Un DIMM puede comunicarse con el PC a 64 bits (y algunos a 72 bits) en vez de los 32 bits de los SIMM.

Funciona a una frecuencia de 123 MHz cada una...

El hecho de que los módulos en formato DIMM (Módulo de Memoria en Línea Doble),sean memorias de 64 bits, explica por qué no necesitan emparejamiento. Los módulos DIMM poseen chips de memoria en ambos lados de la placa de circuito

impresa, y poseen a la vez, 84 contactos de cada lado, lo cual suma un total de 168 contactos. Además de ser de mayores dimensiones que los módulos SIMM (130x25mm), estos módulos poseen una segunda muesca que evita confusiones.

Cabe observar que los conectores DIMM han sido mejorados para facilitar su inserción, gracias a las palancas ubicadas a ambos lados de cada conector.

También existen módulos más pequeños, conocidos como SO DIMM (DIMM de contorno pequeño), diseñados para ordenadores portátiles. Los módulos SO DIMM sólo cuentan con 144 contactos en el caso de las memorias de 64 bits, y con 77 contactos en el caso de las memorias de 32 bits.

Contenido

 [ocultar]  1 Especificación de los módulos DIMMs 2 Correción de errores

3 Organización

4 "Filas" de los módulos

[editar] Especificación de los módulos DIMMs

DIMMs de 168 contactos, [DIMM] SDR SDRAM. (Tipos: PC66, PC100, PC133, ...)

DIMMs de 184 contactos, DDR SDRAM. (Tipos: PC1.600 (DDR-200), PC2.100 (DDR-266), PC2.400 (DDR-300), PC2.700 (DDR-333), PC3.000 (DDR-366), PC3.200 (DDR-400), PC3.500 (DDR-433), PC3.700 (DDR-466), PC4.000 (DDR-500), PC4.300 (DDR-533), PC4.800 (DDR-600) => Hasta 1 GiB/módulo)

DIMMs de 240 contactos, DDR2 SDRAM. (Tipos: PC2-3.200 (DDR2-400), PC2-3.700 (DDR2-466), PC2-4.200 (DDR2-533), PC2-4.800 (DDR2-600), PC2-5.300 (DDR2-667), PC2-6.400 (DDR2-800), PC2-8.000 (DDR2-1.000), PC2-8.500 (DDR2-1.066), PC2-9.200 (DDR2-1.150) y PC2-9.600 (DDR2-1.200) => Hasta 4 GiB por módulo)

DIMMs de 240 contactos, DDR3 SDRAM. (Tipos: PC3-6.400 (DDR3-800), PC3-8.500 (DDR3-1.066), PC3-10.600 (DDR3-1.333), PC3-13.300 (DDR3-1.666), PC3-14.400 (DDR3-1.800), PC3-16.000 (DDR3-2.000) => Hasta 4 GiB por módulo)

ETC.

[editar] Correción de errores

Los ECC DIMMs son aquellos que tienen un mayor número de bits de datos, los cuales son usados por los controladores del sistema de memoria para detectar y corregir errores. Hay multitud de esquemas ECC, pero quizás el más común es el Corrector de errores individuales-Detector de errores dobles (SECDED) que usa un byte extra por cada palabra de 64 bits. Los módulos ECC están formados normalmente por múltiplos de 9 chips y no de 8 como es lo más usual.

[editar] Organización

La mayoría de módulos [DIMM] se construyen usando "x4" (de 4) los chips de memoria o "x8" (de 8) con 9 chips de memoria de chips por lado. "X4" o "x8" se refieren a la anchura de datos de los chips DRAM en bits.

En el caso de los [DIMM] "x4", la anchura de datos por lado es de 36 bits, por lo tanto, el controlador de memoria (que requiere 72 bits) para hacer frente a las necesidades de ambas partes al mismo tiempo para leer y escribir los datos que necesita. En este caso, el módulo de doble cara es único en la clasificación.

Para "DIMM x8",cada lado es de 72 bits de ancho, por lo que el controlador de memoria sólo se refiere a un lado a la vez (el módulo de dos caras es de doble clasificación).

[editar] "Filas" de los módulos

Las filas no pueden ser accedidas simultáneamente como si compartieran el mismo camino de datos. El diseño físico de los chips [DRAM] en un módulo DIMM no hace referencia necesariamente al número de filas.

Las DIMMs frecuentemente son referenciadas como de "un lado" o de "doble lado", refiriéndose a la ubicación de los chips de memoria que están en uno o en ambos lados del chip DIMM. Estos términos pueden causar confusión ya que no se refieren necesariamente a cómo están organizados lógicamente los chips DIMM o a qué formas hay de acceder a ellos.

Por ejemplo, en un chip DIMM de una fila que tiene 64 bits de datos de entrada/salida, sólo hay conjunto de chips [DRAM] que se activan para leer o recibir una escritura en los 64 bits. En la mayoría de sistemas electrónicos, los controladores de memoria son diseñados para acceder a todo el bus de datos del módulo de memoria.

En un chip DIMM de 64 bits hecho con dos filas, debe haber dos conjuntos de chips DRAM que puedan ser accedidos en tiempos diferentes. Sólo una de las filas puede ser accedida en un instante de tiempo desde que los bits de datos de los DRAM son enlazados para dos cargas en el DIMM.

Las filas son accedidas mediante señales "chip select" (CS). Por lo tanto para un módulo de dos filas, las dos [DRAM] con los bits de datos entrelazados pueden ser accedidas mediante una señal CS por [DRAM].